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ESMT
修订历史
版本1.0 ( 2006年1月16日)
-original
版本1.1 ( 2006年2月14日)
- 修改ICC2P ; ICC4 ; ICC5规范
- 修改产品编号。的订购信息
M12L128324A
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
晶豪科科技有限公司
出版日期:二月2006年
修订: 1.1
1/49
ESMT
SDRAM
M12L128324A
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
1M ×32位×4银行
同步DRAM
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟( 1 , 2 & 3 )
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 突发类型(顺序及放大器;交错)
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期( 4K周期)
订购信息
产品编号
M12L128324A-6TIG
M12L128324A-7TIG
M12L128324A-6BIG
M12L128324A-7BIG
最大频率。包装评论
166MHz
143MHz
166MHz
143MHz
86L TSOPII
86L TSOPII
90 FBGA
90 FBGA
无铅
无铅
无铅
无铅
概述
该M12L128324A是134217728位同步的高数据速率动态随机存储器组织成4× 1,048,576字由32位。
同步设计允许在每个时钟周期中使用系统时钟的I / O事务处理可精确的周期控制。
的工作频率范围,可编程脉冲串长度和可编程延迟允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽,高性能存储系统的应用程序。
晶豪科科技有限公司
出版日期:二月2006年
修订: 1.1
2/49
ESMT
管脚配置
顶视图
V
DD
DQ0
V
D
DQ
M12L128324A
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
NC
V
DD
Q M0
WE
c以
为r
CS
A 11
BA0
BA1
A1 0 / AP
A0
A1
A2
Q M2
V
D D
NC
问题16
V
S SQ
Q 17
Q 18
V
DDQ
Q 19
Q 20
V
S SQ
Q 21
Q 22
V
DQ
Q 23
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
V
S
S
问题15
V
S SQ
问题14
Q 13
V
DQ
Q 12
Q 11
V
S SQ
Q 10
DQ9
V
DQ
DQ8
NC
V
S
S
DQM 1
NC
NC
LK
KE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM 3
V
S
S
NC
DQ3 1
V
DQ
DQ3 0
DQ2 9
V
S SQ
DQ2 8
DQ2 7
V
DQ
DQ2 6
DQ2 5
V
S SQ
DQ2 4
V
S S
86Pi了n T, SO P( II )
(4 0 0米金正日×8 7 5 M I升)
(以P I T建华0 5 M M P)
90球FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
2
3
4
5
6
7
8
9
DQ26 DQ24 VSS
DQ28 VDDQ VSSQ
VSSQ DQ27 DQ25
VSSQ DQ29 DQ30
VDDQ DQ31
VSS DQM3
A4
A7
CLK
DQM1
A5
A8
CKE
NC
NC
A3
A6
NC
A9
NC
VSS
VDD DQ23 DQ21
VDDQ VSSQ DQ19
DQ22 DQ20 VDDQ
DQ17 DQ18 VDDQ
NC
A2
A10
NC
BA0
CAS
VDD
DQ6
DQ1
DQ16 VSSQ
DQM2 VDD
A0
BA1
CS
WE
A1
A11
RAS
DQM0
VDDQ DQ8
DQ7 VSSQ
DQ5 VDDQ
DQ3 VDDQ
VSSQ DQ10 DQ9
VSSQ DQ12 DQ14
DQ11 VDDQ VSSQ
DQ13 DQ15 VSS
VDDQ VSSQ DQ4
VDD
DQ0
DQ2
晶豪科科技有限公司
出版日期:二月2006年
修订: 1.1
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ESMT
框图
CLK
CKE
地址
模式
注册
时钟
发电机
组D
C银行
B组
ROW
地址
卜FF器
&放大器;
刷新
计数器
行解码器
M12L128324A
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
银行
检测放大器
命令解码器
控制逻辑
CS
RAS
CAS
WE
数据控制电路
输入输出&
卜FF器
闩锁电路
COLUMN
地址
卜FF器
&放大器;
刷新
计数器
DQM0~3
列解码器
DQ
引脚说明
CLK
CS
CKE
A0 ~ A11
BA0 , BA1
RAS
名字
系统时钟
芯片选择
时钟使能
地址
银行选择地址
行地址选通
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入
禁用或启用的设备操作通过屏蔽或使所有
除了输入CLK , CKE和DQM0-3 。
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址: RA0 RA11 ,列地址: CA0 CA7
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存行地址,在CLK的与正向边沿
RAS低。
让行存取&预充电。
闩锁, CLK与正边沿列地址
CAS低。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存数据从CAS开始,
WE
活跃的。
CAS
列地址选通
WE
写使能
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修订: 1.1
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ESMT
M12L128324A
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
DQM0~3
DQ0 DQ31
V
DD
/ V
SS
V
DDQ
/ V
SSQ
N.C
名字
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
输入功能
使得数据输出高阻,T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时, DQM活跃。
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
对于输出缓冲,以提供分离的电源和接地
增强抗干扰性。
该引脚建议留在设备上的连接。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
注意:
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
1
50
单位
V
V
°
C
W
mA
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC工作条件
推荐工作条件(电压参考V
SS
= 0V ,T
A
= -40 85 ℃)下
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
输出漏电流
注意:
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-5
-5
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
-
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
-
0.4
5
5
单位
V
V
V
V
V
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
4
μ
A
μ
A
1. V
IH
( MAX)= 4.6V AC脉冲宽度
10ns的接受。
2. V
IL
(分钟) = -1.5V交流脉冲宽度
10ns的接受。
3.任何输入0V
VIN
V
DD
+ 0.3V ,所有其他引脚都没有被测= 0V 。
4. Dout为禁用, 0V
V
OUT
V
DD
.
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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