【初步SEMIWELL半导体2N7000逻辑N沟道MOSFET特点■RDS （ ON）（最多5)@VG】,IC型号MM5450YV,MM5450YV PDF资料,MM5450YV经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

SEMIWELL

半导体

2N7000

逻辑N沟道MOSFET

特点

■

DS （ ON）

（最多5

)@V

=10V

DS （ ON）

（最大5.3Ω ） @V

=4.5V

栅极电荷（典型0.5nC ）

最高结温范围（ 150 ° C）

符号

●

3.排水

■

2.门

●

▲

1.源

概述

这是功率MOSFET采用平面工艺技术制造。

这是功率MOSFET非常适用于电池开关，负载

开关，马达控制器等小信号开关。

TO-92

绝对最大额定值

符号

DSS

英镑，

漏源极电压

连续漏电流（ @T

= 25

°C)

漏电流脉冲

栅极至源极电压

总功耗单操作（T

=25

°C

)

总功耗单操作（T

=70

°C

)

工作结温&储藏温度

最大无铅焊接温度的目的，

1/8的病例为10秒。

（注1 ）

参数

价值

200

500

单位

°C

0.4

3.2

- 55 ~ 150

300

热特性

符号

θJA

参数

热阻，结到环境

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

312.5

单位

° C / W

一月， 2003年修订版0 。

1/6

2N7000

电气特性

符号

开关特性

DSS

GSS

( T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

漏极 - 源极漏电流

门源泄漏，正向

栅源泄漏，反向

测试条件

= 0V时，我

= 250uA

= 250uA ，参考25 ℃下

= 60V, V

= 0V

= 60V, V

= 0V ，T

= 125 °C

= 20V, V

= 0V

= -20V, V

= 0V

= V

, I

= 250uA

= 10 V，I

= 500毫安

= 4.5 V，I

= 75毫安

民

典型值

最大

1000

100

单位

毫伏/°C的

-100

基本特征

GS （ TH）

DS （ ON）

栅极阈值电压

静态漏源导通状态

阻力

1.0

1.55

1.9

2.5

5.3

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

输入电容

输出电容

反向传输电容

=0 V, V

= 25V ， F = 1MHz的

动态特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极电荷（米勒电荷）

=30V, V

= 4.5V ，我

=200mA

（注2,3 ）

= 30V ，我

= 200毫安，R

=50

= 10 V

（注2,3 ）

2.5

0.5

0.15

0.2

0.65

源极 - 漏极二极管额定值和特性

符号

参数

最大连续二极管正向电流

二极管的正向电压

测试条件

=的200mA， V

=0V

（注2 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

200

1.2

单元。

※

笔记

1. Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300US ，占空比

≤

3.基本上是独立的工作温度。

2/6

2N7000

图1.在国家特色

10.0 V

8.0 V

6.0 V

5.0 V

4.5 V

4.0 V

3.5 V

底部： 3.0 V

上图：

如图2传输特性

，漏电流[ A]

150 C

-55 C

※

注意事项：

1. 250μ s脉冲测试

2. T

= 25

℃

25 C

-1

※

注意事项：

1. V

= 10V

2. 250μ s脉冲测试

，漏源电压[V]

，栅源电压[V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

3.0

图4.在国家电流与

允许外壳温度

DS （ ON）

漏源导通电阻[ mΩ的]

，反向漏电流[ A]

2.5

= 4.5V

= 10V

2.0

150

℃

※

注意事项：

1. V

= 0V

2. 250μ s脉冲测试

1.5

※

注：t

= 25

℃

1.0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

，漏电流[ A]

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容特性

国际空间站

=短路）

OSS

RSS

图6.栅极电荷特性

，栅源电压[V]

= 30V

电容[ pF的]

※

注意事项：

1. V

= 0V

2， F = 1MHz的

= 48V

国际空间站

OSS

RSS

※

注：我

= 200毫安

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

，漏源电压[V]

，总栅极电荷[ NC ]

3/6

2N7000

图7.击穿电压变化

- 结温

1.2

2.5

图8.导通电阻变化

- 结温

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

2.0

1.1

1.5

1.0

0.9

※

注意事项：

1. V

= 0 V

2. I

= 250 A

0.5

※

注意事项：

1. V

= 10 V

2. I

= 500毫安

0.8

-100

-50

100

150

200

0.0

-100

-50

100

150

200

，结温[C]

4/6

2N7000

图。 9.栅极电荷测试电路波形&

50K

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

4.5V

DUT

1mA

收费

图10.开关时间测试电路波形&

（ 0.5额定V

)

90%

10V

脉冲

发电机

DUT

10%

D（上）

D（关闭）

关闭

5/6

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