MJD243 （ NPN ）
MJD253 （ PNP ）
首选设备
其他芯片
塑料功率晶体管
DPAK - 3为表面贴装应用
专为低电压，低功耗，高增益音频放大器
应用程序。
特点
http://onsemi.com
4.0 A， 100 V， 12.5 W
功率晶体管
4
4
基地1
器2
辐射源3
DPAK3
CASE 369D
风格1
1 2
3
DPAK3
CASE 369C
风格1
集电极 - 发射极耐受电压 -
V
CEO （ SUS ）
= 100伏直流（最小值） @我
C
= 10 MADC
高直流电流增益 -
h
FE
= 40 （分） @我
C
= 200 MADC
= 15（分） @我
C
= 1.0 ADC
铅形成在塑料套管表面贴装应用
（没有后缀）
直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）
铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”后缀）
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 0.3伏（最大） @我
C
= 500 MADC
= 0.6伏（最大） @我
C
= 1.0 ADC
高电流增益 - 带宽积 -
f
T
= 40兆赫（最小值） @我
C
= 100 MADC
环形结构以降低漏 -
I
CBO
= 100 NADC @额定V
CB
环氧符合UL 94 V- 0 @ 0.125英寸
ESD额定值：人体模型， 3B
u
8000 V
机器型号，C
u
400 V
无铅包装是否可用
标记DIAGRAMS
YWW
J2x3
YWW
J2x3
Y
WW
J2x3
x
=年
=工作周
=器件代码
= 4或5
订购信息
设备
MJD243
MJD243T4
MJD243T4G
MJD2531
MJD253T4
包
DPAK3
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK3
DPAK3
航运
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 修订版8
出版订单号：
MJD243/D
MJD243 （ NPN ） ， MJD253 （ PNP ）
最大额定值
等级
集电极 - 基极电压
符号
V
CB
价值
100
100
7.0
4.0
8.0
1.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
PD ，功耗（瓦）
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
V
首席执行官
V
EB
I
C
I
B
集电极电流连续
λpeak
基极电流
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
A
= 25°C
（注1 ）
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
P
D
12.5
0.1
1.4
W
W / ℃，
W
0.011
W / ℃，
°C
T
J
, T
英镑
-65到+ 150
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.当表面安装推荐的最小焊盘尺寸。
T
A
T
C
2.5 25
2 20
1.5 15
T
A
（表面贴装）
1 10
T
C
0.5
0
5
0
25
50
75
100
125
150
T，温度（ ° C）
图1.功率降额
http://onsemi.com
2
2.表面安装推荐的最小焊盘尺寸。
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
[
2%.
4. f
T
=
h
FE
f
TEST
.
动态特性
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
热特性
DC电流增益（注3 ）（Ⅰ
C
= 200 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
DC电流增益（注3）
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
集电极截止电流（V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0, T
J
= 125°C)
输出电容（V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益 - 带宽积（注4 ）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 10兆赫）
基射极电压上（注3 ） （我
C
= 500 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
基射极饱和电压（注3 ） （我
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 100 MADC ）
发射极截止电流（V
BE
= 7.0伏，我
C
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注3 ） （我
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
热阻，结到外壳
结到环境（注2 ）
特征
特征
MJD243 （ NPN ） ， MJD253 （ PNP ）
http://onsemi.com
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
符号
I
CBO
I
EBO
R
QJC
R
qJA
C
ob
h
FE
f
T
民
100
40
40
15
价值
10
89.3
最大
180
100
100
100
1.5
1.8
0.3
0.6
50
° C / W
单位
NADC
NADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
3
MJD243 （ NPN ） ， MJD253 （ PNP ）
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5
2
1
0.5
0.2
0.1
5毫秒
dc
1毫秒
500
ms
100
ms
0.05
0.02
0.01
1
键合丝有限公司
限热@ T
C
= 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
2
5
10
20
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图2.活动地区最大的安全工作区
有在电源处理的晶体管的能力，有两个限制：平均结温及第二击穿。
安全工作区曲线表明我
C
V
CE
必须可靠运行被观察的晶体管的限制;即，在
晶体管不能承受较大的功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
是可变的取决于条件。其次，脉细数限制
有效期为占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从数据计算图3中在高的情况下
的温度下，热限制将减少可处理到的值小于由所施加的限制的功率
二次击穿。
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0 （单脉冲）
R
QJC
（吨） = R （t）的
q
JC
R
QJC
= 10 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
吨，时间（ ms）的
5
10
20
50
100
200
图3.热响应
http://onsemi.com
4
MJD243 （ NPN ） ， MJD253 （ PNP ）
NPN
MJD243
500
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
0.04 0.06
T
J
= 150°C
25°C
55
°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 2.0 V
的hFE ， DC电流增益
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.04 0.06
T
J
= 150°C
25°C
55
°C
PNP
MJD253
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 2.0 V
0.1
0.4 0.6
0.2
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图4.直流电流增益
1.4
T
J
= 25°C
1.2
V，电压（V ）
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
0
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
4.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
I
C
/I
B
= 10
5.0
1.4
T
J
= 25°C
1.2
1.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
0
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
I
C
/I
B
= 10
5.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图5.为“ON”电压
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+2.5
+2.0
+1.5
+1.0
+0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
q
VB
对于V
BE
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
55
°C
至25℃
25 ℃150 ℃的
55
°C
至25℃
0.6
1.0
2.0
4.0
25 ℃150 ℃的
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE/3
1.0
1.5
2.0
q
VB
对于V
BE
0.1
25 ℃150 ℃的
55
°C
至25℃
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
2.5
0.04 0.06
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图6.温度系数
http://onsemi.com
5
MJD243 （ NPN ）
MJD253 （ PNP ）
首选设备
其他芯片
塑料功率晶体管
DPAK - 3为表面贴装应用
专为低电压，低功耗，高增益音频放大器
应用程序。
特点
http://onsemi.com
4.0 A， 100 V， 12.5 W
功率晶体管
4
4
基地1
器2
辐射源3
DPAK3
CASE 369D
风格1
1 2
3
DPAK3
CASE 369C
风格1
集电极 - 发射极耐受电压 -
V
CEO （ SUS ）
= 100伏直流（最小值） @我
C
= 10 MADC
高直流电流增益 -
h
FE
= 40 （分） @我
C
= 200 MADC
= 15（分） @我
C
= 1.0 ADC
铅形成在塑料套管表面贴装应用
（没有后缀）
直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）
铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”后缀）
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 0.3伏（最大） @我
C
= 500 MADC
= 0.6伏（最大） @我
C
= 1.0 ADC
高电流增益 - 带宽积 -
f
T
= 40兆赫（最小值） @我
C
= 100 MADC
环形结构以降低漏 -
I
CBO
= 100 NADC @额定V
CB
环氧符合UL 94 V- 0 @ 0.125英寸
ESD额定值：人体模型， 3B
u
8000 V
机器型号，C
u
400 V
无铅包装是否可用
标记DIAGRAMS
YWW
J2x3
YWW
J2x3
Y
WW
J2x3
x
=年
=工作周
=器件代码
= 4或5
订购信息
设备
MJD243
MJD243T4
MJD243T4G
MJD2531
MJD253T4
包
DPAK3
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK3
DPAK3
航运
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 修订版8
出版订单号：
MJD243/D
MJD243 （ NPN ） ， MJD253 （ PNP ）
最大额定值
等级
集电极 - 基极电压
符号
V
CB
价值
100
100
7.0
4.0
8.0
1.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
PD ，功耗（瓦）
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
V
首席执行官
V
EB
I
C
I
B
集电极电流连续
λpeak
基极电流
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
A
= 25°C
（注1 ）
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
P
D
12.5
0.1
1.4
W
W / ℃，
W
0.011
W / ℃，
°C
T
J
, T
英镑
-65到+ 150
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.当表面安装推荐的最小焊盘尺寸。
T
A
T
C
2.5 25
2 20
1.5 15
T
A
（表面贴装）
1 10
T
C
0.5
0
5
0
25
50
75
100
125
150
T，温度（ ° C）
图1.功率降额
http://onsemi.com
2
2.表面安装推荐的最小焊盘尺寸。
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
[
2%.
4. f
T
=
h
FE
f
TEST
.
动态特性
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
热特性
DC电流增益（注3 ）（Ⅰ
C
= 200 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
DC电流增益（注3）
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
集电极截止电流（V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0, T
J
= 125°C)
输出电容（V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益 - 带宽积（注4 ）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 10兆赫）
基射极电压上（注3 ） （我
C
= 500 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
基射极饱和电压（注3 ） （我
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 100 MADC ）
发射极截止电流（V
BE
= 7.0伏，我
C
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注3 ） （我
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
热阻，结到外壳
结到环境（注2 ）
特征
特征
MJD243 （ NPN ） ， MJD253 （ PNP ）
http://onsemi.com
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
符号
I
CBO
I
EBO
R
QJC
R
qJA
C
ob
h
FE
f
T
民
100
40
40
15
价值
10
89.3
最大
180
100
100
100
1.5
1.8
0.3
0.6
50
° C / W
单位
NADC
NADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
3
MJD243 （ NPN ） ， MJD253 （ PNP ）
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5
2
1
0.5
0.2
0.1
5毫秒
dc
1毫秒
500
ms
100
ms
0.05
0.02
0.01
1
键合丝有限公司
限热@ T
C
= 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
2
5
10
20
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图2.活动地区最大的安全工作区
有在电源处理的晶体管的能力，有两个限制：平均结温及第二击穿。
安全工作区曲线表明我
C
V
CE
必须可靠运行被观察的晶体管的限制;即，在
晶体管不能承受较大的功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
是可变的取决于条件。其次，脉细数限制
有效期为占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从数据计算图3中在高的情况下
的温度下，热限制将减少可处理到的值小于由所施加的限制的功率
二次击穿。
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0 （单脉冲）
R
QJC
（吨） = R （t）的
q
JC
R
QJC
= 10 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
吨，时间（ ms）的
5
10
20
50
100
200
图3.热响应
http://onsemi.com
4
MJD243 （ NPN ） ， MJD253 （ PNP ）
NPN
MJD243
500
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
0.04 0.06
T
J
= 150°C
25°C
55
°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 2.0 V
的hFE ， DC电流增益
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.04 0.06
T
J
= 150°C
25°C
55
°C
PNP
MJD253
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 2.0 V
0.1
0.4 0.6
0.2
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图4.直流电流增益
1.4
T
J
= 25°C
1.2
V，电压（V ）
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
0
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
4.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
I
C
/I
B
= 10
5.0
1.4
T
J
= 25°C
1.2
1.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
0
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
I
C
/I
B
= 10
5.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图5.为“ON”电压
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+2.5
+2.0
+1.5
+1.0
+0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
q
VB
对于V
BE
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
55
°C
至25℃
25 ℃150 ℃的
55
°C
至25℃
0.6
1.0
2.0
4.0
25 ℃150 ℃的
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE/3
1.0
1.5
2.0
q
VB
对于V
BE
0.1
25 ℃150 ℃的
55
°C
至25℃
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
2.5
0.04 0.06
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图6.温度系数
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5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MJD243 / D
塑料功率晶体管
MJD243*
*摩托罗拉的首选设备
DPAK对于表面贴装应用
。 。 。专为低电压，低功耗，高增益音频放大器应用。
集电极 - 发射极耐受电压 - VCEO （ SUS ） = 100伏直流（最小值） @ IC = 10 MADC
高直流电流增益 - 的hFE = 40 （分钟） @ IC = 200 MADC
= 15（分） @ IC = 1.0 ADC
铅形成在塑料套管表面贴装应用（没有后缀）
直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）
铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”后缀）
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 0.3伏（最大） @ IC = 500 MADC
= 0.6伏（最大） @ IC = 1.0 ADC
高电流增益 - 带宽积 - FT = 40兆赫（最小值） @ IC = 100 MADC
环形结构以降低漏 - ICBO = 100 NADC @额定VCB
最大额定值
NPN硅
功率晶体管
4安培
100伏
12.5 WATTS
PD ，功耗（瓦）
2 20
0.118
3.0
1.5 15
0.063
1.6
0.243
6.172
英寸
mm
TA （表面贴装）
1 10
TC
0.5
0
5
0
25
50
75
100
125
150
T，温度（ ° C）
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
0.07
1.8
等级
符号
VCB
VCEO
VEB
IC
IB
PD
PD
价值
100
100
7
4
8
1
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
器件总功耗@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
12.5
0.1
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
器件总功耗@ TA = 25
_
C*
减免上述25
_
C
工作和存储结
温度范围
1.4
0.011
TJ ， TSTG
- 65至+ 150
CASE 369A - 13
CASE 369-07
_
C
热特性
特征
最小焊盘尺寸
推荐用于
表面贴装
应用
0.190
4.826
符号
R
θJC
R
θJA
最大
单位
热阻，结到外壳
结到环境*
10
89.3
_
C / W
TA TC
2.5 25
0.165
4.191
*表面装在最小焊盘尺寸时，建议。
1
IC ，集电极电流（ AMPS ）
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
MJD243
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ） （ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
VCEO （ SUS）
ICBO
IEBO
的hFE
100
—
—
—
—
VDC
集电极截止电流（ VCB = 100伏， IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 100伏， IE = 0 ， TJ = 125
_
C)
发射极截止电流（ VBE = 7伏， IC = 0 ）
100
100
100
180
—
NADC
μAdc
NADC
—
DC电流增益（1）（ IC = 200 MADC ， VCE = 1伏）
直流电流增益（ 1 ）
（ IC = 1 ADC ， VCE = 1伏）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
（ IC = 1 ADC ， IB = 100 MADC ）
40
15
VCE （ SAT ）
VDC
—
—
—
—
0.3
0.6
1.8
1.5
基射极饱和电压（ 1 ） （ IC = 2的ADC ， IB = 200 MADC ）
基射极电压上（ 1 ） （IC = 500 MADC ， VCE = 1伏）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
VDC
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ） （IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 10兆赫）
输出电容（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 0.1兆赫）
fT
40
—
—
兆赫
pF
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
（2）的fT =
h
FE
FTEST 。
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
5毫秒
dc
1毫秒
[
2%.
500
s
COB
50
100
s
键合丝有限公司
限热@ TC = 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
额定VCEO
2
5
10
20
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图2中的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C. TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算
URE 3.在高温度的情况下，热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
图2.活动地区最大安全
工作区
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0 （单脉冲）
R
θJC
（吨） = R （t）的
θ
JC
R
θJC
= 10 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK）
θ
JC （T ）
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
吨，时间（ ms）的
5
10
20
50
100
200
图3.热响应
2
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
2.
3.
4.
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.当表面安装推荐的最小焊盘尺寸。
动态特性
开关特性
热特性
最大额定值
热阻，
工作和存储结温范围
器件总功耗@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
结到外壳
结到环境（注2 ）
-Continuous
λpeak
特征
等级
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益
带宽积（注4 ）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 10兆赫）
基射极电压上（注3 ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
基射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 100 MADC ）
DC电流增益（注3）
(I
C
= 200 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 7.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0, T
J
= 125°C)
集电极 - 发射极耐受电压（注3 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
表面贴装最小焊盘尺寸时，建议。
脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
[
2%.
f
T
=
h
FE
f
TEST
.
特征
MJD243 （ NPN ） ， MJD253 （ PNP ）
http://onsemi.com
V
CEO （ SUS ）
符号
符号
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
T
J
, T
英镑
V
首席执行官
R
QJC
R
qJA
I
CBO
I
EBO
V
CB
V
EB
C
ob
h
FE
P
D
P
D
I
C
I
B
f
T
民
100
40
40
15
65
到+ 150
价值
价值
1.4
0.011
12.5
0.1
10
89.3
100
100
1.0
4.0
8.0
7.0
最大
180
100
100
100
1.5
1.8
0.3
0.6
50
° C / W
W
W / ℃，
W
W / ℃，
NADC
NADC
MADC
兆赫
单位
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
°C
2
MJD243 （ NPN ） ， MJD253 （ PNP ）
T
A
T
C
2.5 25
IC ，集电极电流（ AMPS ）
PD ，功耗（瓦）
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
5毫秒
dc
1毫秒
500
ms
100
ms
2 20
1.5 15
T
A
（表面贴装）
1 10
T
C
0.5
0
5
0
0.05
0.02
0.01
键合丝有限公司
限热@ T
C
= 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
1
2
5
10
20
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
25
50
75
100
125
150
T，温度（ ° C）
图1.功率降额
图2.活动地区最大
安全工作区
有在电源处理的晶体管的能力，有两个限制：平均结温及第二击穿。
安全工作区曲线表明我
C
V
CE
必须可靠运行被观察的晶体管的限制;即，在
晶体管不能承受较大的功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
是可变的取决于条件。其次，脉细数限制
有效期为占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从数据计算图3中在高的情况下
的温度下，热限制将减少可处理到的值小于由所施加的限制的功率
二次击穿。
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0 （单脉冲）
R
QJC
（吨） = R （t）的
q
JC
R
QJC
= 10 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
吨，时间（ ms）的
5
10
20
50
100
200
图3.热响应
http://onsemi.com
3
MJD243 （ NPN ） ， MJD253 （ PNP ）
NPN
MJD243
500
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
0.04 0.06
T
J
= 150°C
25°C
- 55°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 2.0 V
的hFE ， DC电流增益
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.04 0.06
T
J
= 150°C
25°C
- 55°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 2.0 V
PNP
MJD253
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图4.直流电流增益
1.4
T
J
= 25°C
1.2
V，电压（V ）
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
0
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
4.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
I
C
/I
B
= 10
5.0
1.4
T
J
= 25°C
1.2
1.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
0
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
I
C
/I
B
= 10
5.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图5.为“ON”电压
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
- 2.5
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
q
VB
对于V
BE
- 55 ° C至25°C时
25 ℃150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
0.6
1.0
2.0
4.0
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
25 ℃150 ℃的
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE/3
- 1.0
- 1.5
- 2.0
q
VB
对于V
BE
0.1
25 ℃150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
- 2.5
0.04 0.06
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图6.温度系数
http://onsemi.com
4
MJD243 （ NPN ） ， MJD253 （ PNP ）
V
CC
+ 30 V
R
C
R
B
D
1
-4 V
范围
T， TIME （ NS ）
1K
500
300
200
100
50
30
20
10
5
3
2
1
0.01
NPN MJD243
PNP MJD253
t
d
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
25
ms
+11 V
0
- 9.0 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
适用于PNP测试电路，翻转所有极性
0.02 0.03 0.05 0.1
1
2
0.2 0.3 0.5
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
3
5
10
图7.开关时间测试电路
图8.导通时间
10K
5K
3K
2K
1K
T， TIME （ NS ）
500
300
200
100
50
30
20
10
0.01
t
s
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
200
T
J
= 25°C
100
C，电容（pF ）
70
50
30
20
t
f
NPN MJD243
PNP MJD253
3
5
10
10
1.0
2.0
MJD243 （ NPN ）
MJD253 （ PNP ）
3.0
5.0 7.0 10
20 30
V
R
，反向电压（伏）
50 70 100
C
ob
C
ib
0.2 0.3 0.5
1
2
0.02 0.03 0.05 0.1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图9.开启，关闭时间
图10.电容
200
T
J
= 25°C
100
C，电容（pF ）
70
50
30
20
C
ob
C
ib
10
1
2
3
5
7 10
20 30
V
R
，反向电压（伏）
50
70 100
图11.电容
http://onsemi.com
5
2.
3.
4.
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.当表面安装推荐的最小焊盘尺寸。
动态特性
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
热特性
最大额定值
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益 - 带宽积（注4 ）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 10兆赫）
基射极电压上（注3 ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
基射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 100 MADC ）
DC电流增益（注3）
(I
C
= 200 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 7.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0, T
J
= 125°C)
集电极 - 发射极耐受电压（注3 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
热阻，
工作和存储结温范围
器件总功耗@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
表面贴装最小焊盘尺寸时，建议。
脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
[
2%.
f
T
=
h
FE
f
TEST
.
结到外壳
结到环境（注2 ）
-Continuous
λpeak
特征
特征
等级
MJD243 （ NPN ） ， MJD253 （ PNP ）
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V
CEO （ SUS ）
符号
符号
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
T
J
, T
英镑
V
BE（上）
V
首席执行官
R
QJC
R
qJA
I
CBO
I
EBO
V
CB
V
EB
C
ob
h
FE
P
D
P
D
I
C
I
B
f
T
民
100
40
40
15
-65到+ 150
价值
价值
1.4
0.011
10
89.3
12.5
0.1
100
100
1.0
4.0
8.0
7.0
最大
180
100
100
100
1.5
1.8
0.3
0.6
50
W
W / ℃，
W
W / ℃，
° C / W
NADC
NADC
MADC
兆赫
单位
单位
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
pF
°C
2
MJD243 （ NPN ） ， MJD253 （ PNP ）
T
A
T
C
2.5 25
IC ，集电极电流（ AMPS ）
PD ，功耗（瓦）
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
5毫秒
dc
1毫秒
500
ms
100
ms
2 20
1.5 15
T
A
（表面贴装）
1 10
T
C
0.5
0
5
0
0.05
0.02
0.01
键合丝有限公司
限热@ T
C
= 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
1
2
5
10
20
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
25
50
75
100
125
150
T，温度（ ° C）
图1.功率降额
图2.活动地区最大
安全工作区
有在电源处理的晶体管的能力，有两个限制：平均结温及第二击穿。
安全工作区曲线表明我
C
V
CE
必须可靠运行被观察的晶体管的限制;即，在
晶体管不能承受较大的功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
是可变的取决于条件。其次，脉细数限制
有效期为占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从数据计算图3中在高的情况下
的温度下，热限制将减少可处理到的值小于由所施加的限制的功率
二次击穿。
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0 （单脉冲）
R
QJC
（吨） = R （t）的
q
JC
R
QJC
= 10 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
吨，时间（ ms）的
5
10
20
50
100
200
图3.热响应
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3
MJD243 （ NPN ） ， MJD253 （ PNP ）
NPN
MJD243
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
0.04 0.06
T
J
= 150°C
25°C
55
°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 2.0 V
的hFE ， DC电流增益
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.04 0.06
T
J
= 150°C
25°C
55
°C
PNP
MJD253
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 2.0 V
的hFE ， DC电流增益
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图4.直流电流增益
1.4
T
J
= 25°C
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
0
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
4.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
I
C
/I
B
= 10
5.0
V，电压（V ）
1.4
T
J
= 25°C
1.2
1.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
0
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
I
C
/I
B
= 10
5.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图5.为“ON”电压
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+2.5
+2.0
+1.5
+1.0
+0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
q
VB
对于V
BE
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
55
°C
至25℃
25 ℃150 ℃的
55
°C
至25℃
0.6
1.0
2.0
4.0
25 ℃150 ℃的
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE/3
1.0
1.5
2.0
q
VB
对于V
BE
0.1
25 ℃150 ℃的
55
°C
至25℃
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
2.5
0.04 0.06
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图6.温度系数
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4
MJD243 （ NPN ） ， MJD253 （ PNP ）
V
CC
+30 V
R
C
R
B
D
1
4 V
范围
T， TIME （ NS ）
1K
500
300
200
100
50
30
20
10
5
3
2
1
0.01
NPN MJD243
PNP MJD253
t
d
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
25
ms
+11 V
0
9.0 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
适用于PNP测试电路，翻转所有极性
0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
1
2
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
3
5
10
图7.开关时间测试电路
图8.导通时间
10K
5K
3K
2K
1K
T， TIME （ NS ）
500
300
200
100
50
30
20
10
0.01
t
s
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
200
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
30
20
t
f
NPN MJD243
PNP MJD253
3
5
10
10
1.0
2.0
MJD243 （ NPN ）
MJD253 （ PNP ）
3.0
5.0 7.0 10
20 30
V
R
，反向电压（伏）
50 70 100
C
ob
C
ib
0.2 0.3 0.5
1
2
0.02 0.03 0.05 0.1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图9.开启，关闭时间
图10.电容
200
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
30
20
C
ob
C
ib
10
1
2
3
5
7 10
20 30
V
R
，反向电压（伏）
50
70 100
图11.电容
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5
QQ：2880707522 复制
