MIC4103/4104

100V半桥MOSFET驱动器

3 / 2A吸入/源出电流

初步

概述

该MIC4103和MIC4104是高频， 100V半

桥式MOSFET驱动器更快的关断特性

比MIC4100和MIC4101驱动程序。它们的特点是速度快

24ns的传播延迟时间和6ns的驱动下降时间。

低边和高边栅极驱动器可以独立

控制，并在3纳秒典型的匹配。该MIC4103

具有CMOS输入阈值和MIC4104具有TTL

输入阈值。该MIC4103 / 4包括一个高电压

内部二极管充电的高侧栅极驱动器

自举电容器。

一个强大，高速，低功率电平转换器提供

清洁级跃迁到高侧输出。坚固

该MIC4103 / 4的操作确保了输出不

受供应毛刺， HS振铃下方地面上，或

回转支承HS高速电压转换。理解

被设置在两个低侧电压保护和

高侧驱动器。

该MIC4103和MIC4104可在8引脚SOIC

和8引脚采用3mm x 3mm MLF

包装与操作

结温范围为-40 ° C至+ 125°C 。

数据手册和支持文档上可以找到

麦克雷尔公司的网站： www.micrel.com 。

特点

不对称的，低阻抗输出驱动1000pF的

负载为10ns上升时间为6ns和下降时间

自举电源的最大电压118V DC

电源电压高达16V

驱动高边和低边N沟道MOSFET与

独立输入

CMOS输入阈值（ MIC4103 ）

TTL输入阈值（ MIC4104 ）

片上自举二极管

快24ns的传播时间

低功耗

电源欠压保护

典型的2.5Ω上拉和1.25Ω下拉输出驱动器

阻力

-40°C至+ 125°C的结温范围

应用

高电压降压型转换器

全速和半桥式拓扑结构电源

有源钳位正激变换器

两个开关正激拓扑结构

接口数字控制器

___________________________________________________________________________________________________________

典型用途

100V降压稳压器解决方案

MLF和

MicroLEAD

框架是Amkor技术，Inc.的注册商标。

麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+1 （

408

） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com

2007年10月

M9999-100107-B

麦克雷尔

MIC4103/4104

订购信息

产品型号

MIC4103YM

MIC4104YM

MIC4103YML （即将推出）

MIC4104YML （即将推出）

输入

CMOS

TTL

CMOS

TTL

结温。范围

-40至+ 125°C

-40至+ 125°C

-40至+ 125°C

-40至+ 125°C

包

8引脚SOIC

8引脚SOIC

8引脚3x3的MLF

8引脚3x3的MLF

引脚配置

8引脚SOIC （M ）

8引脚采用3mm x 3mm MLF

（ ML）的

引脚说明

引脚数

1

2

3

4

5

6

7

8

引脚名称

VDD

HB

HO

HS

HI

LI

VSS

LO

引脚功能

正电源，以降低栅极驱动器。去耦该引脚到VSS （引脚7 ） 。

自举二极管连接到HB （ 2脚） 。

高边自举电源。外部自举电容是必需的。连

自举电容的积极一面此引脚。自举二极管芯片。

高侧输出。连接到高侧功率MOSFET的栅极。

高边源连接。连接到高侧功率MOSFET的源极。

自举电容的负端连接到该引脚。

高端输入。

低端输入。

片上负电源，一般是地面。

低侧输出。连接至低侧功率MOSFET的栅极。

2007年10月

2

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麦克雷尔

MIC4103/4104

绝对最大额定值

(1)

电源电压（V

DD

, V

HB

– V

HS

） ...................... -0.3V至18V

输入电压（V

李，

V

HI

） ......................... -0.3V到V

DD

+ 0.3V

电压LO （V

LO

） .............................. -0.3V到V

DD

+ 0.3V

电压HO （V

HO

) ......................V

HS

- 0.3V至V

HB

+ 0.3V

在HS （连续）电压.............................. -1V至110V

电压HB ............................................... ............... 118V

VDD的平均电流为HB二极管....................... 100毫安

结温（T

J

） ........................- 55 ° C至+ 150°C

存储温度（T

s

） ..........................- 60 ° C至+ 150°C

ESD额定值................................................ ..........见注3

工作额定值

(2)

电源电压（V

DD

） ........................................ + 9V至+ 16V

电压HS ............................................... .... -1V至100V

在HS （重复瞬态） ..................电压-5V至105V

HS摆率............................................... ............. 50V / ns的

对HB ................................... V电压

HS

+ 8V至V

HS

+ 16V

和............................................ V

DD

- 1V至V

DD

+ 100V

结温（T

J

） ........................ -40 ° C至+ 125°C

热阻结

SOIC -8L （ θ

JA

)...................................................140°C/W

采用3mm x 3mm MLF

............................................ TBD ° C / W

电气特性

(4)

V

DD

= V

HB

= 12V; V

SS

= V

HS

= 0V ;在LO或豪无负荷;牛逼

A

= 25°C ;除非另有说明。

胆大

值表明-40 ° C<牛逼

J

< + 125°C 。

符号

参数

条件

民

典型值

40

3.0

25

1.5

0.05

最大

150

200

4.0

150

200

2.5

3

1

30

单位

电源电流

I

DD

I

DDO

I

HB

I

HBO

I

HBS

V

DD

静态电流

V

DD

工作电流

HB总静态电流

HB总工作电流

HB到V

SS

目前，静态

李= HI = 0V

F = 500kHz的

李= HI = 0V

F = 500kHz的

V

HS

= V

HB

= 110V

A

mA

A

mA

A

输入引脚： MIC4103 （ CMOS输入）

V

IL

V

IH

V

IHYS

R

I

低电平输入电压

门槛

高电平输入电压

门槛

输入电压滞后

输入下拉电阻

低电平输入电压

门槛

高电平输入电压

门槛

输入下拉电阻

V

DD

阈值上升

V

DD

阈值迟滞

HB上升阈值

HB阈值迟滞

6.0

100

6.5

100

4

3

5.3

5.7

0.4

200

500

7

8

V

V

V

k

输入引脚： MIC4104 （ TTL输入）

V

IL

V

IH

R

I

V

DDR

V

DDH

V

HBR

V

HBH

0.8

1.5

1.5

200

7.4

0.5

7.0

0.4

8.0

2.2

500

8.0

V

V

k

V

V

V

V

欠压保护

2007年10月

3

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麦克雷尔

MIC4103/4104

符号

参数

条件

民

典型值

0.4

0.7

1.0

最大

0.55

0.70

0.8

1.0

1.5

2.0

0.3

0.4

0.3

0.45

单位

自举二极管

V

DL

V

DH

R

D

低电流正向电压

大电流正向电压

动态电阻

I

VDD -HB

= 100A

I

VDD -HB

= 100毫安

I

VDD -HB

= 100毫安

V

V

LO栅极驱动器

V

OLL

V

OHL

I

OHL

I

OLL

低电平输出电压

高电平输出电压

峰值灌电流

峰源电流

I

LO

= 160毫安

I

LO

= -100mA ，V

OHL

= V

DD

- V

LO

V

LO

= 0V

V

LO

= 12V

0.18

0.25

3

2

0.22

0.25

3

2

0.3

0.4

0.3

0.45

V

V

A

A

何栅极驱动器

V

OLH

V

OHH

I

OHH

I

OLH

低电平输出电压

高电平输出电压

峰值灌电流

峰源电流

低关断传播

延迟（LI下降到LO下降）

上关断传播

延迟（ HI下降到HO下降）

低导通传播

延迟（李瑞星LO瑞星）

上部导通传播

延迟（ HI瑞星何晟）

低关断传播

延迟（LI下降到LO下降）

上关断传播

延迟（ HI下降到HO下降）

低导通传播

延迟（李瑞星LO瑞星）

上部导通传播

延迟（ HI瑞星何晟）

延迟匹配：低导通

和上导通关

延迟匹配：低关断

和上开启

输出上升时间

输出下降时间

C

L

= 1000pF的

C

L

= 1000pF的

I

HO

= 160毫安

I

HO

= -100mA ，V

OHH

= V

HB

– V

HO

V

HO

= 0V

V

HO

= 12V

V

V

A

A

交换特定网络阳离子

t

LPHL

t

HPHL

t

LPLH

t

HPLH

t

LPHL

t

HPHL

t

LPLH

t

HPLH

t

MON

t

MOFF

t

RC

t

FC

(MIC4103)

(MIC4103)

(MIC4103)

(MIC4103)

(MIC4104)

(MIC4104)

(MIC4104)

(MIC4104)

24

24

24

24

24

24

24

24

3

3

10

6

45

45

45

45

45

45

45

45

8

10

8

10

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

2007年10月

4

M9999-100107-B

麦克雷尔

MIC4103/4104

符号

参数

条件

民

典型值

0.4

0.2

最大

0.6

0.8

0.3

0.4

50

单位

开关规格（续）

t

R

t

F

t

PW

t

BS

注意事项：

1.超过绝对最大额定值可能会损坏设备。

2.该设备是不能保证超出其工作的评价工作。

3.设备是ESD敏感。建议操作注意事项。人体模型， 1.5kΩ的串联100pF的。

4.特定网络阳离子只包装的产品。

5.相对于所有电压引脚7 ，V

SS

除非另有说明

6.通过设计保证。未经生产测试。

输出上升时间（ 3V至9V ）

输出下降时间（ 3V至9V ）

最小输入脉冲宽度

改变输出

自举二极管导通开或

打开-O FF时间

C

L

= 0.1F

C

L

= 0.1F

注6

s

s

ns

ns

10

2007年10月

5

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