【MMBT6589T1高电流表面山PNP硅开关晶体管在负荷管理便携式应用特点http://onsemi】,IC型号MMBT6589T1,MMBT6589T1 PDF资料,MMBT6589T1经销商,ic,电子元器件-51电子网

MMBT6589T1

高电流表面

山PNP硅

开关晶体管

在负荷管理

便携式应用

特点

http://onsemi.com

无铅包装是否可用

最大额定值

= 25°C)

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

集电极电流 - 峰值

静电放电

符号

首席执行官

CBO

EBO

ESD

最大

5.0

1.0

2.0

单位

VDC

ADC

30伏， 2.0安培

PNP晶体管

集热器

1, 2, 5

BASE

辐射源

HBM 3级

MM C级

热特性

特征

器件总耗散T

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总耗散T

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗

（单脉冲< 10秒）

结温和存储温度

范围

符号

（注1 ）

qJA

（注1 ）

（注2 ）

qJA

（注2 ）

Dsingle

（注2 ）

（注3）

, T

英镑

最大

540

4.4

230

925

7.4

135

1.3

单位

毫瓦/°C的

° C / W

毫瓦/°C的

° C / W

TSOP6

CASE 318G

风格7

标记图

G3 M

-55到+150

°C

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

3.参考：图8

G3 =具体设备守则

=日期代码*

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

订购信息

设备

MMBT6589T1

MMBT6589T1G

包

TSOP6

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年1月 - 第1版

出版订单号：

MMBT6589T1/D

MMBT6589T1

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极发射极击穿电压

= -10 MADC ，我

= 0)

集电极基极击穿电压

= -0.1 MADC ，我

= 0)

发射-Base击穿电压

= -0.1 MADC ，我

= 0)

收藏家Cuto FF电流

= -30伏直流，我

= 0)

集电极 - 发射极截止电流

CES

= -30伏直流）

发射Cuto FF电流

= -4.0 V直流）

基本特征

DC电流增益（注4）（图1）

= -1.0毫安，V

= 2.0 V)

= -500毫安，V

= 2.0 V)

= -1.0 A，V

= 2.0 V)

= 2.0 A，V

= 2.0 V)

集电极发射极饱和电压（注4 ）（图3 ）

= -0.5 A，I

= 0.05 A)

= -1.0 A，I

= 0.1 A)

= -2.0 A，I

= 0.2 A)

基地发射极饱和电压（注4 ）（图2 ）

= -1.0 A，I

= 0.1 A)

基地发射极导通电压（注4 ）

= -1.0 A，V

= 2.0 V)

截止频率

= -100毫安，V

= -5.0 V，F = 100兆赫）

输出电容（V

= -5.0 V，F = 1.0兆赫）

4.脉冲条件：脉冲宽度= 300

毫秒，

占空比

≤

100

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

BE（上）

100

科博

1.1

兆赫

1.2

0.25

0.30

0.65

300

（ BR ） CEO

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

5.0

CBO

CES

EBO

0.1

MADC

0.1

MADC

VDC

符号

民

最大

单位

http://onsemi.com

MMBT6589T1

200

= 2.0 V

^ h FE ， DC电流增益

150

230

210

190

170

150

130

110

0.001

0.01

0.1

1.0

55°C

25°C

125°C

= 1.0 V

100

1000

，集电极电流（ AMPS ）

，集电极电流（毫安）

图1.直流电流增益随

集电极电流

1.0

VBE （星期六），基极发射极饱和

电压（伏）

0.9

0.8

V，电压（V ）

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

1.0

CE （ SAT ）

100

1000

BE （ SAT ）

BE（上）

1.0

0.95

0.9

0.85

0.8

0.75

0.7

0.65

0.6

0.55

0.5

图2.直流电流增益随

集电极电流

= 10

= 100

0.001

0.01

0.1

1.0

，集电极电流（毫安）

，集电极电流（ AMPS ）

图3. “开”电压

图4.基极发射极饱和电压

与集电极电流

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.001

0.01

0.1

1.0

= 10

= 100

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

0.8

0.6

千毫安

0.4

百毫安

0.2

10毫安

0.01

50毫安

0.1

1.0

100

1000

，基极电流（毫安）

VCE （SAT），集电极 - 发射极饱和

电压（伏）

1.0

，集电极电流（ AMPS ）

图5.集电极发射极饱和电压

与集电极电流

图6.集电极发射极饱和电压

与集电极电流

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MMBT6589T1

IC ，集电极电流（ AMPS ）

1秒100毫秒10毫秒

1.0

0.1

1毫秒

100

0.01

单脉冲AT＆T

AMB

= 25°C

0.1

，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

100

图7.安全工作区

R（T ），归一化瞬态热阻

1.0

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

吨，时间（秒）

1.0

100

1000

图8.归热响应

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MMBT6589T1

包装尺寸

TSOP6

CASE 318G -02

ISSUE P

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

3.最大引线厚度包括对引线

涂层厚度。最低LEAD

厚度为最小厚度

基础材料。

4.尺寸A和B不包括

塑模毛边，突出物，或门

毛刺。

MILLIMETERS

喃

最大

1.00

1.10

0.06

0.10

0.38

0.50

0.18

0.26

3.00

3.10

1.50

1.70

0.95

1.05

0.40

0.60

2.75

3.00

10°

英寸

喃

0.039

0.002

0.014

0.007

0.118

0.059

0.037

0.016

0.108

0.05 (0.002)

暗淡

民

0.90

0.01

0.25

0.10

2.90

1.30

0.85

0.20

2.50

0°

民

0.035

0.001

0.010

0.004

0.114

0.051

0.034

0.008

0.099

0°

最大

0.043

0.004

0.020

0.010

0.122

0.067

0.041

0.024

0.118

10°

风格7 ：

PIN 1.集热器

2.收集

3. BASE

4， N / C

5.集热器

6.发射器

焊接足迹*

2.4

0.094

1.9

0.075

0.95

0.037

0.95

0.037

0.7

0.028

1.0

0.039

SCALE 10 ： 1

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

安森美半导体

和

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