2N3055A （ NPN ）
MJ15015 （ NPN ）
MJ15016 （ PNP ）
MJ15015和MJ15016的首选设备
其他芯片
大功率晶体管
这些PowerBaset互补型晶体管被设计为
高功率音响，步进电机等线性应用。这些
器件还可以在电源开关电路，如继电器或使用
螺线管驱动器，直流 - 直流转换器，逆变器，或电感性负载
需要更高的安全工作区比2N3055 。
特点
http://onsemi.com
电流增益 - 带宽 - 产品@我
C
= 1.0 ADC
f
T
= 0.8兆赫（最小值） - NPN
= 2.2兆赫（最小值） - PNP
安全工作区 - 额定电压为60 V和120 V ，分别
无铅包可用*
最大额定值
（注1 ）
等级
集电极 - 发射极电压
2N3055A
MJ15015 ， MJ15016
集电极 - 基极电压
2N3055A
MJ15015 ， MJ15016
集电极 - 发射极电压基
反向偏置
2N3055A
MJ15015 ， MJ15016
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
基极电流
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
2N3055A
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
MJ15015 ， MJ15016
工作和存储结
温度范围
T
J
, T
英镑
V
CEV
100
200
V
EBO
I
C
I
B
P
D
7.0
15
7.0
115
0.65
180
1.03
-65到+200
_C
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃，
V
CBO
100
200
VDC
符号
V
首席执行官
60
120
VDC
价值
单位
VDC
15安培
其他芯片
功率晶体管
60 ， 120伏 - 115 ， 180 WATTS
TO- 204AA （TO- 3）
案例1-07
风格1
标记DIAGRAMS
2N3055AG
AYWW
MEX
MJ1501xG
AYWW
MEX
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
QJC
最大
1.52
最大
0.98
单位
° C / W
2N3055A =器件代码
MJ1501x =器件代码
X = 5或6个
G
= Pb-Free包装
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
MEX
=原产地
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表示JEDEC注册的数据。 （ 2N3055A ）
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年4月 - 6牧师
出版订单号：
2N3055A/D
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2%.
3.表示JEDEC注册的数据。 （ 2N3055A ）
开关特性
（ 2N3055A只） （注3 ）
动态特性
（注3）
基本特征
（注2和3）
第二击穿
（注3）
开关特性
（注2 ）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
阻性负载
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 4.0 ADC ，我
B
= 400 MADC ）
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 3.3 ADC）
(I
C
= 15 ADC ，我
B
= 7.0 ADC）
直流电流增益
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 4.0伏）
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
（T = 0.5秒无重复）
2N3055A
MJ15015 ， MJ15016
(V
CE
= 60 VDC ）
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 7.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CEV
=额定值，V
BE （OFF）的
= 1.5伏，
T
C
= 150_C)
集电极截止电流（注3 ）
(V
CEV
=额定值，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，V
BE （OFF）的
= 0伏）
(V
CE
= 60 VDC ，V
BE （OFF）的
= 0伏）
集电极 - 发射极耐受电压（注3 ）
(I
C
= 200 MADC ，我
B
= 0)
2N3055A （ NPN ） ， MJ15015 （ NPN ） ， MJ15016 （ PNP ）
特征
(V
CC
= 30伏直流电，我
C
= 4.0 ADC ，
I
B1
= I
B2
= 0.4 ADC ，
t
p
= 25
ms
占空比
v
2%
http://onsemi.com
2N3055A ， MJ15015
MJ15016
2N3055A
MJ15015 ， MJ15016
2N3055A
MJ15015 ， MJ15016
2N3055A
MJ15015 ， MJ15016
2N3055A
MJ15015 ， MJ15016
2N3055A
MJ15015 ， MJ15016
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
首席执行官
I
EBO
I
CEV
I
CEV
C
ob
h
FE
I
S / B
f
T
t
d
t
s
t
r
t
f
1.95
3.0
民
60
120
10
20
5.0
0.8
2.2
0.7
60
最大
600
6.0
3.0
4.0
0.5
6.0
18
1.8
1.1
3.0
5.0
5.0
0.2
5.0
1.0
0.7
0.1
30
6.0
70
70
MADC
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
ADC
VDC
pF
ms
ms
ms
ms
2
2N3055A （ NPN ） ， MJ15015 （ NPN ） ， MJ15016 （ PNP ）
PD （ AV ） ，平均功耗（ W）
200
150
MJ15015
MJ15016
100
50
2N3055A
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
175
200
图1.功率降额
200
100
的hFE ， DC电流增益
70
50
30
20
10
7
5
3
2
V
CE
= 4.0 V
25°C
T
J
= 150°C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.8
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.005 0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
I
B
，基极电流（ AMP ）
1
2
5
I
C
= 1 A
4A
8A
T
J
= 25°C
55
°C
0.2
0.3 0.5 0.7 1
2
3
5
I
C
，集电极电流（ AMP ）
7
10
15
图2.直流电流增益
图3.集电极饱和区
3.5
3
V，电压（V ）
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0.2 0.3
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 4 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
20
T
C
= 25°C
带宽积（兆赫）
10
5.0
MJ15016
2.0
2N3055A
MJ15015
1.0
F T ，电流增益
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图4. “开”电压
图5.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
3
2N3055A （ NPN ） ， MJ15015 （ NPN ） ， MJ15016 （ PNP ）
10
7
5
3
T， TIME （
μ
s)
2
t
r
1
0.7
0.5
0.3
0.2
5 V
0.1
0.2
0.3
t
d
0.5 0.7 1
2
3
5
I
C
，集电极电流（ AMP ）
7
10 15
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CC
+30 V
7.5
W
30
W
11 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
1N6073
范围
25
ms
+13 V
0
图6.开关时间测试电路
（电路所示是NPN ）
图7.开启时间
10
7
5
2
0.1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
V
CC
= 30
I
C
/I
B
= 10
I
B
1 = I
B
2
T
J
= 25°C
0.2
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
7
10
15
t
f
t
s
C，电容（pF ）
3
T， TIME （
μ
s)
400
T
J
= 25°C
200
C
ib
2N3055A
MJ15015
MJ15016
100
50
30
20
1.0
2.0
C
ob
5.0
10
20
50
100 200
V
R
，反向电压（伏）
500 1000
图8.关断时间
图9.的电容
http://onsemi.com
4
2N3055A （ NPN ） ， MJ15015 （ NPN ） ， MJ15016 （ PNP ）
集电极截止区
NPN
10,000
V
CE
= 30 V
IC ，集电极电流（ A）
μ
IC ，集电极电流（ A）
μ
1000
100
T
J
= 150°C
10
100°C
1.0
0.1
0.01
+0.2
反向
25°C
+0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
BE
，基极发射极电压（伏）
0.5
0.001
0.2
0.1
+0.4
0
+0.1
+0.2
+0.3
V
BE
，基极发射极电压（伏）
+0.5
I
C
= I
CES
前锋
100
10
1.0
100°C
0.1
反向
0.01
25°C
I
C
= I
CES
前锋
T
J
= 150°C
1000
V
CE
= 30 V
PNP
图10. 2N3055A ， MJ15015
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
30
ms
10
100
ms
5
1毫秒
20
图11. MJ15016
0.1毫秒
10
5.0
1.0毫秒
2.0
1.0
0.5
100毫秒
2
焊线LIMIT
热极限@ T
C
= 25°C
（单脉冲）
第二击穿极限
100毫秒
dc
焊线LIMIT
热极限@ T
C
= 25°C
（单脉冲）
第二击穿极限
15
dc
120
1
10
20
60
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
0.2
20
30
60
100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图12.正向偏置安全工作区
2N3055A
图13.正向偏置安全工作区
MJ15015 ， MJ15016
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
订购信息
设备
2N3055A
2N3055AG
MJ15015
MJ15015G
MJ15016
MJ15016G
图12和图13的数据是基于T
C
= 25_C;
T
J（下PK）
是可变根据功率电平。第二
细数限额的有效期为占空比为10 ％，但
必须根据图1可以降额温度。
包
TO204
TO204
（无铅）
TO204
TO204
（无铅）
TO204
TO204
（无铅）
航运
100单位/托盘
100单位/托盘
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
