添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1189页 > MGF0911A
三菱半导体
\u003c砷化镓
FET \u003e
MGF0911A
L， S波段功率GaAs FET
描述
该MGF0911A ，砷化镓场效应管与N沟道肖特基栅极，是
专为UHF频段放大器。
外形绘图
17.5
1
单位：毫米
特点
A类操作
高输出功率
P
1dB
=41dBm(TYP)
高功率增益
G
LP
=11dB(TYP)
高功率附加效率
η
添加
=40%(TYP)
@2.3GHz,P
1dB
密封的金属陶瓷封装，陶瓷盖
@2.3GHz
2
1.0
@2.3GHz
2
3
2-R1.25
14.3
9.4
应用
UHF频段功率放大器
质量等级
IG
10.0
推荐的偏置条件
V
DS
=10V
I
D
=2.6A
RG = 50Ω
参考偏置程序
1
门
2
SOURCE （法兰）
GF-21
3
漏
绝对最大额定值
(T
a
=25C)
符号
V
GDO
V
GSO
I
D
I
GR
I
GF
P
T
T
ch
T
英镑
* 1 ：TC = 25C
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
评级
-15
-15
10
30
63
37.5
175
-65到+175
*1
单位
V
V
A
mA
mA
W
C
C
电气特性
(T
a
=25C)
符号
I
DSS
g
m
V
GS （ OFF ）
P
1dB
G
LP
η
添加
R
TH（ CH-C ）
参数
饱和漏极电流
跨
栅极到源截止电压
在1分贝增益输出功率
压缩
V
DS
=3V,V
GS
=0V
V
DS
=3V,I
D
=2.6A
V
DS
=3V,I
D
= 20mA下测试条件
民
–
–
-2
40
2.6A,f=2.3GHz
10
–
–
范围
典型值
–
3.0
–
41
11
40
–
最大
10
–
-5
–
–
–
4.0
单位
A
S
V
DBM
dB
%
° C / W
V
DS
=10V,I
D
线性功率增益
*2
功率附加效率P
1dB
热阻
*1
V
f
法
* 1 ：通道到外壳* 2 ： PIN = 25dBm的
三菱电机
June/2004
三菱半导体
\u003c砷化镓
FET \u003e
MGF0911A
L， S波段功率GaAs FET
典型特征
I
D
与V
GS
12
V
DS
=3V
T
a
=25C
12
V
GS
=-0.5V/Step
T
a
=25C
V
GS
=0V
8
8
I
D
与V
DS
4
4
0
-3
-2
-1
0
0
0
1
2
3
4
5
6
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
P
O
＆放大器;
ηadd
与P
in
(f=2.3GHz)
45
V
DS
=10V
I
D
=2.6A
G
p
= 11 10 9分贝
13
12
11
P
O
10
41
35
39
30
η
添加
25
0
20
25
30
35
50
40
30
20
10
0
37
40
20
G
LP
,P
1dB
, I
D
和
ηadd
与V
DS
(f=2.3GHz)
I
D
=2.6A
G
LP
40
P
1dB
η
添加
6
8
10
输入功率P
in
（ dBm的）
V
DS
(V)
三菱电机
June/2004
三菱半导体
\u003c砷化镓
FET \u003e
MGF0911A
L， S波段功率GaAs FET
S
11
,S
22
与F。
+j50
+j25
+j100
S
21
,S
12
与F。
+90
3.0GHz
+ 3.0GHz的J10
3.0GHz
S
22
0.5GHz
25
50
100
250
+j250
S
21
5
4
3
2
0.5GHz
1
0
3.0GHz
S
12
0
S
11
±180
0
0.5GHz
I
S
21
I
0.5GHz
-j10
-j250
0.1
-j25
-j50
-j100
T
a
=25C
V
DS
=10V
I
D
=2.6A
0.2
-90
的S参数
(Ta=25C,V
DS
=10V,I
D
=2.6A)
频率。
（千兆赫）
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
2.00
2.10
2.20
2.30
2.40
2.50
2.60
2.70
2.80
2.90
3.00
MAGN 。
0.986
0.985
0.984
0.983
0.982
0.981
0.980
0.979
0.978
0.976
0.975
0.974
0.973
0.972
0.971
0.970
0.969
0.968
0.967
0.966
0.965
0.965
0.964
0.963
0.962
0.961
S
11
角（度）
-167.3
-171.3
-174.3
-175.5
-172.1
-173.9
-175.3
-176.3
-176.9
-177.9
-178.2
-179.3
-179.8
179.5
178.6
176.7
175.9
175.1
174.1
173.1
172.3
171.2
170.2
168.7
167.6
166.3
MAGN 。
2.046
1.833
1.515
1.356
1.233
1.128
1.033
0.970
0.919
0.878
0.845
0.811
0.788
0.771
0.754
0.653
0.638
0.638
0.635
0.625
0.628
0.634
0.635
0.646
0.642
0.651
S
21
角（度）
91.2
87.9
86.1
83.6
84.0
81.1
79.7
77.8
75.8
73.6
71.6
69.4
67.8
65.8
64.1
63.1
60.9
59.0
56.3
54.2
52.3
51.3
48.9
46.3
44.0
41.0
MAGN 。
0.008
0.010
0.011
0.012
0.013
0.013
0.015
0.015
0.016
0.017
0.018
0.019
0.020
0.020
0.022
0.023
0.023
0.023
0.024
0.025
0.025
0.027
0.027
0.028
0.029
0.029
S
12
角（度）
44.1
44.2
44.6
44.9
45.3
45.8
46.4
46.8
47.0
47.3
47.6
48.0
48.4
48.9
49.2
49.6
49.9
50.4
50.7
51.0
51.2
51.6
51.9
52.3
52.5
52.7
MAGN 。
0.913
0.911
0.909
0.907
0.904
0.902
0.898
0.895
0.889
0.883
0.875
0.865
0.858
0.850
0.843
0.837
0.833
0.829
0.826
0.823
0.820
0.818
0.816
0.814
0.812
0.811
S
22
角（度）
-178.6
-179.9
178.6
178.2
177.7
176.6
175.7
176.6
176.0
175.6
175.2
175.0
174.6
173.6
173.4
172.6
174.1
173.6
172.9
171.0
170.3
168.8
167.1
165.7
164.6
162.7
K
0.515
0.567
0.583
0.675
0.683
0.713
0.736
0.785
0.815
0.835
0.900
0.951
0.989
1.011
1.050
1.149
1.170
1.221
1.242
1.256
1.267
1.292
1.315
1.327
1.366
1.412
MSG / MAG
（ dB）的
23.1
22.7
21.8
21.2
20.3
19.6
19.3
18.7
18.2
17.5
17.1
16.8
15.8
14.7
14.1
13.9
13.7
12.7
12.3
11.9
11.6
11.4
11.0
10.1
9.8
9.4
三菱电机
June/2004
三菱半导体<GaAs FET>
MGF0911A
L， S波段功率GaAs FET
请求关于安全设计
三菱电机不断努力提高其质量和可靠性的水平。尽管众志成城，
然而，会有B的场合，当我们的半导体产品遭受故障，故障或其他
e
问题。鉴于这一现实，它要求一切可行措施采取在追求冗余
设计，防止误动作的设计和其他安全相关的设计，以防止故障或故障我们
从造成的事故涉及人，火灾，社会损失或其他问题，从而维护产品
最高级别的安全产品在客户使用时。
使用这些材料时，重要的事项
1.这些材料被设计为参考材料，以确保所有的客户购买三菱电机
半导体最适合其特定用途的应用程序。请注意，但是，该技术
这些材料所含的信息不包括同意执行或使用知识产权
三菱电机公司拥有权或其他权利。
2.三菱电机不承担因使用产品数据，图表所造成的损害的责任，
表，程序，算法或在这些材料中描述的其它应用电路的例子，或者侵权
对此类使用所引起的第三方所有者的权利。
3，数据，图形，图表，程序，算法以及在这些材料中描述的所有其他信息都是当前
在这些材料的问题，与三菱电机保留进行任何必要的更新或向右
恕不另行通知更改这些材料的产品或规格。在购买之前，三菱
电子半导体产品，因此，请获得三菱电机最新的可用信息
直接或授权经销商。
4.已经尽了一切努力，以确保这些材料中描述的信息是完全准确的。
然而，三菱电机不对因内发生的不准确而造成的损失不承担任何责任
这些材料。
5.当使用的产品数据，技术内容上注明所描述的图形，图表，程序或算法
在这些材料中，评估不应仅限于所述的技术内容，程序和算法单元。
更确切地说，它是要求足够的评价进行每个单独的系统作为一个整体的，与客户
假设对应用程序的正当性决定负全部责任。三菱电机不接受
负责应用程序的正当性。
6.在这些材料中描述的，具有特别提到有关使用和可靠性的例外产品，有
在设计和使用在一般的电子机器的使用目的制造。因此，这些
产品没有被设计和应用中的机器或系统的目的制造的意志
的条件下使用，可以影响人类生活，或在机器或系统中的社会基础设施中使用该
要求的可靠性特别高的程度。当考虑使用这些描述的产品
材料运输机械（汽车，火车，船舶） ，对有关医疗的目标，
航空航天，核能控制，海底中继器或系统或其他专门的应用程序，详情请咨询
与三菱电机直接或授权经销商。
7.当考虑的目的不是在这些材料中描述的特定应用其他用途的产品，
请咨询三菱电机或授权经销商。
8.需要这些材料的任何转载或复制三菱电机的书面同意。
9.请直接有关这些材料，或任何其他意见或关注事项之进一步详情有任何疑问，
三菱电机或授权经销商。
三菱电机
June/2004
<高功率GaAs FET（小信号增益级） >
MGF0911A
L & S波段/ 12W
非 - 匹配
描述
该MGF0911A ，砷化镓场效应管与N沟道肖特基
门，是专为UHF频段放大器。
特点
A类操作
高输出功率
P1dB为41.0dBm = （ TYP 。 ） @ F = 2.3GHz的
高功率增益
GLP=11.0dB(TYP.)
@f=2.3GHz
高功率附加效率
P.A.E = 40 ％ （ TYP 。 ）
@f=2.3GHz,P1dB
密封的金属陶瓷封装，陶瓷盖
应用
对于UHF频段功率放大器
质量
IG
推荐的偏置条件
Vds=10V
Ids=2.6A
Rg=50
请参考偏置程序
(Ta=25C)
绝对最大额定值
符号
V
GDO
V
GSO
I
D
I
GR
I
GF
P
T*1
总胆固醇
TSTG
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
运河温度
储存温度
评级
-15
-15
10
-30
63
37.5
175
-65到+175
单位
V
V
A
mA
mA
W
C
C
* 1 ：TC = 25C
电气特性
符号
IDSS
gm
VGS （关闭）
P1dB
GLP
P.A.E.
RTH （ CH-C ） * 2
(Ta=25C)
参数
饱和漏极电流
跨
栅极到源截止电压
在1分贝增益压缩输出功率
测试条件
分钟。
VDS=3V,VGS=0V
VDS=3V,ID=2.6A
VDS=3V,ID=20mA
VDS = 10V ， ID（ RF关闭） = 2.6A
f=2.3GHz
-VF
法
-
-
-2
40
10
-
-
范围
典型值。
-
3
-
41
11
40
-
单位
马克斯。
10
-
-5
-
-
-
4.0
A
S
V
DBM
dB
%
° C / W
线性功率增益
功率附加效率
热阻
* 2：信道情况下的
出版日期： 2011年4月
1
<高功率GaAs FET（小信号增益级） >
MGF0911A
L & S波段/ 12W
非 - 匹配
MGF0911A典型特征
（大= 25deg.C ）
ID与VGS
ID与VDS
宝， PAE与引脚
(f=2.3GHz)
GLP ， P1dB为，身份证， PAE与VDS
(f=2.3GHz)
出版日期： 2011年4月
2
<高功率GaAs FET（小信号增益级） >
MGF0911A
L & S波段/ 12W
非 - 匹配
MGF0911A S参数
（大= 25deg.C ， VDS = 10 （ V） ， IDS = 2.6 （ a）条）
S11 ， S22与F
S21 ， S12与F
出版日期： 2011年4月
3
<高功率GaAs FET（小信号增益级） >
MGF0911A
L & S波段/ 12W
非 - 匹配
保持安全第一在你的电路设计！
三菱电机公司把最大的精力投入到制造半导体产品更好，更
可靠的，但总有麻烦可能会与他们发生的可能性。麻烦半导体
可能导致人身伤害，火灾或财产损失。记住要充分考虑到安全性时，给
让您的电路设计，配合适当的措施，如替代，辅助（一）配售
电路，（ⅱ）使用的针对任何故障或事故不燃材料或（iii）预防。
对于这些材料的注意事项
这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在三菱的选择
半导体产品最适合客户的应用;他们不构成对任何任何许可证
知识产权，或任何其他权利，属于三菱电机公司或第三方。
三菱电机公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并有可能
三菱电机株式会社，恕不另行通知更改由于产品改进或其他原因。它
因此，建议广大客户来电咨询三菱电机公司或其授权
在购买产品前，三菱半导体产品分销商了解最新的产品信息
本文列出的。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。三菱
电力公司不承担任何损害赔偿，法律责任概不负责，或由这些其他损失上升
不准确或错误。
另请注意公布的三菱电机公司通过各种方式的信息，
包括三菱半导体主页（ http://www.MitsubishiElectric.com/ ） 。
当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必使前评估的所有信息作为一个整体系统
有关的信息和产品的适用性作出最后决定。三菱电机公司承担
对于任何损害，责任或此处包含的信息所导致的其他损失不承担任何责任。
三菱电机株式会社半导体没有设计或在设备制造中使用或
系统，是在何种情况下人类的生活可能是危在旦夕使用。请联系
三菱电机公司或授权的三菱半导体产品分销商时，
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或系统中使用
交通，汽车，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
三菱电机公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或
在部分这些材料。
如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到比其他国家
经批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或法规的国家
被禁止的目的。
请与三菱电机公司或授权的三菱半导体产品分销商
对这些材料的详细信息或其中包含的产品。
2011三菱电机。版权所有。
出版日期： 2011年4月
4
三菱半导体
\u003c砷化镓
FET \u003e
MGF0911A
L， S波段功率GaAs FET
描述
该MGF0911A ，砷化镓场效应管与N沟道肖特基栅极，是
专为UHF频段放大器。
外形绘图
17.5
1
单位：毫米
特点
A类操作
高输出功率
P
1dB
=41dBm(TYP)
高功率增益
G
LP
=11dB(TYP)
高功率附加效率
η
添加
=40%(TYP)
@2.3GHz,P
1dB
密封的金属陶瓷封装，陶瓷盖
@2.3GHz
2
1.0
@2.3GHz
2
3
2-R1.25
14.3
9.4
应用
UHF频段功率放大器
质量等级
IG
10.0
推荐的偏置条件
V
DS
=10V
I
D
=2.6A
RG = 50Ω
参考偏置程序
1
门
2
SOURCE （法兰）
GF-21
3
漏
绝对最大额定值
(T
a
=25C)
符号
V
GDO
V
GSO
I
D
I
GR
I
GF
P
T
T
ch
T
英镑
* 1 ：TC = 25C
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
评级
-15
-15
10
30
63
37.5
175
-65到+175
*1
单位
V
V
A
mA
mA
W
C
C
电气特性
(T
a
=25C)
符号
I
DSS
g
m
V
GS （ OFF ）
P
1dB
G
LP
η
添加
R
TH（ CH-C ）
参数
饱和漏极电流
跨
栅极到源截止电压
在1分贝增益输出功率
压缩
V
DS
=3V,V
GS
=0V
V
DS
=3V,I
D
=2.6A
V
DS
=3V,I
D
= 20mA下测试条件
民
–
–
-2
40
2.6A,f=2.3GHz
10
–
–
范围
典型值
–
3.0
–
41
11
40
–
最大
10
–
-5
–
–
–
4.0
单位
A
S
V
DBM
dB
%
° C / W
V
DS
=10V,I
D
线性功率增益
*2
功率附加效率P
1dB
热阻
*1
V
f
法
* 1 ：通道到外壳* 2 ： PIN = 25dBm的
十一月'97
三菱半导体
\u003c砷化镓
FET \u003e
MGF0911A
L， S波段功率GaAs FET
典型特征
I
D
与V
GS
12
V
DS
=3V
T
a
=25C
12
V
GS
=-0.5V/Step
T
a
=25C
V
GS
=0V
8
8
I
D
与V
DS
4
4
0
-3
-2
-1
0
0
0
1
2
3
4
5
6
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
P
O
＆放大器;
ηadd
与P
in
(f=2.3GHz)
45
V
DS
=10V
I
D
=2.6A
G
p
= 11 10 9分贝
13
12
11
P
O
10
41
35
39
30
η
添加
25
0
20
25
30
35
50
40
30
20
10
0
37
40
20
G
LP
,P
1dB
, I
D
和
ηadd
与V
DS
(f=2.3GHz)
I
D
=2.6A
G
LP
40
P
1dB
η
添加
6
8
10
输入功率P
in
（ dBm的）
V
DS
(V)
十一月'97
三菱半导体
\u003c砷化镓
FET \u003e
MGF0911A
L， S波段功率GaAs FET
S
11
,S
22
与F。
+j50
+j25
+j100
S
21
,S
12
与F。
+90
3.0GHz
+ 3.0GHz的J10
3.0GHz
S
22
0.5GHz
25
50
100
250
+j250
S
21
5
4
3
2
0.5GHz
1
0
3.0GHz
S
12
0
S
11
±180
0
0.5GHz
I
S
21
I
0.5GHz
-j10
-j250
0.1
-j25
-j50
-j100
T
a
=25C
V
DS
=10V
I
D
=2.6A
0.2
-90
的S参数
(Ta=25C,V
DS
=10V,I
D
=2.6A)
频率。
（千兆赫）
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
2.00
2.10
2.20
2.30
2.40
2.50
2.60
2.70
2.80
2.90
3.00
MAGN 。
0.986
0.985
0.984
0.983
0.982
0.981
0.980
0.979
0.978
0.976
0.975
0.974
0.973
0.972
0.971
0.970
0.969
0.968
0.967
0.966
0.965
0.965
0.964
0.963
0.962
0.961
S
11
角（度）
-167.3
-171.3
-174.3
-175.5
-172.1
-173.9
-175.3
-176.3
-176.9
-177.9
-178.2
-179.3
-179.8
179.5
178.6
176.7
175.9
175.1
174.1
173.1
172.3
171.2
170.2
168.7
167.6
166.3
MAGN 。
2.046
1.833
1.515
1.356
1.233
1.128
1.033
0.970
0.919
0.878
0.845
0.811
0.788
0.771
0.754
0.653
0.638
0.638
0.635
0.625
0.628
0.634
0.635
0.646
0.642
0.651
S
21
角（度）
91.2
87.9
86.1
83.6
84.0
81.1
79.7
77.8
75.8
73.6
71.6
69.4
67.8
65.8
64.1
63.1
60.9
59.0
56.3
54.2
52.3
51.3
48.9
46.3
44.0
41.0
MAGN 。
0.008
0.010
0.011
0.012
0.013
0.013
0.015
0.015
0.016
0.017
0.018
0.019
0.020
0.020
0.022
0.023
0.023
0.023
0.024
0.025
0.025
0.027
0.027
0.028
0.029
0.029
S
12
角（度）
44.1
44.2
44.6
44.9
45.3
45.8
46.4
46.8
47.0
47.3
47.6
48.0
48.4
48.9
49.2
49.6
49.9
50.4
50.7
51.0
51.2
51.6
51.9
52.3
52.5
52.7
MAGN 。
0.913
0.911
0.909
0.907
0.904
0.902
0.898
0.895
0.889
0.883
0.875
0.865
0.858
0.850
0.843
0.837
0.833
0.829
0.826
0.823
0.820
0.818
0.816
0.814
0.812
0.811
S
22
角（度）
-178.6
-179.9
178.6
178.2
177.7
176.6
175.7
176.6
176.0
175.6
175.2
175.0
174.6
173.6
173.4
172.6
174.1
173.6
172.9
171.0
170.3
168.8
167.1
165.7
164.6
162.7
K
0.515
0.567
0.583
0.675
0.683
0.713
0.736
0.785
0.815
0.835
0.900
0.951
0.989
1.011
1.050
1.149
1.170
1.221
1.242
1.256
1.267
1.292
1.315
1.327
1.366
1.412
MSG / MAG
（ dB）的
23.1
22.7
21.8
21.2
20.3
19.6
19.3
18.7
18.2
17.5
17.1
16.8
15.8
14.7
14.1
13.9
13.7
12.7
12.3
11.9
11.6
11.4
11.0
10.1
9.8
9.4
十一月'97
查看更多MGF0911APDF信息
推荐型号
MI-P212-MYZ
MI-P5M1-MXA
MI-P6T2-IXA
MK60DN512ZCAB10R
MAX6402BS26-T
MI-P5YK-MYX
M295V100-T120XN1TR
MRBA-1-6SKGXPC
MP7641AS
MMSZ5259
MT8880CP-1
MAC224-10
M51366SP
M3488Q1
MLL3039B-1
M28C64-A30MS6T
MJ15016G
MC9S12E128CPV
MC7808BDTG
MAX9924UAUB
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MGF0911A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市航亿捷科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3771361442 复制

电话：0755-23609091
联系人：苏先生
地址：福田区华强广场C座8F
MGF0911A
MITSUBISHI/三菱
18+
154
TO-59
原装正品进口现货，高价回收电子库存13729230450
深圳市金嘉锐电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
MGF0911A
MITSUBI
25+
32560
高频管
【原装优势★★★绝对有货】
深圳市晶美隆科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885393495 复制

电话：0755-82865294/82517859
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
MGF0911A
MITSUBISHI/三菱
24+
1600
原厂进口
高频管原装进口正品现货供应，假一罚十。
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
MGF0911A
MITSUBISHI
19+
15000
十年专营，供应原装正品！热卖现货！
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MGF0911A
MITSUBISHI
24+
27200
GF-21
全新原装现货，原厂代理。
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
MGF0911A
MITSUBISHI
21+22+
27000
GF-21
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
MGF0911A
MITSUBISHI
10+
15
原装正品，支持实单
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
MGF0911A
MITSUBISHI
25+
120
模块
全新原装现货特价销售！
深圳市毅创腾电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2355507163 复制 点击这里给我发消息 QQ：2355507169 复制

电话：755-83210909 / 83616256
联系人：夏先生
地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室（亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)
MGF0911A
MITSUBISHI主营品牌
22+
1200
高频管
★正规进口原厂正品★绝对优势热卖★
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
MGF0911A
MITSUBISHI
2024
168
CAN/TO-3
原装现货上海库存，欢迎查询
查询更多MGF0911A供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！