MIC5060
超小型高边MOSFET驱动器
概述
该MIC5060 MOSFET驱动器是专为门控
N沟道增强模式,和功率MOSFET的
用作高侧或低侧开关。该MIC5060可
保持接通状态输出下去。
该MIC5060工作在2.75V至30V电源。在
高侧配置中,驱动器可控制MOSFET的
高达30V的那个交换机负载。在低端的配置,
有独立的电源,最大开关电压
仅由MOSFET的限制。
该MIC5060具有非反相, TTL兼容的控制
输入。
该MIC5060具有内部充电泵,可
维持比现有的电源栅极电压大于
电压。该驱动器能够打开一逻辑电平的
从2.75V电源或标准MOSFET场效应管
从一个5V电源。栅极 - 源极输出电压为
内部限制为约15V 。
该MIC5060是防止汽车负载突降,
颠倒电池,和-20V的感性负载峰值。
司机的过压关断功能关闭
外部MOSFET在35V左右,以保护负载
对电源游览。
该MIC5060是采用3mm x 3mm MLF可用
封装。
数据表和支持文档上可以找到
麦克雷尔公司的网站: www.micrel.com 。
特点
2.75V至30V的操作
最大100μA电源电流( 5V电源)
15μA典型的断态电流
内部电荷泵
TTL兼容的输入
可承受60V瞬态(抛负载)
电池反接保护, -20V
感性尖峰保护, -20V
在35V过压关断
内置15V栅极保护
最少的外部零件
工作在高侧或低侧配置
1μA的控制输入上拉脱
提供8引脚3mm x 3mm的MLF
包
应用
笔记本电脑电池的安全开关
UMPC和Web平板电脑电池保护
电池供电的计算机电源管理
一般MOSFET切换应用程序
电源总线开关
_________________________________________________________________________________________________________________________
典型用途
3V “睡眠模式”开关,逻辑电平MOSFET
MLF是Amkor Technology , Inc.的注册商标。
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞,加利福尼亚95131 USA 电话: +1 ( 408 ) 944-0800 传真:+ 1 ( 408 ) 474-1000
http://www.micrel.com
2010年2月
M9999-021610-C
麦克雷尔INC 。
MIC5060
订购信息
(1, 2)
产品型号
MIC5060YML
注意:
1.引脚1标识符号是“ ” 。
2. MLF是一个绿色RoHS兼容封装。牵头完成的镍钯金。模塑料不含卤素。
标识代码
MIC5060
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
CON组fi guration
非反相
包
8引脚3mm x 3mm的MLF
引脚配置
8引脚(3mm x 3mm的) MLF
( ML)的
顶视图
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6, 7, 8
引脚名称
V+
输入
来源
地
门
NC
引脚功能
供应。必须脱钩造成的功率MOSFET的瞬态大隔离
沥干。 10μF建议靠近引脚1和4 。
当高于(或低于)门限取( 1.0V典型值)的导通功率MOSFET 。销2
需要大约1μA切换。
连接到功率MOSFET的源极引脚,是回报门齐纳钳位。
3脚可以放心地摆动转弯时断感性负载到-20V 。
地面上。
驱动器和钳位功率MOSFET的栅极。
没有内部连接。
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麦克雷尔INC 。
MIC5060
绝对最大额定值
(1)
电源电压................................................ 。 -20V至40V
输入电压.......................................... -20V至V( + ) + 0.3V
源电压................................................ ... -20V至V +
源电流................................................ ............ 50毫安
栅极电压................................................ .... -20V至50V
引线温度(焊接, 10秒) ...................... 260℃
结温................................................ 150℃
存储温度( TS ) ............................- 65 ℃ 150℃
工作额定值
(2)
环境温度: ................................ -40 ° C至+ 85°C
电源电压(V + ) ........................................ 2.75V至30V
热阻结
MLF
(θ
JA
)..........................................................60°C/W
电气特性
(3)
T
J
= T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,除非另有规定。
参数
电源电流
条件
V+ = 30V
V+ = 5V
V+ = 3V
逻辑输入电压阈值V
IN
逻辑输入电流MIC5060
加强门
V
门
– V
供应
齐纳二极管钳位
V
门
– V
来源
栅极导通时间,t
ON
注5
2.75V
≤
V+
≤
30V
T
A
= 25°C
2.75V
≤
V+
≤
30V
3.0V
≤
V+
≤
30V
8.0V
≤
V+
≤
30V
V+ = 4.5V
CL = 1000pF的
V+ = 12V
C
L
= 1000pF的
栅极关断时间,t
关闭
注5
V+ = 4.5V
C
L
= 1000pF的
V+ = 12V
C
L
= 1000pF的
过压关断阈值
注意事项:
1.
2.
3.
4.
5.
超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
最小和最大的电气特性100 %,在T测试
A
= 25℃和T
A
= 85 ℃, 100 %保证在整个工作
温度范围。标准被表征,在25℃下,代表最可能的参数指标。
“断言”指的是一个逻辑高的MIC5060 。
测试条件反映最坏情况下的高边驱动器的性能。低端和自举的拓扑结构显著更快看到应用
信息。
分钟。
V
IN
撤除,注4
V
IN
断言,注4
V
IN
撤除,注4
V
IN
断言,注4
V
IN
撤除,注4
V
IN
断言,注4
数字低电平
数字高电平
V
IN
低
V
IN
高
V
IN
断言
V
IN
断言
V
IN
接通时,测量时间
对于V
门
到达V + + 4V
如上所述,测量时间为
V
门
到达V + + 4V
V
IN
关闭,测量时间
对于V
门
达到1V
如上所述,测量时间为
V
门
达到1V
35
3.0
13
2.0
-2.0
典型值。
10
5.0
10
60
10
25
马克斯。
25
10
25
100
25
35
0.8
单位
A
mA
A
A
A
A
V
A
0
1.0
2.0
17
15
2.5
90
6.0
6.0
37
17
8.0
140
30
30
41
A
V
V
ms
s
s
s
V
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