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MX28F640C3BT/B
64M - BIT [ 4M X16 ] CMOS单电压
3V ONLY FLASH MEMORY
特点
位组织： 4,194,304 ×16
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
- VCC = VCCQ = 2.7 3.6V
- 工作温度： -40 ° C 85°C
快速存取时间： 90 / 120ns的
低功耗
- 9毫安最活跃的读取电流， F = 5MHz时（ CMOS
INPUT）
- 21毫安程序擦除电流最大
(VPP=1.65~3.6V)
- 在节能7UA典型待机电流
模式
部门架构
- 扇区擦除（部门结构： 4Kword ×2 （启动
行业） ， 4Kword ×6 （参数扇区） ， 32Kword X
127 （参数扇区）
- 顶部/底部启动
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
自动暂停增强
- 字写暂停阅读
- 扇区擦除挂起到字写
- 扇区擦除挂起读取寄存器报告
自动扇区擦除，整片擦除，字写和
部门锁定/解锁配置
状态回复
- 检测编程和擦除操作完井
化。
- 命令的用户界面（ CUI）
- 状态寄存器（ SR ）
数据保护性能
- 包括引导扇区及参数和主要部门
是块/解锁
100000最小擦除/编程周期
通用闪存接口（ CFI ）
128位注册保护
- 64位的唯一设备标识符
- 64位用户可编程
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
包装类型：
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
概述
该MX28F640C3BT / B为64兆比特的闪存
内部组织为16位4M字。数据100万字
被布置在8 4Kword引导和参数扇区，
127 32Kword主要部门，独立地是
擦除。旺宏的快闪记忆体提供最具成本
有效和可靠的读/写非易失性随机AC-
塞斯内存。该MX28F640C3BT / B被包装在
48引脚TSOP 。它被设计成可重新编程和
删除系统或标准EPROM编程器。
标准MX28F640C3BT / B提供了存取时间为
高速微处理器的速度是为90ns ，使操作
处理机无需等待。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX28F640C3BT / B使用命令寄存器用以管理
年龄的增长这种功能。命令寄存器允许
100％的TTL电平的控制输入和固定电源
在保持的擦除和编程过程中的水平
最大的EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
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REV 。 0.0 ，三月17 ， 2004年
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MX28F640C3BT/B
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX28F640C3BT / B采用的是2.7V 3.6V的VCC
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
专用VPP引脚提供了完整的数据保护
当VPP< VPPLK 。
A命令的用户界面（ CUI）作为跨
系统处理器和内部操作之间脸
化设备。写一个有效的命令序列
崔启动设备的自动化。内部写
状态机（ WSM ）自动执行algo-
需要擦除rithms和时序，整片擦除，
字写和部门锁定/解锁配置操作
系统蒸发散。
扇区擦除操作将擦除设备的32K-之一
通常在1.0秒， 4K字的单词行业典型行业
在0.5S美云独立于其他部门。每节
器可独立擦除的最小100,000次。
扇区擦除暂停模式允许系统软件
暂停扇区擦除从任何其他读取或写入数据
部门。
写入存储器的数据以字为单位执行
在0.8S一般设备的32K字部门和
4K字部门内0.1S一般。 Word程序可持
挂起模式使系统能够读取的数据或执行
从任何其它存储器阵列的位置的代码。
个别部门MX28F640C3BT / B提供锁相
通过使用位39部门的联合荷兰国际集团锁相
位和WP ＃ ，锁定和解锁部门。
状态寄存器指示时， WSM的部门
擦除，整片擦除， Word程序或锁定的配置
化操作就完成了。
访问时间为90 / 120ns的（ tELQV ）在operat-
荷兰国际集团级温度范围（ -40 ° C至+ 80 ° C）和VCC电源
电压范围为2.7V的3.6V 。
MX28F640C3BT / B的省电模式功能的子
stantially降低有功电流时，该设备是在
静态模式（地址不切换） 。在这种模式下，
典型的ICCS电流7UA （ CMOS）在3.0V VCC 。
由于CE＃和RESET ＃是在VCC ， ICC CMOS待机
模式被启用。当RESET ＃是GND ，复位
模式被启用可大大降低功耗，
提供的数据写保护。
复位时间（ tPHQV ）从RESET ＃开关所需
荷兰国际集团之前，高输出是有效的。类似地，该装置具有
从RESET ＃唤醒时间（ tPHEL ） - 高，直到写到
崔的认可。与RESET ＃在GND时， WSM
复位和状态寄存器被清除。
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MX28F640C3BT/B
销刀豆网络gurations
48 TSOP （标准型） （12毫米X 20毫米）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A21
A20
WE＃
RESET＃
VPP
WP ＃
A19
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
VCCQ
GND
Q15
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q11
Q3
Q10
Q2
Q9
Q1
Q8
Q0
OE ＃
GND
CE＃
A0
MX28F640C3T/B
表1.引脚说明
符号
A0-A21
TYPE
输入
说明与功能
地址输入的内存地址。数据引脚悬空为高阻抗当芯片
取消或输出禁用。地址写入或擦除过程中被内部锁存
周期。
数据输入/输出：输入数组数据在第二CE ＃和WE ＃循环过程中的程序
命令。数据在内部锁存。输出阵列和配置数据。数据引脚悬空
到三态时，该芯片被去选择。
激活该设备的控制逻辑电路，输入缓冲器和读出放大器。 CE＃高德- SE-
脉冲编码存储装置，降低电耗，以备用电平。 CE＃为低电平有效。
复位深度掉电：当RESET ＃ = VIL ，设备处于复位/深度掉电
模式，它驱动输出高阻，复位WSM并最大限度地减少目前的水平。
当RESET＃ = VIH ，该装置是正常的操作。当RESET ＃转换设备
默认为读阵列模式。
写使能：控制写入崔和阵列领域。 WR ＃ = VIL变得活跃。数据
和地址锁存WE＃第二WE＃脉冲的上升沿。
编程/擦除电源： （ 1.65V 3.6V或11.4V 12.6V ）
低VPP<VPPLK ，以防止编程和擦除命令的任何内容。
设置VPP = VCC为在系统读取，编程和擦除操作。
提高VPP至12V ±5％为更快速编程和擦除在生产环境中。
输出使能：在一个真正的循环闸设备的输出。
写入保护功能：当WP＃为VIL ，引导区无法写入或擦除。当WP＃为
VIH ，锁定的引导区无法写入或擦除。可湿性粉剂不受影响参数和主
部门。
设备供电： （ 2.7V 3.6V ） 。
I / O电源：电源输入/输出缓冲器。
[ 2.7V 3.6V ]此输入应直接连接到VCC 。
接地电压：所有的GND引脚不得连接。
REV 。 0.0 ，三月17 ， 2004年
Q0- Q 15的输入/输出
CE＃
RESET＃
输入
输入
WE＃
VPP
输入
输入/电源
OE ＃
WP ＃
输入
输入
VCC
VCCQ
GND
P / N ： PM1084
供应
输入
供应
4
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