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三菱半导体砷化镓场效应管
MGF491xG系列
超低噪音的InGaAs HEMT
描述
该MGF491xG系列超低噪声HEMT （高电子
迁移率晶体管）被设计用于在L至Ku波段放大器。
该
密封
密封
金属陶瓷
包
保证
外形绘图
4.0±0.2
1.85±0.2
1
单位：毫米
minimumu寄生损失，并具有适合的结构
微带电路。
该MGF491 * G系列安装在超级12胶带。
0.5±0.15
特点
低噪声系数
@f=12GHz
MGF4916G ： NFmin = 0.80分贝（ MAX）
MGF4919G ： NFmin = 0.50分贝（ MAX）
关联度高增益
Gs=12.0dB(MIN.)
@f=12GHz
2
2
0.5±0.15
3
应用
L至Ku波段低噪声放大器。
1.8±0.2
质量等级
GG
1
门
2
来源
推荐的偏置条件
V
DS
=2V,I
D
=10mA
参考偏置程序
3
漏
GD-16
绝对最大额定值
(T
a
=25C)
符号
V
GDO
V
GSO
I
D
P
T
T
ch
T
英镑
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
评级
-4
-4
60
50
125
-65到+125
单位
V
V
mA
mW
C
C
电气特性
(T
a
=25C)
符号
V
（ BR ） GDO
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
gm
G
S
NFmin 。
参数
栅漏击穿电压
门源漏电流
饱和漏极电流
栅极到源截止电压
跨
相关的增益
最小噪声科幻gure
I
G
=-10A
V
GS
=-2V,V
DS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=2V
V
DS
=2V,I
D
=500A
V
DS
=2V,I
D
=10mA
V
DS
=2V,I
D
=10mA
f=12GHz
MGF4916G
MGF4919G
测试条件
民
-3
–
15
-0.1
–
12.0
–
–
范围
典型值
–
–
–
–
75
13.5
–
–
最大
–
50
60
-1.5
–
–
0.80
0.50
单位
V
A
mA
V
mS
dB
dB
dB
十一月'97
三菱半导体砷化镓场效应管
MGF491xG系列
超低噪音的InGaAs HEMT
典型特征
(Ta=25C)
I
D
与V
GS
50
T
a
=25C
V
DS
=2V
40
60
50
40
30
30
20
20
10
V
GS
=0V
I
D
与V
DS
T
a
=25C
V
GS
=-0.1V/STEP
10
0
-0.5
0
0
1
2
3
4
5
0
-1.0
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
NF & Gs的与我
D
(MGF4919G)
T
a
=25C
V
DS
=2V
f=12GHz
G
S
12
10
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0
5
10
15
20
25
NF
8
16
14
漏电流I
D
（MA ）
十一月'97
三菱半导体砷化镓场效应管
MGF491xG系列
超低噪音的InGaAs HEMT
的S参数
(Ta=25C,V
DS
=2V,I
D
=10mA)
频率。
（千兆赫）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
S11
MAG 。
0.990
0.967
0.925
0.874
0.831
0.783
0.743
0.706
0.682
0.670
0.639
0.617
0.591
0.571
0.565
0.560
0.533
0.484
角
-22.3
-40.6
-53.2
-70.9
-88.8
-105.7
-120.6
-132.1
-144.7
-159.1
-171.8
175.3
163.1
152.9
140.1
125.8
109.8
91.2
MAG 。
5.775
5.585
5.401
5.161
4.899
4.626
4.316
4.100
3.887
3.765
3.617
3.526
3.421
3.349
3.333
3.349
3.356
3.337
S21
角
158.1
140.6
128.9
111.8
96.8
80.8
67.9
56.4
43.2
30.1
17.5
4.5
-8.1
-17.4
-29.6
-44.4
-59.9
-77.0
MAG 。
0.020
0.035
0.051
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0.075
0.083
0.087
0.090
0.093
0.094
0.095
0.096
0.094
0.094
0.096
0.098
0.101
0.104
S12
角
71.9
61.8
53.3
42.4
29.3
19.0
9.1
4.1
-6.4
-14.3
-24.4
-33.5
-42.5
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-61.1
-74.1
-88.8
-105.1
MAG 。
0.533
0.514
0.489
0.457
0.424
0.391
0.369
0.357
0.357
0.351
0.339
0.329
0.328
0.328
0.343
0.351
0.337
0.310
S22
角
-19.2
-33.4
-42.9
-58.2
-71.6
-87.5
-100.6
-110.8
-122.3
-133.0
-143.5
-154.0
-163.9
-171.3
179.5
170.5
161.8
151.6
K
0.10
0.19
0.27
0.35
0.43
0.50
0.57
0.64
0.69
0.72
0.80
0.86
0.91
0.95
0.96
0.98
1.01
1.11
MSG / MAG
（ dB）的
28.8
26.5
24.3
21.6
19.8
18.1
16.8
15.9
15.1
14.7
14.0
13.5
13.0
12.7
12.7
12.7
12.5
12.1
噪声参数
(Ta=25C,V
DS
=2V,I
D
=10mA)
频率。
（千兆赫）
4
8
12
14
18
选择
MAGN 。
0.76
0.59
0.48
0.41
0.34
角（度）
49
95
139
166
-142
Rn
()
12.5
4.7
2.3
1.8
1.5
NFmin 。 （ dB）的
MGF4916G
MGF4919G
0.31
0.24
0.47
0.35
0.60
0.45
069
0.50
0.88
0.61
Gs
（ dB）的
18.3
15.9
13.5
12.3
9.9
十一月'97
三菱半导体砷化镓场效应管
MGF491xG系列
超低噪音的InGaAs HEMT
描述
该MGF491xG系列超低噪声HEMT （高电子
迁移率晶体管）被设计用于在L至Ku波段放大器。
该
密封
密封
金属陶瓷
包
保证
外形绘图
4.0±0.2
1.85±0.2
1
单位：毫米
minimumu寄生损失，并具有适合的结构
微带电路。
该MGF491 * G系列安装在超级12胶带。
0.5±0.15
特点
低噪声系数
@f=12GHz
MGF4916G ： NFmin = 0.80分贝（ MAX）
MGF4919G ： NFmin = 0.50分贝（ MAX）
关联度高增益
Gs=12.0dB(MIN.)
@f=12GHz
2
2
0.5±0.15
3
应用
L至Ku波段低噪声放大器。
1.8±0.2
质量等级
GG
1
门
2
来源
推荐的偏置条件
V
DS
=2V,I
D
=10mA
参考偏置程序
3
漏
GD-16
绝对最大额定值
(T
a
=25C)
符号
V
GDO
V
GSO
I
D
P
T
T
ch
T
英镑
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
评级
-4
-4
60
50
125
-65到+125
单位
V
V
mA
mW
C
C
电气特性
(T
a
=25C)
符号
V
（ BR ） GDO
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
gm
G
S
NFmin 。
参数
栅漏击穿电压
门源漏电流
饱和漏极电流
栅极到源截止电压
跨
相关的增益
最小噪声科幻gure
I
G
=-10A
V
GS
=-2V,V
DS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=2V
V
DS
=2V,I
D
=500A
V
DS
=2V,I
D
=10mA
V
DS
=2V,I
D
=10mA
f=12GHz
MGF4916G
MGF4919G
测试条件
民
-3
–
15
-0.1
–
12.0
–
–
范围
典型值
–
–
–
–
75
13.5
–
–
最大
–
50
60
-1.5
–
–
0.80
0.50
单位
V
A
mA
V
mS
dB
dB
dB
十一月'97
三菱半导体砷化镓场效应管
MGF491xG系列
超低噪音的InGaAs HEMT
典型特征
(Ta=25C)
I
D
与V
GS
50
T
a
=25C
V
DS
=2V
40
60
50
40
30
30
20
20
10
V
GS
=0V
I
D
与V
DS
T
a
=25C
V
GS
=-0.1V/STEP
10
0
-0.5
0
0
1
2
3
4
5
0
-1.0
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
NF & Gs的与我
D
(MGF4919G)
T
a
=25C
V
DS
=2V
f=12GHz
G
S
12
10
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0
5
10
15
20
25
NF
8
16
14
漏电流I
D
（MA ）
十一月'97
三菱半导体砷化镓场效应管
MGF491xG系列
超低噪音的InGaAs HEMT
的S参数
(Ta=25C,V
DS
=2V,I
D
=10mA)
频率。
（千兆赫）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
S11
MAG 。
0.990
0.967
0.925
0.874
0.831
0.783
0.743
0.706
0.682
0.670
0.639
0.617
0.591
0.571
0.565
0.560
0.533
0.484
角
-22.3
-40.6
-53.2
-70.9
-88.8
-105.7
-120.6
-132.1
-144.7
-159.1
-171.8
175.3
163.1
152.9
140.1
125.8
109.8
91.2
MAG 。
5.775
5.585
5.401
5.161
4.899
4.626
4.316
4.100
3.887
3.765
3.617
3.526
3.421
3.349
3.333
3.349
3.356
3.337
S21
角
158.1
140.6
128.9
111.8
96.8
80.8
67.9
56.4
43.2
30.1
17.5
4.5
-8.1
-17.4
-29.6
-44.4
-59.9
-77.0
MAG 。
0.020
0.035
0.051
0.064
0.075
0.083
0.087
0.090
0.093
0.094
0.095
0.096
0.094
0.094
0.096
0.098
0.101
0.104
S12
角
71.9
61.8
53.3
42.4
29.3
19.0
9.1
4.1
-6.4
-14.3
-24.4
-33.5
-42.5
-50.9
-61.1
-74.1
-88.8
-105.1
MAG 。
0.533
0.514
0.489
0.457
0.424
0.391
0.369
0.357
0.357
0.351
0.339
0.329
0.328
0.328
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0.351
0.337
0.310
S22
角
-19.2
-33.4
-42.9
-58.2
-71.6
-87.5
-100.6
-110.8
-122.3
-133.0
-143.5
-154.0
-163.9
-171.3
179.5
170.5
161.8
151.6
K
0.10
0.19
0.27
0.35
0.43
0.50
0.57
0.64
0.69
0.72
0.80
0.86
0.91
0.95
0.96
0.98
1.01
1.11
MSG / MAG
（ dB）的
28.8
26.5
24.3
21.6
19.8
18.1
16.8
15.9
15.1
14.7
14.0
13.5
13.0
12.7
12.7
12.7
12.5
12.1
噪声参数
(Ta=25C,V
DS
=2V,I
D
=10mA)
频率。
（千兆赫）
4
8
12
14
18
选择
MAGN 。
0.76
0.59
0.48
0.41
0.34
角（度）
49
95
139
166
-142
Rn
()
12.5
4.7
2.3
1.8
1.5
NFmin 。 （ dB）的
MGF4916G
MGF4919G
0.31
0.24
0.47
0.35
0.60
0.45
069
0.50
0.88
0.61
Gs
（ dB）的
18.3
15.9
13.5
12.3
9.9
十一月'97
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MAX771MJA
MCP6564T-E/SL
MR062A1R4JAT
MCP131T-195I/LB
M18SN6FF100Q
MAX6441UT_Q
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    MGF4919G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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电话：0755-22929859
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18+
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/
原装正品进口现货，高价回收电子库存13729230450
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电话：0755-83222787/23999932
联系人：林小姐 胡先生 张先生
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电话：0755-83223003
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