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MCP6561/1R/1U/2/4
1.8V低功率推挽输出比较器
特点
传播延迟在1.8V
DD
:
- 56纳秒(典型值)高至低
- 49纳秒(典型值)低到高
低静态电流: 100 μA (典型值)
输入失调电压: ± 3 mV(典型值)
轨到轨输入: V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
CMOS / TTL兼容输出
宽电源电压范围: 1.8V至5.5V
提供单,双和四
封装: SC70-5 , SOT- 23-5 , SOIC , MSOP ,
TSSOP
描述
该微芯科技公司MCP6561 / 1R / 1U / 2/4
的CMOS / TTL兼容比较家庭
在单,双和四配置提供。
这些比较器为低功耗1.8V优化,
单电源应用中使用大于轨到轨
输入操作。内部输入迟滞消除
输出开关由于内部输入噪声电压,
降低电流消耗。的推挽输出
MCP6561 / 1R / 1U / 2/4系列支持轨到轨输出
摆动,并与CMOS / TTL逻辑接口。输出
切换频率可以达到典型的为4 MHz (典型值)
同时限制电源电流浪涌和动态功耗
切换过程中的消耗。
这家家庭经营与1.8V的单电源电压
至5.5V ,同时绘制小于100 μA /比较器
静态电流(典型值) 。
典型应用
笔记本电脑
手机
手持式电子产品
RC定时器
报警与监控电路
窗口比较器
多谐振荡器
封装类型
MCP6561
SOT- 23-5 , SC70-5
OUT
1
V
SS
2
+ IN
3
MCP6562
SOIC , MSOP
8
V
DD
- +
+ -
5
V
DD
OUTA
1
-INA
2
4
-IN
7
OUTB
6
-INB
5
+ INB
+
-
设计工具
Microchip高级器件选型器( MAPS )
模拟演示和评估板
应用笔记
INA +
3
V
SS
4
MCP6561R
SOT-23-5
OUT
1
V
DD
2
+ IN
3
5
V
SS
+
-
MCP6564
SOIC , TSSOP
OUTA
1
-INA
2
INA +
3
V
DD
4
+ INB
5
- +
+ -
相关器件
开漏输出: MCP6566 / 6R / 6U / 7/9
14
OUTD
13
-Ind
12
+ IND
11
V
SS
10 + INC。
- +
+ -
4
-IN
典型用途
V
IN
V
DD
R
2
R
F
V
DD
V
OUT
MCP656X
MCP6561U
SOT-23-5
+
V
IN
+ 1
V
SS
2
V
IN
– 3
5 V
DD
4 OUT
-INB
6
OUTB
7
9
-INC
8
OUTC
R
3
2009年Microchip的科技公司
-
DS22139B第1页
MCP6561/1R/1U/2/4
注意事项:
DS22139B第2页
2009年Microchip的科技公司
MCP6561/1R/1U/2/4
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
V
DD
- V
SS
....................................................................... 6.5V
所有其他的输入和输出............ V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
- V
SS
|
输出短路电流.................................... ± 25毫安
在输入引脚电流.............................................. .... ± 2毫安
电流输出和电源引脚.......................... ± 50毫安
存储温度................................... -65C至+ 150C
环境温度。电源采用.............. -40 ° C至+ 125°C
结温................................................ ............ + 150°C
所有引脚的ESD保护( HBM / MM ) .................. ≥ 4千伏/ 300V
*注意:
条件超过上述最大额定在“上市
英格斯“,可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市,是不是暗示。曝光
绝对最大额定条件下长时间可能
影响器件的可靠性。
DC特性
电气特性:
除非另有说明: V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,T
A
= + 25 ° C,V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN
- = V
SS
,
R
L
= 10 kΩ到V
DD
/ 2 (见
图1-1) 。
参数
电源
电源电压
每个比较器的静态电流
电源抑制比
输入
输入失调电压
输入失调漂移
输入失调电流
输入偏置电流
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
I
OS
I
B
-10
输入电压滞后
输入滞后线性温度。公司
输入迟滞二次温度。
公司
共模输入电压
范围
共模抑制比
V
HYST
TC
1
TC
2
V
CMR
CMRR
1.0
V
SS
0.2
V
SS
0.3
54
50
54
共模输入阻抗
差分输入阻抗
推挽输出
高电平输出电压
低电平输出电压
短路电流
输出引脚电容
注1 :
2:
3:
V
OH
V
OL
I
SC
C
OUT
V
DD
0.7
±30
8
0.6
V
V
mA
pF
I
OUT
= -3毫安/ -8 mA的V
DD
= 1.8V/5.5V
(注3)
I
OUT
= 3毫安/ 8毫安与V
DD
= 1.8V/5.5V
(注3)
注3
Z
CM
Z
差异
V
DD
I
Q
PSRR
1.8
60
63
100
70
5.5
130
+10
5000
5.0
V
DD
+0.2
V
DD
+0.3
V
A
dB
mV
μV/°C
pA
pA
pA
pA
mV
μV/°C
μV/°C
2
V
V
dB
dB
dB
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 5.5V
V
CM
= -0.3V到V
DD
+0.3V, V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
DD
/ 2到V
DD
+0.3V, V
DD
= 5.5V
V
CM
= -0.3V到V
DD
/2, V
DD
= 5.5V
I
OUT
= 0
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
(注1 )
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
T
A
= + 25 ° C,V
IN
- = V
DD
/2
T
A
= + 85°C ,V
IN
- = V
DD
/2
T
A
= + 125°C ,V
IN
- = V
DD
/2
V
CM
= V
SS
(注1,2 )
符号
典型值
最大
单位
条件
±
3
±
2
±
1
1
60
1500
10
0.3
66
63
65
10
13
||4
10 ||2
13
输入偏移电压是输入参考跳变点的中心。输入滞后之间的区别
输入参考触发点。
V
HYST
在不同温度下使用V估计
HYST
(T
A
) = V
HYST @ + 25°C
+ (T
A
- 25 ° C) TC
1
+ (T
A
- 25°C)
2
TC
2
.
限制输出电流绝对最大额定值为50 mA 。
2009年Microchip的科技公司
DS22139B第3页
MCP6561/1R/1U/2/4
AC特性
电气特性:
除非另有说明: V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,T
A
= + 25 ° C,V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN
- = V
SS
,
R
L
= 10 kΩ到V
DD
/ 2,和C
L
= 25 pF的。 (见
图1-1) 。
参数
传播延迟
高到低, 100 mV过载
由低到高, 100 mV过载
SKEW
1
符号
t
PHL
t
PLH
t
PDS
t
R
t
F
f
TG
E
NI
典型值
56
34
49
47
±10
20
20
4
2
350
最大
80
80
80
80
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
V
P-P
条件
V
CM
= V
DD
/2, V
DD
= 1.8V
V
CM
= V
DD
/2, V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
DD
/2, V
DD
= 1.8V
V
CM
= V
DD
/2, V
DD
= 5.5V
产量
上升时间
下降时间
最大切换频率
输入电压噪声
注1 :
2:
2
V
DD
= 5.5V
V
DD
= 1.8V
10赫兹到10兆赫
传播延迟偏斜定义为:T
PDS
= t
PLH
- t
PHL
.
ENI是基于SPICE的模拟。
温度参数
电气特性:
除非另有说明: V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻, SC70-5
热阻, SOT- 23-5
热阻,8 - SOIC
热阻,8 - MSOP
热阻,14 - SOIC
热阻,14 - TSSOP
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
331
220.7
149.5
211
95.3
100
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
+125
+125
+150
°C
°C
°C
符号
典型值
最大
单位
条件
1.2
测试电路CON组fi guration
此测试电路配置用于确定所述
AC和DC规格。
V
DD
MCP656X
200 kΩ
I
OUT
200 kΩ
200 kΩ
V
IN
= V
SS
V
SS
= 0V
200 kΩ
V
OUT
25 pF的
图1-1:
交流和直流参数测试电路
推挽输出比较器。
DS22139B第4页
2009年Microchip的科技公司
MCP6561/1R/1U/2/4
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,T
A
= + 25 ° C,V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN-
= GND ,
R
L
= 10 kΩ到V
DD
/ 2,和C
L
= 25 pF的。
30%
分身( % )
V
DD
= 1.8V
V
CM
= V
SS
平均。 = -0.1毫伏
误标准差= 2.1毫伏
3588台
V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
SS
平均。 = -0.9毫伏
误标准差= 2.1毫伏
3588台
50%
分身( % )
40%
30%
20%
10%
0%
-10 -8
-6
-4
-2 0
2
V
OS
(毫伏)
4
6
8
10
25%
20%
15%
10%
5%
0%
1.0
V
DD
= 1.8V
平均。 = 3.4毫伏
误标准差= 0.2毫伏
3588台
V
DD
= 5.5V
平均。 = 3.6毫伏
误标准差= 0.1毫伏
3588台
1.5
2.0
2.5 3.0 3.5
V
HYST
(毫伏)
4.0
4.5
5.0
图2-1:
输入失调电压。
图2-4:
输入迟滞电压。
60%
分身( % )
分身( % )
50%
40%
30%
20%
10%
0%
-60 -48 -36 -24 -12 0 12 24
V
OS
漂移( μV / ° C)
36
48
60
V
CM
= V
SS
平均。 = 0.9 μV/°C
误标准差= 6.6 μV/°C
1380台
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
60%
50%
40%
30%
20%
10%
0%
0
2
4
8 10 12 14 16
V
HYST
漂移, TC1 ( μV / ° C)
6
18
20
1380台
T
A
= -40 ° C至125°C
V
CM
= V
SS
V
DD
= 5.5V
平均。 = 10.4 μV/°C
误标准差= 0.6 μV/°C
V
DD
= 1.8V
平均。 = 12 μV/°C
误标准差= 0.6 μV/°C
图2-2:
输入失调电压漂移。
图2-5:
输入电压滞后
漂移 - 线性温度。公司( TC1 ) 。
7.0
V
DD
= 5.5V
V
IN
+ = V
DD
/2
30%
分身( % )
V
DD
= 5.5V
V
DD
= 1.8V
2
2
6.0
5.0
V
OUT
(V)
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-1.0
时间( 3微秒/格)
V
IN
-
V
OUT
20%
平均。 = 0.25 μV/°C
误标准差= 0.1 μV/°C
2
平均。 = 0.3 μV/°C
误标准差= 0.2 μV/°C
2
10%
1380台
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
V
CM
= V
SS
0%
-0.50
-0.25
0.00
0.25
0.50
0.75
V
HYST
漂移, TC2 ( μV/°C
2
)
1.00
图2-3:
相位反转。
输入与输出信号,无
图2-6:
输入电压滞后
漂移 - 二次温度。公司( TC2 ) 。
2009年Microchip的科技公司
DS22139B第5页
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MCP6564T-E/SL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
MCP6564T-E/SL
Microchip(微芯)
23+
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881277219 复制

电话:0755-83514939
联系人:可乔
地址:深圳市福田区华强北1016号宝华大厦A809
MCP6564T-E/SL
Microchip Technology
22+
3000
14-SOIC
原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:800118233 复制
电话:0755-83051566
联系人:李小姐
地址:深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
MCP6564T-E/SL
MICROCHIP/微芯
22+
32570
14-SOIC
进口原装公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1274131982 复制 点击这里给我发消息 QQ:3470449835 复制

电话:0755-23306107
联系人:业务员
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园4栋
MCP6564T-E/SL
微芯
21+
19500
SOIC
原装正品欢迎询价
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电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
MCP6564T-E/SL
microchip
15421
23+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
MCP6564T-E/SL
MICROCHIP/微芯
22+
32570
14-SOIC
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MCP6564T-E/SL
Microchip Technology
24+
10000
14-SOIC
原厂一级代理,原装现货
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4885
14LSOIC
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23+
8000
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只做原装 正品现货
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电话:755-83616256 // 83210909
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