MCP6561/1R/1U/2/4
1.8V低功率推挽输出比较器
特点
传播延迟在1.8V
DD
:
- 56纳秒(典型值)高至低
- 49纳秒(典型值)低到高
低静态电流: 100 μA (典型值)
输入失调电压: ± 3 mV(典型值)
轨到轨输入: V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
CMOS / TTL兼容输出
宽电源电压范围: 1.8V至5.5V
提供单,双和四
封装: SC70-5 , SOT- 23-5 , SOIC , MSOP ,
TSSOP
描述
该微芯科技公司MCP6561 / 1R / 1U / 2/4
的CMOS / TTL兼容比较家庭
在单,双和四配置提供。
这些比较器为低功耗1.8V优化,
单电源应用中使用大于轨到轨
输入操作。内部输入迟滞消除
输出开关由于内部输入噪声电压,
降低电流消耗。的推挽输出
MCP6561 / 1R / 1U / 2/4系列支持轨到轨输出
摆动,并与CMOS / TTL逻辑接口。输出
切换频率可以达到典型的为4 MHz (典型值)
同时限制电源电流浪涌和动态功耗
切换过程中的消耗。
这家家庭经营与1.8V的单电源电压
至5.5V ,同时绘制小于100 μA /比较器
静态电流(典型值) 。
典型应用
笔记本电脑
手机
手持式电子产品
RC定时器
报警与监控电路
窗口比较器
多谐振荡器
封装类型
MCP6561
SOT- 23-5 , SC70-5
OUT
1
V
SS
2
+ IN
3
MCP6562
SOIC , MSOP
8
V
DD
- +
+ -
5
V
DD
OUTA
1
-INA
2
4
-IN
7
OUTB
6
-INB
5
+ INB
+
-
设计工具
Microchip高级器件选型器( MAPS )
模拟演示和评估板
应用笔记
INA +
3
V
SS
4
MCP6561R
SOT-23-5
OUT
1
V
DD
2
+ IN
3
5
V
SS
+
-
MCP6564
SOIC , TSSOP
OUTA
1
-INA
2
INA +
3
V
DD
4
+ INB
5
- +
+ -
相关器件
开漏输出: MCP6566 / 6R / 6U / 7/9
14
OUTD
13
-Ind
12
+ IND
11
V
SS
10 + INC。
- +
+ -
4
-IN
典型用途
V
IN
V
DD
R
2
R
F
V
DD
V
OUT
MCP656X
MCP6561U
SOT-23-5
+
V
IN
+ 1
V
SS
2
V
IN
– 3
5 V
DD
4 OUT
-INB
6
OUTB
7
9
-INC
8
OUTC
R
3
2009年Microchip的科技公司
-
DS22139B第1页
MCP6561/1R/1U/2/4
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
V
DD
- V
SS
....................................................................... 6.5V
所有其他的输入和输出............ V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
- V
SS
|
输出短路电流.................................... ± 25毫安
在输入引脚电流.............................................. .... ± 2毫安
电流输出和电源引脚.......................... ± 50毫安
存储温度................................... -65C至+ 150C
环境温度。电源采用.............. -40 ° C至+ 125°C
结温................................................ ............ + 150°C
所有引脚的ESD保护( HBM / MM ) .................. ≥ 4千伏/ 300V
*注意:
条件超过上述最大额定在“上市
英格斯“,可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市,是不是暗示。曝光
绝对最大额定条件下长时间可能
影响器件的可靠性。
DC特性
电气特性:
除非另有说明: V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,T
A
= + 25 ° C,V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN
- = V
SS
,
R
L
= 10 kΩ到V
DD
/ 2 (见
图1-1) 。
参数
电源
电源电压
每个比较器的静态电流
电源抑制比
输入
输入失调电压
输入失调漂移
输入失调电流
输入偏置电流
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
I
OS
I
B
-10
—
—
—
—
—
输入电压滞后
输入滞后线性温度。公司
输入迟滞二次温度。
公司
共模输入电压
范围
共模抑制比
V
HYST
TC
1
TC
2
V
CMR
CMRR
1.0
—
—
V
SS
0.2
V
SS
0.3
54
50
54
共模输入阻抗
差分输入阻抗
推挽输出
高电平输出电压
低电平输出电压
短路电流
输出引脚电容
注1 :
2:
3:
V
OH
V
OL
I
SC
C
OUT
V
DD
0.7
—
—
—
—
—
±30
8
—
0.6
—
—
V
V
mA
pF
I
OUT
= -3毫安/ -8 mA的V
DD
= 1.8V/5.5V
(注3)
I
OUT
= 3毫安/ 8毫安与V
DD
= 1.8V/5.5V
(注3)
注3
Z
CM
Z
差异
—
—
V
DD
I
Q
PSRR
1.8
60
63
—
100
70
5.5
130
—
+10
—
—
—
—
5000
5.0
—
—
V
DD
+0.2
V
DD
+0.3
—
—
—
—
—
V
A
dB
mV
μV/°C
pA
pA
pA
pA
mV
μV/°C
μV/°C
2
V
V
dB
dB
dB
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 5.5V
V
CM
= -0.3V到V
DD
+0.3V, V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
DD
/ 2到V
DD
+0.3V, V
DD
= 5.5V
V
CM
= -0.3V到V
DD
/2, V
DD
= 5.5V
I
OUT
= 0
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
(注1 )
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
T
A
= + 25 ° C,V
IN
- = V
DD
/2
T
A
= + 85°C ,V
IN
- = V
DD
/2
T
A
= + 125°C ,V
IN
- = V
DD
/2
V
CM
= V
SS
(注1,2 )
符号
民
典型值
最大
单位
条件
±
3
±
2
±
1
1
60
1500
—
10
0.3
—
—
66
63
65
10
13
||4
10 ||2
13
输入偏移电压是输入参考跳变点的中心。输入滞后之间的区别
输入参考触发点。
V
HYST
在不同温度下使用V估计
HYST
(T
A
) = V
HYST @ + 25°C
+ (T
A
- 25 ° C) TC
1
+ (T
A
- 25°C)
2
TC
2
.
限制输出电流绝对最大额定值为50 mA 。
2009年Microchip的科技公司
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MCP6561/1R/1U/2/4
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,T
A
= + 25 ° C,V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN-
= GND ,
R
L
= 10 kΩ到V
DD
/ 2,和C
L
= 25 pF的。
30%
分身( % )
V
DD
= 1.8V
V
CM
= V
SS
平均。 = -0.1毫伏
误标准差= 2.1毫伏
3588台
V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
SS
平均。 = -0.9毫伏
误标准差= 2.1毫伏
3588台
50%
分身( % )
40%
30%
20%
10%
0%
-10 -8
-6
-4
-2 0
2
V
OS
(毫伏)
4
6
8
10
25%
20%
15%
10%
5%
0%
1.0
V
DD
= 1.8V
平均。 = 3.4毫伏
误标准差= 0.2毫伏
3588台
V
DD
= 5.5V
平均。 = 3.6毫伏
误标准差= 0.1毫伏
3588台
1.5
2.0
2.5 3.0 3.5
V
HYST
(毫伏)
4.0
4.5
5.0
图2-1:
输入失调电压。
图2-4:
输入迟滞电压。
60%
分身( % )
分身( % )
50%
40%
30%
20%
10%
0%
-60 -48 -36 -24 -12 0 12 24
V
OS
漂移( μV / ° C)
36
48
60
V
CM
= V
SS
平均。 = 0.9 μV/°C
误标准差= 6.6 μV/°C
1380台
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
60%
50%
40%
30%
20%
10%
0%
0
2
4
8 10 12 14 16
V
HYST
漂移, TC1 ( μV / ° C)
6
18
20
1380台
T
A
= -40 ° C至125°C
V
CM
= V
SS
V
DD
= 5.5V
平均。 = 10.4 μV/°C
误标准差= 0.6 μV/°C
V
DD
= 1.8V
平均。 = 12 μV/°C
误标准差= 0.6 μV/°C
图2-2:
输入失调电压漂移。
图2-5:
输入电压滞后
漂移 - 线性温度。公司( TC1 ) 。
7.0
V
DD
= 5.5V
V
IN
+ = V
DD
/2
30%
分身( % )
V
DD
= 5.5V
V
DD
= 1.8V
2
2
6.0
5.0
V
OUT
(V)
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-1.0
时间( 3微秒/格)
V
IN
-
V
OUT
20%
平均。 = 0.25 μV/°C
误标准差= 0.1 μV/°C
2
平均。 = 0.3 μV/°C
误标准差= 0.2 μV/°C
2
10%
1380台
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
V
CM
= V
SS
0%
-0.50
-0.25
0.00
0.25
0.50
0.75
V
HYST
漂移, TC2 ( μV/°C
2
)
1.00
图2-3:
相位反转。
输入与输出信号,无
图2-6:
输入电压滞后
漂移 - 二次温度。公司( TC2 ) 。
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