MCP3201
2.7V 12位A / D转换器，带有SPI串行接口
特点
12位分辨率
± 1 LSB DNL最大值
± 1 LSB（最大值） INL （ MCP3201 -B ）
± 2 LSB INL最大值（ MCP3201 -C ）
片上采样和保持
SPI串行接口（模式0,0和1,1）的
单电源供电： 2.7V - 5.5V
最大100 ksps的采样速率在V
DD
= 5V
最大50 ksps的采样速率在V
DD
= 2.7V
低功耗CMOS技术
500 nA的典型待机电流2 μA最大
在5V最大400 μA工作电流
工业级温度范围： -40°C至+ 85°C
8引脚MSOP ， PDIP ， SOIC和TSSOP封装
描述
Microchip的MCP3201器件是
逐次逼近12位模拟 - 数字
（ A / D）转换器，具有片上采样和保持
电路。该器件提供一个伪differen-
TiAl基输入。微分非线性（ DNL ）在指定
± 1 LSB和积分非线性（ INL）为在
± 1 LSB （ MCP3201 -B ）和± 2 LSB （ MCP3201 -C ）
版本。使用与设备进行通信时
一个简单的串行接口与SPI兼容
协议。该装置能够最多的采样速率的
100 ksps的以1.6 MHz的时钟速率。在MCP3201
器件工作在较宽的电压范围（ 2.7V -
5.5V ） 。低电流设计，允许与操作
典型待机只有500 nA的有源电流和
300 μA ，分别。该器件采用8引脚
MSOP ， PDIP ， TSSOP和150 mil SOIC封装形式。
应用
传感器接口
过程控制
数据采集
电池供电系统
封装类型
MSOP ， PDIP ， SOIC ， TSSOP
V
REF
IN +
1
MCP3201
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
CLK
D
OUT
CS / SHDN
功能框图
V
REF
V
DD
V
SS
IN-
V
SS
DAC
比较
IN +
IN-
样品
和
HOLD
控制逻辑
12位SAR
移
注册
CS / SHDN
CLK
D
OUT
2008 Microchip的技术公司
DS21290E第1页
MCP3201
1.0
1.1
电动
特征
最大Ratings
V
DD
...................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
................ -0.6V到V
DD
+0.6V
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用................- 65 ° C至+ 125°C
所有引脚（ HBM ） ............... > 4 kV ESD保护
注意：
上面讲的那些最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
电气特性
电气连接特定的阳离子：
所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
REF
= 5V ，T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C，F
样品
= 100 ksps的，并
FCLK = 16 * F
样品
中，除非另有说明。
参数
转换率：
转换时间
模拟输入采样时间
吞吐率
DC精度：
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
增益误差
动态性能：
总谐波失真
信噪比和失真
（ SINAD ）
无杂散动态范围
参考输入：
电压范围
漏电流
模拟输入：
输入电压范围（ + ）
输入电压范围（ IN- ）
漏电流
开关导通电阻
采样电容
数字输入/输出：
数据编码格式
高电平输入电压
低电平输入电压
注1 ：
2:
3:
V
IH
V
IL
0.7 V
DD
—
直接二进制
—
—
—
0.3 V
DD
V
V
R
SS
C
样品
IN +
IN-
IN-
V
SS
-100
—
—
—
0.001
1K
20
—
V
REF
+ IN-
V
SS
+100
±1
—
—
V
mV
A
W
pF
SEE
图4-1
SEE
图4-1
0.25
—
—
—
100
.001
V
DD
150
3
V
A
A
注2
CS = V
DD
= 5V
THD
SINAD
SFDR
—
—
—
-82
72
86
—
—
—
dB
dB
dB
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
INL
DNL
—
—
—
—
—
12
±0.75
±1
±0.5
±1.25
±1.25
±1
±2
±1
±3
±5
位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
MCP3201-B
MCP3201-C
无漏失码
温度
t
CONV
t
样品
f
样品
—
—
—
1.5
—
100
50
12
时钟
周期
时钟
周期
kSPS时
kSPS时
V
DD
= V
REF
= 5V
V
DD
= V
REF
= 2.7V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
请参阅相关的线性度性能， V曲线
REF
的水平。
因为采样电容终将释放电荷，因此低于10 kHz的有效时钟速率可能影响线性性能，
特别是在升高的温度。看
第6.2节“保持最小时钟速率”
了解更多信息。
2008 Microchip的技术公司
DS21290E第3页
MCP3201
电气特性（续）
电气连接特定的阳离子：
所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
REF
= 5V ，T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C，F
样品
= 100 ksps的，并
FCLK = 16 * F
样品
中，除非另有说明。
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
时序参数：
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
CS下降至第一个CLK上升沿
CLK下降到输出数据有效
CLK下降到输出使能
CS上升到输出禁止
CS禁用时间
D
OUT
上升时间
D
OUT
下降时间
电源要求：
工作电压
工作电流
待机电流
注1 ：
2:
3:
V
DD
I
DD
I
DDS
2.7
—
—
—
—
300
210
0.5
5.5
400
—
2
V
A
A
A
V
DD
= 5.0V ，D
OUT
卸载
V
DD
= 2.7V ，D
OUT
卸载
CS = V
DD
= 5.0V
f
CLK
t
HI
t
LO
t
SUCS
t
DO
t
EN
t
DIS
t
CSH
t
R
t
F
—
—
312
312
100
—
—
—
625
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.6
0.8
—
—
—
200
200
100
—
100
100
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
见测试电路，
图1-2
（注1 ）
见测试电路，
图1-2
（注1 ）
见测试电路，
图1-2
见测试电路，
图1-2
见测试电路，
图1-2
（注1 ）
V
DD
= 5V
（注3）
V
DD
= 2.7V
（注3）
符号
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
, C
OUT
民
4.1
—
-10
-10
—
典型值
—
—
—
—
—
最大
—
0.4
10
10
10
单位
V
V
A
A
pF
条件
I
OH
= -1毫安，V
DD
= 4.5V
I
OL
= 1毫安， V
DD
= 4.5V
V
IN
= V
SS
或V
DD
V
OUT
= V
SS
或V
DD
V
DD
= 5.0V
（注1 ）
T
A
= + 25 ° C，F = 1兆赫
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
请参阅相关的线性度性能， V曲线
REF
的水平。
因为采样电容终将释放电荷，因此低于10 kHz的有效时钟速率可能影响线性性能，
特别是在升高的温度。看
第6.2节“保持最小时钟速率”
了解更多信息。
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻，8 - MSOP
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - TSSOP
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
211
89.5
149.5
139
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+85
+85
+150
°C
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
DS21290E第4页
2008 Microchip的技术公司
QQ：2881677436 复制
