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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2919页 > MJE700T
高直流电流增益 -
的hFE = 2000 （典型值） @ IC = 2.0 ADC
整体结构与内置基射极电阻器，以限制泄漏
乘法
套餐的选择 -
MJE700和MJE800系列
T0220AB ， MJE700T和MJE800T
。 。 。设计用于通用放大器和低速开关应用。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
晶体管
互补硅功率
塑料达林顿
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
REV 3
PD ，功耗（瓦）
热阻，结到外壳
CASE 77
TO–220
工作和存储结
温度范围
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
10
20
40
50
30
0
25
50
TO–126
图1.功率降额
TC ，外壳温度（ ° C）
TO–220AB
75
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
IC
IB
符号
R
θJC
100
MJE700,T
MJE800,T
CASE 77
40
0.32
60
60
- 55至+ 150
125
0.1
4.0
5.0
3.13
2.50
最大
MJE702
MJE703
MJE802
MJE803
TO–220
50
0.40
80
80
150
瓦
W/
_
C
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
4.0安培
达林顿
功率晶体管
补充
硅
40瓦
50 WATT
MJE800,T
MJE700,T
MJE803
MJE802
MJE703
MJE702
CASE 77-08
TO- 225AA型
MJE700 - 703
MJE800 - 803
CASE 221A -06
TO–220AB
MJE700T
MJE800T
订购此文件
通过MJE700 / D
NPN
PNP
1
T， TIME （
s)
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
MJE700 ，T MJE702 MJE703 MJE800 ，T MJE802 MJE803
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
60
80
—
—
—
—
—
最大
—
—
单位
VDC
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 0 ）
MJE700 ，T ， MJE800 ，T
MJE702 ， MJE703 ， MJE802 ， MJE803
V（ BR ） CEO
ICEO
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
MJE700 ，T ， MJE800 ，T
（ VCE = 80伏直流电， IB = 0 ）
MJE702 ， MJE703 ， MJE802 ， MJE803
集电极截止电流（ VCB =额定BVCEO ， IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB =额定BVCEO ， IE = 0 ， TC = 100
_
C)
发射极截止电流（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
直流电流增益（ 1 ）
（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 4.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
μAdc
100
100
100
500
2.0
ICBO
IEBO
的hFE
μAdc
MADC
—
基本特征
MJE700 ，T ， MJE702 ， MJE800 ，T ， MJE802
MJE703 ， MJE803
所有器件
750
750
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 1.5 ADC ， IB = 30 MADC ）
（ IC = 2.0 ADC ， IB = 40 MADC ）
（ IC = 4.0 ADC ， IB = 40 MADC ）
基射极电压上（ 1 ）
（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 4.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
动态特性
VCE （ SAT ）
VDC
MJE700 ，T ， MJE702 ， MJE800 ，T ， MJE802
MJE703 ， MJE803
所有器件
2.5
2.8
3.0
2.5
2.5
3.0
—
VBE （ON）的
VDC
MJE700 ，T ， MJE702 ， MJE800 ，T ， MJE802
MJE703 ， MJE803
所有器件
小信号电流增益（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0兆赫）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
的hFE
1.0
—
4.0
RB & RC变化，以获得所需的电流水平
D1 ，必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
V2
约
+ 8.0 V
0
V1
约
–12 V
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
RB
VCC
– 30 V
ts
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
RC
TUT
2.0
范围
tf
1.0
0.8
0.6
0.4
PNP
NPN
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
tr
D1
≈
6.0 k
≈
150
+ 4.0 V
25
s
对于TD和TR ， D1 ID断开
和V2 = 0 ，R B和R C是变化
以获得所需的测试电流。
对于NPN测试电路，反向二极管，
极性和输入脉冲。
TD @ VBE （关闭） = 0
0.2
0.04 0.06
图2.开关时间测试电路
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.02
0.05
0.01
单脉冲
0.1
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
图3.开关时间
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 2.50 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
P（ PK）
t2
占空比D = T1 / T2
100
200
500
1.0 k
t1
图4.热响应（ MJE700T ， 800T系列）
2
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJE700 ，T MJE702 MJE703 MJE800 ，T MJE802 MJE803
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
单脉冲
θ
JC （ T） = R（T ）
θ
JC
θ
JC = 3.12 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK）
θ
JC （T ）
P（ PK）
t2
占空比D = T1 / T2
t1
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1000
图5.热响应（ MJE700 ， 800系列）
有源区的安全工作区
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
5.0毫秒
1.0毫秒
100
s
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
5.0毫秒
1.0毫秒
100
s
IC ，集电极电流（ AMP ）
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
MJE702 ， 703
MJE700
7.0
10
20
30
50
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
IC ，集电极电流（ AMP ）
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
MJE802 ， 803
MJE800
7.0
10
20
30
50
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图6. MJE700系列
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图7. MJE800系列
图6和图7的数据是基于TJ （峰） = 150
_
C;
TC是可变根据条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比为10 ％，提供的TJ （ PK）
＆ LT ; 150
_
C. TJ （ pk）的可从数据在图4中计算出的
或5.在高温度的情况下，热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
10
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
100
s
1.0毫秒
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
5.0
100
s
1.0毫秒
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
0.2
0.1
5.0
0.2
0.1
5.0
7.0
10
20
30
50
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
7.0
10
20
30
50
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图8. MJE700T
图9. MJE800T
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJE700 ，T MJE702 MJE703 MJE800 ，T MJE802 MJE803
PNP
MJE700 ，T系列
6.0 k
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
2.0 k
– 55°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
TJ = 125°C
25°C
VCE = 3.0 V
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
2.0 k
6.0 k
TJ = 125°C
NPN
MJE800 ，T系列
VCE = 3.0 V
25°C
– 55°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
0.1
0.4 0.6
1.0
0.2
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
0.1
0.4 0.6
1.0
0.2
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图10.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TJ = 25°C
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
IC =
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.4
3.4
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
IC =
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
TJ = 25°C
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
IB ，基极电流（毫安）
IB ，基极电流（毫安）
图11.集电极饱和区
2.2
TJ = 25°C
1.8
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
V，电压（V ）
2.2
TJ = 25°C
1.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
1.4
VBE @ VCE = 3.0 V
1.4
VBE @ VCE = 3.0 V
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
0.6
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
0.6
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图12. “开”电压
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJE700 ，T MJE702 MJE703 MJE800 ，T MJE802 MJE803
包装尺寸
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.055
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
–––
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.39
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
–––
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-08
TO- 225AA型
ISSUE V
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
高直流电流增益 -
的hFE = 2000 （典型值） @ IC = 2.0 ADC
整体结构与内置基射极电阻器，以限制泄漏
乘法
套餐的选择 -
MJE700和MJE800系列
T0220AB ， MJE700T和MJE800T
。 。 。设计用于通用放大器和低速开关应用。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
晶体管
互补硅功率
塑料达林顿
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
REV 3
PD ，功耗（瓦）
热阻，结到外壳
CASE 77
TO–220
工作和存储结
温度范围
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
10
20
40
50
30
0
25
50
TO–126
图1.功率降额
TC ，外壳温度（ ° C）
TO–220AB
75
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
IC
IB
符号
R
θJC
100
MJE700,T
MJE800,T
CASE 77
40
0.32
60
60
- 55至+ 150
125
0.1
4.0
5.0
3.13
2.50
最大
MJE702
MJE703
MJE802
MJE803
TO–220
50
0.40
80
80
150
瓦
W/
_
C
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
4.0安培
达林顿
功率晶体管
补充
硅
40瓦
50 WATT
MJE800,T
MJE700,T
MJE803
MJE802
MJE703
MJE702
CASE 77-08
TO- 225AA型
MJE700 - 703
MJE800 - 803
CASE 221A -06
TO–220AB
MJE700T
MJE800T
订购此文件
通过MJE700 / D
NPN
PNP
1
T， TIME （
s)
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
MJE700 ，T MJE702 MJE703 MJE800 ，T MJE802 MJE803
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
60
80
—
—
—
—
—
最大
—
—
单位
VDC
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 0 ）
MJE700 ，T ， MJE800 ，T
MJE702 ， MJE703 ， MJE802 ， MJE803
V（ BR ） CEO
ICEO
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
MJE700 ，T ， MJE800 ，T
（ VCE = 80伏直流电， IB = 0 ）
MJE702 ， MJE703 ， MJE802 ， MJE803
集电极截止电流（ VCB =额定BVCEO ， IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB =额定BVCEO ， IE = 0 ， TC = 100
_
C)
发射极截止电流（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
直流电流增益（ 1 ）
（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 4.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
μAdc
100
100
100
500
2.0
ICBO
IEBO
的hFE
μAdc
MADC
—
基本特征
MJE700 ，T ， MJE702 ， MJE800 ，T ， MJE802
MJE703 ， MJE803
所有器件
750
750
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 1.5 ADC ， IB = 30 MADC ）
（ IC = 2.0 ADC ， IB = 40 MADC ）
（ IC = 4.0 ADC ， IB = 40 MADC ）
基射极电压上（ 1 ）
（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 4.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
动态特性
VCE （ SAT ）
VDC
MJE700 ，T ， MJE702 ， MJE800 ，T ， MJE802
MJE703 ， MJE803
所有器件
2.5
2.8
3.0
2.5
2.5
3.0
—
VBE （ON）的
VDC
MJE700 ，T ， MJE702 ， MJE800 ，T ， MJE802
MJE703 ， MJE803
所有器件
小信号电流增益（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0兆赫）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
的hFE
1.0
—
4.0
RB & RC变化，以获得所需的电流水平
D1 ，必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
V2
约
+ 8.0 V
0
V1
约
–12 V
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
RB
VCC
– 30 V
ts
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
RC
TUT
2.0
范围
tf
1.0
0.8
0.6
0.4
PNP
NPN
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
tr
D1
≈
6.0 k
≈
150
+ 4.0 V
25
s
对于TD和TR ， D1 ID断开
和V2 = 0 ，R B和R C是变化
以获得所需的测试电流。
对于NPN测试电路，反向二极管，
极性和输入脉冲。
TD @ VBE （关闭） = 0
0.2
0.04 0.06
图2.开关时间测试电路
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.02
0.05
0.01
单脉冲
0.1
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
图3.开关时间
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 2.50 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
P（ PK）
t2
占空比D = T1 / T2
100
200
500
1.0 k
t1
图4.热响应（ MJE700T ， 800T系列）
2
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJE700 ，T MJE702 MJE703 MJE800 ，T MJE802 MJE803
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
单脉冲
θ
JC （ T） = R（T ）
θ
JC
θ
JC = 3.12 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK）
θ
JC （T ）
P（ PK）
t2
占空比D = T1 / T2
t1
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1000
图5.热响应（ MJE700 ， 800系列）
有源区的安全工作区
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
5.0毫秒
1.0毫秒
100
s
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
5.0毫秒
1.0毫秒
100
s
IC ，集电极电流（ AMP ）
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
MJE702 ， 703
MJE700
7.0
10
20
30
50
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
IC ，集电极电流（ AMP ）
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
MJE802 ， 803
MJE800
7.0
10
20
30
50
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图6. MJE700系列
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图7. MJE800系列
图6和图7的数据是基于TJ （峰） = 150
_
C;
TC是可变根据条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比为10 ％，提供的TJ （ PK）
＆ LT ; 150
_
C. TJ （ pk）的可从数据在图4中计算出的
或5.在高温度的情况下，热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
10
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
100
s
1.0毫秒
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
5.0
100
s
1.0毫秒
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
0.2
0.1
5.0
0.2
0.1
5.0
7.0
10
20
30
50
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
7.0
10
20
30
50
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图8. MJE700T
图9. MJE800T
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJE700 ，T MJE702 MJE703 MJE800 ，T MJE802 MJE803
PNP
MJE700 ，T系列
6.0 k
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
2.0 k
– 55°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
TJ = 125°C
25°C
VCE = 3.0 V
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
2.0 k
6.0 k
TJ = 125°C
NPN
MJE800 ，T系列
VCE = 3.0 V
25°C
– 55°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
0.1
0.4 0.6
1.0
0.2
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
0.1
0.4 0.6
1.0
0.2
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图10.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TJ = 25°C
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
IC =
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.4
3.4
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
IC =
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
TJ = 25°C
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
IB ，基极电流（毫安）
IB ，基极电流（毫安）
图11.集电极饱和区
2.2
TJ = 25°C
1.8
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
V，电压（V ）
2.2
TJ = 25°C
1.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
1.4
VBE @ VCE = 3.0 V
1.4
VBE @ VCE = 3.0 V
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
0.6
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
0.6
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图12. “开”电压
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJE700 ，T MJE702 MJE703 MJE800 ，T MJE802 MJE803
包装尺寸
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.055
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
–––
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.39
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
–––
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-08
TO- 225AA型
ISSUE V
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
A
A
A
A
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
描述
·集电极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
=-60 V
ΔDC
目前Gain
: h
FE
= 750 （最小值） @我
C
=-1.5A
.Complement
到类型MJE800T
MJE700T
应用
·设计
为通用放大器和低速
切换应用程序
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
-60
-60
-5
-4
-0.1
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
P
C
T
i
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
2.5
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
MJE700T
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ;我
B
= 0
-60
V
V
CE
(sat)-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -1.5A ;我
B
=-40mA
-2.5
V
V
CE
(sat)-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -4A ;我
B
=-40mA
-3.0
V
V
BE
(on)-1
基射极电压上
I
C
=-1.5A
;
V
CE
=-3V
-2.5
V
V
BE
(on)-2
I
首席执行官
基射极电压上
I
C
=-4A
;
V
CE
=-3V
-3.0
V
收藏家Cuto FF电流
V
CE
=-60V
;
I
B
= 0
B
-0.1
-0.1
-0.5
-2.0
mA
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
=-60V
;
I
E
= 0
V
CB
=-60V
;
I
E
= 0;T
C
= 100℃
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -1.5A ; V
CE
=-3V
750
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -4A ; V
CE
=-3V
100
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MF-VS180SSLU-0
MB90V480
MI-P2N0-MXA
M470T3354CZ3-CLD5
MC100EPT23
MCP3201T-CI/MS
MC1DU032HBYC-0QC00
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