摩托罗拉
半导体技术资料
模拟多路复用器/
多路解复用器与
地址锁存
MC54/74HC4351
MC54/74HC4353
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC4351和MC54 / 74HC4353利用硅栅CMOS
技术来实现快速传播延迟，低导通电阻和低
关断漏泄电流。这些模拟多路复用器/解复用器控制
模拟电压穿越整个电源范围可能会有所不同
（从VCC VEE ） 。
信道选择输入确定的模拟输入之一/
输出将被连接，通过一个模拟开关的手段，向共同
输入/输出。在该通道选择输入数据可以由锁存
采用低电平有效锁存使能引脚。当锁存使能为高电平时，锁存器
是透明的。当任何使能1（低电平有效）或启用2 （高电平有效）是
处于非活动状态，所有的模拟开关被关断。
信道选择和启用输入与标准兼容
CMOS输出;与上拉电阻，它们与LSTTL兼容
输出。
这些装置已经被设计为使得导通电阻（罗恩）是
更线性的输入电压高于金属栅CMOS模拟罗恩
开关。
对于复用器/解复用器无闩锁，看HC4051 ，
HC4052 ， HC4053和。
快速交换和传播速度
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
模拟电源电压范围（ VCC - VEE ）= 2.0 12.0 V
数字（控制）电源电压范围（ VCC - GND ）= 2.0 6.0 V
改进的线性度和低导通电阻比金属门类型
低噪音
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： HC4351 - 222场效应管或55.5等效门
HC4353 - 186场效应管或46.5等效门
20
1
后缀
陶瓷封装
CASE 732-03
20
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 738-03
20
1
DW后缀
SOIC封装
CASE 751D -04
订购信息
MC54HCXXXXJ
MC74HCXXXXN
MC74HCXXXXDW
陶瓷的
塑料
SOIC
引脚分配
MC54/74HC4351
X4
X6
NC
X
X7
X5
启用1
启用2
VEE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
X2
X1
X0
X3
A
NC
B
C
LATCH
启用
NC =无连接
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
REV 6
MC54 / 74HC4351 MC54 / 74HC4353
逻辑图
MC54/74HC4351
单极， 8位加共关闭和地址锁存
17
X0
18
X1
19
X2
16
X3
1
X4
6
X5
2
X6
5
X7
功能表
MC54/74HC4351
多路复用器/
多路解复用器
4
X
常见
输出/输入
控制输入
启用
1
2
C
SELECT
B
A
ON
通道
（ LE = H）*
类似物
输入/输出
信道选择
输入
A
B
C
15
13
12
11
7
8
通道
地址
LATCH
PIN 20 = VCC
PIN码9 = VEE
PIN 10 = GND
销3,14 = NC
LATCH ENABLE
开关
启用1
使ENABLE 2
L
H
L
L
L
X0
L
H
L
L
H
X1
H
L
H
L
L
X2
H
L
H
L
H
X3
L
L
H
L
X4
H
L
L
H
H
X5
H
H
L
H
L
X6
H
H
L
H
H
X7
H
X
X
X
无
X
H
X
L
X
无
X
X
X =无关
*当锁存使能低，通道
选择被锁定的频道
地址锁存器不会改变状态。
框图
MC54/74HC4353
三重单极双位加共关闭和地址锁存
16
X0
17
X1
Y0
Y1
Z0
Z1
15
13
12
11
7
8
通道
地址
LATCH
PIN 20 = VCC
PIN码9 = VEE
PIN 10 = GND
销3,14 = NC
2
1
6
4
引脚分配
x开关
18
X
常见
输出/输入
Y1
Y0
NC
Z1
z开关
5
Z
Z
Z0
启用1
启用2
VEE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Y
X
X1
X0
A
NC
B
C
LATCH
启用
Y开关
19
Y
信道选择
输入
A
B
C
LATCH ENABLE
开关
启用1
使ENABLE 2
NC =无连接
功能表
控制输入
启用
1
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
2
H
H
H
H
H
H
H
H
X
L
C
L
L
L
L
H
H
H
H
X
X
SELECT
B
L
L
H
H
L
L
H
H
X
X
A
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
Z0
Z0
Z0
Z0
Z1
Z1
Z1
Z1
On
通道
（ LE = H）*
Y0
Y0
Y1
Y1
Y0
Y0
Y1
Y1
无
无
X0
X1
X0
X1
X0
X1
X0
X1
注意：
此设备允许每个交换机的独立控制。通道选择
输入A控制X交换机，输入B控制Y开关和输入的C
控制z开关。
X =无关
*当锁存使能低，信道选择
被锁定的频道地址锁存不
改变状态。
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
VCC = 2.0 V
0
1000
ns
VCC = 4.5 V
0
500
VCC = 6.0 V
0
400
*对于两端的电压，交换机将丢弃大于1.2 V（上开关） ， VCC过大电流可能
绘制;即，电流从开关可同时含有VCC和开关的输入组件。
该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大额定值被超过。
最大额定值*
符号
VCC
VEE
TSTG
VIS
VIN
PD
TL
I
焊接温度1毫米案例
10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
（陶瓷DIP ）
储存温度
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
直流电流流入或流出的任何引脚
DC输入电压（参考到GND）
模拟输入电压
负直流电源电压（参考到GND）
正直流电源电压
参数
（参考到GND）
（参考至VEE ）
- 1.5 VCC + 1.5
- 65至+ 150
- 7.0 + 0.5
- 0.5 + 7.0
- 0.5至14.0
VEE - 0.5
至VCC + 0.5
价值
±
25
260
300
750
500
单位
mW
mA
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
DC电气特性
数字部分（电压参考GND ）， VEE = GND ，除非另有说明
推荐工作条件
符号
符号
VIO *
VCC
VEE
TR ， TF
VIS
VIN
ICC
TA
VIH
VIL
IIN
输入上升和下降时间，
通道选择或启用
输入端（图9a）
工作温度，所有封装类型
在开关的静态或动态电压
数字输入电压（参考到GND）
模拟输入电压
负直流电源电压
正直流电源电压
最大静态电源
电流（每包）
最大输入漏
目前，信道选择或
使能输入
最大低电平输入
电压，信道选择或
使能输入
最低高电平输入
电压，信道选择或
使能输入
参数
参数
通道选择= VCC或GND
启用= VCC或GND
VIS = VCC或GND VEE = GND
VIO = 0 V
VEE = - 6.0
VIN = VCC和GND ，
VEE = - 6.0 V
罗恩=每规格
罗恩=每规格
（参考到GND）
（参考至VEE ）
（参考到GND）
测试条件
3
GND
– 6.0
VEE
– 55
民
2.0
2.0
—
+ 125
GND
VCC
VCC
6.0
12.0
最大
1.2
VCC
V
6.0
6.0
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
_
C
_
C
_
C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
MC54 / 74HC4351 MC54 / 74HC4353
- 55
25
_
C
±
0.1
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
2
8
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
在时建议表示范围
谁料工作条件。
未使用数字输入引脚必须
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的模拟量I / O引脚可留
打开或终止。请参阅应用
系统蒸发散信息。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
20
80
±
1.0
1.5
3.15
4.2
40
160
0.3
0.9
1.2
摩托罗拉
单位
A
A
V
V
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
摩托罗拉
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
DC电气特性
模拟部分
MC54 / 74HC4351 MC54 / 74HC4353
符号
符号
R
on
罗恩
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
离子
IOFF
tpZL ，
tpZH
tPLZ ，
tPHZ
CL / O
CPD
CIN
在最大信道泄漏
目前，通道到通道
HC4351
最大断道泄漏
目前，普通通道
HC4351
最大断道泄漏
当前，任何一个频道
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
最大“开”电阻
最大电容模拟I / O
最大输入电容
最大传输延迟，启用1或2模拟输出
（图11）
最大传输延迟，启用1或2模拟输出
（图11）
最大传输延迟，锁存使能模拟输出
（图12）
最大传输延迟，模拟输入到模拟输出
（图10 ）
最大传输延迟，通道选择模拟输出
（图9 ）
功率耗散电容（每包）（图14） *
参数
常见的O / I ： HC4351
HC4353
HC4353
HC4353
穿心
参数
VIN = VIL或VIH
VIS = VCC至VEE
IS
2.0毫安（图1，图2 ）
VIN = VIL或VIH
VIS = VCC或VEE （端点）
IS
2.0毫安（图1，图2 ）
VIN = VIL或VIH
交换机到交换机= VCC - VEE
（图5）
VIN = VIL或VIH
VIO = VCC - VEE
开关关闭（图4 ）
VIN = VIL或VIH
VIS = 1/2（ VCC - VEE ）
IS
2.0毫安
VIN = VIL或VIH
VIO = VCC - VEE
开关（图3 ）
v
v
v
启用1 = VIH ，启用2 = VIL
测试条件
4
VCC
V
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
4.5
4.5
6.0
4.5
4.5
6.0
4.5
4.5
6.0
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
—
—
—
—
– 6.0
– 6.0
– 6.0
– 6.0
– 6.0
0.0
– 4.5
– 6.0
0.0
– 4.5
– 6.0
0.0
– 4.5
– 6.0
VEE
V
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
130
50
345
69
59
290
58
49
325
65
55
370
74
63
1.0
35
10
60
12
10
150
100
80
190
120
100
0.1
0.2
0.1
0.2
0.1
30
12
10
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
保证限额
保证限额
45 （ HC4351 ）
45 （ HC4353 ）
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
v
85
_
C
v
125
_
C
130
50
435
87
74
365
73
62
410
82
70
465
93
79
1.0
35
10
75
15
13
190
125
100
240
150
125
1.0
2.0
1.0
2.0
0.5
35
15
12
130
50
515
103
87
435
87
74
485
97
82
550
110
94
1.0
35
10
90
18
15
230
140
115
280
170
140
2.0
4.0
2.0
4.0
1.0
40
18
14
单位
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
A
A
*没有测试极限。由设计决定，并经资格验证。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
额外的应用特性
（ GND = 0.0 V）
时序要求
（输入TR = TF = 6纳秒）
符号
符号
THD
BW
—
—
—
TR ， TF
TSU
tw
th
总谐波失真
（图15）
任意两个交换机之间的串扰
（图13）
（试验不适用于HC4351 ）
穿心噪声，通道选择
输入常用O / I
（图8）
关通道穿心隔离
（图7）
最大导通通道带宽或
最低频率响应
（图6）
最大输入上升和下降时间，信道选择，锁存使能，
并允许1,2
最小脉冲宽度，锁存使能
（图12）
最小保持时间，锁存使能为通道选择
（图12）
最小建立时间，通道选择锁存使能
（图12）
参数
参数
鳍
正弦波
调整鳍片电压，以获得0 dBm的在VIS
翅片= 10 kHz时， RL = 600
,
CL = 50 pF的
鳍= 1 MHz的正弦波
调整鳍片电压，以获得0 dBm的在VOS
增加散热片频率，直到分贝仪
读 - 3分贝
RL = 50
,
CL = 10 pF的
鳍= 1千赫，RL = 10 kΩ的， CL = 50 pF的
THD = THDmeasured - THDsource
VIS = 4.0 VPP正弦波
VIS = 8.0 VPP正弦波
VIS = 11.0 VPP正弦波
VIN
1 MHz的方波
（ TR = TF = 6纳秒）
调整RL的设置，使IS = 0
启用= GND
RL = 600
,
CL = 50 pF的
鳍
正弦波
调整鳍片电压，以获得0 dBm的在VIS
翅片= 10 kHz时， RL = 600
,
CL = 50 pF的
v
翅片= 1.0兆赫，RL = 50
,
CL = 10 pF的
鳍= 1 MHz时， RL = 50
,
CL = 10 pF的
测试条件
5
RL = 10 kΩ的， CL = 10 pF的
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1000
500
400
VCC
V
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
100
20
17
80
16
14
0
0
0
保证限额
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
VEE
V
1000
500
400
100
20
17
125
25
21
0
0
0
80
80
80
51
25
_
C
54/74HC
限制*
0.10
0.08
0.05
– 60
– 60
– 60
– 50
– 50
– 50
– 40
– 40
– 40
– 50
– 50
– 50
35
145
190
25
105
135
95
95
95
52
1000
500
400
120
24
20
150
30
26
0
0
0
MC54 / 74HC4351 MC54 / 74HC4353
v
85
_
C
v
125
_
C
120
120
120
53
摩托罗拉
mVpp的
单位
兆赫
单位
ns
ns
ns
ns
dB
dB
%
摩托罗拉
半导体技术资料
模拟多路复用器/
多路解复用器与
地址锁存
MC54/74HC4351
MC54/74HC4353
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC4351和MC54 / 74HC4353利用硅栅CMOS
技术来实现快速传播延迟，低导通电阻和低
关断漏泄电流。这些模拟多路复用器/解复用器控制
模拟电压穿越整个电源范围可能会有所不同
（从VCC VEE ） 。
信道选择输入确定的模拟输入之一/
输出将被连接，通过一个模拟开关的手段，向共同
输入/输出。在该通道选择输入数据可以由锁存
采用低电平有效锁存使能引脚。当锁存使能为高电平时，锁存器
是透明的。当任何使能1（低电平有效）或启用2 （高电平有效）是
处于非活动状态，所有的模拟开关被关断。
信道选择和启用输入与标准兼容
CMOS输出;与上拉电阻，它们与LSTTL兼容
输出。
这些装置已经被设计为使得导通电阻（罗恩）是
更线性的输入电压高于金属栅CMOS模拟罗恩
开关。
对于复用器/解复用器无闩锁，看HC4051 ，
HC4052 ， HC4053和。
快速交换和传播速度
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
模拟电源电压范围（ VCC - VEE ）= 2.0 12.0 V
数字（控制）电源电压范围（ VCC - GND ）= 2.0 6.0 V
改进的线性度和低导通电阻比金属门类型
低噪音
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： HC4351 - 222场效应管或55.5等效门
HC4353 - 186场效应管或46.5等效门
20
1
后缀
陶瓷封装
CASE 732-03
20
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 738-03
20
1
DW后缀
SOIC封装
CASE 751D -04
订购信息
MC54HCXXXXJ
MC74HCXXXXN
MC74HCXXXXDW
陶瓷的
塑料
SOIC
引脚分配
MC54/74HC4351
X4
X6
NC
X
X7
X5
启用1
启用2
VEE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
X2
X1
X0
X3
A
NC
B
C
LATCH
启用
NC =无连接
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
REV 6
MC54 / 74HC4351 MC54 / 74HC4353
逻辑图
MC54/74HC4351
单极， 8位加共关闭和地址锁存
17
X0
18
X1
19
X2
16
X3
1
X4
6
X5
2
X6
5
X7
功能表
MC54/74HC4351
多路复用器/
多路解复用器
4
X
常见
输出/输入
控制输入
启用
1
2
C
SELECT
B
A
ON
通道
（ LE = H）*
类似物
输入/输出
信道选择
输入
A
B
C
15
13
12
11
7
8
通道
地址
LATCH
PIN 20 = VCC
PIN码9 = VEE
PIN 10 = GND
销3,14 = NC
LATCH ENABLE
开关
启用1
使ENABLE 2
L
H
L
L
L
X0
L
H
L
L
H
X1
H
L
H
L
L
X2
H
L
H
L
H
X3
L
L
H
L
X4
H
L
L
H
H
X5
H
H
L
H
L
X6
H
H
L
H
H
X7
H
X
X
X
无
X
H
X
L
X
无
X
X
X =无关
*当锁存使能低，通道
选择被锁定的频道
地址锁存器不会改变状态。
框图
MC54/74HC4353
三重单极双位加共关闭和地址锁存
16
X0
17
X1
Y0
Y1
Z0
Z1
15
13
12
11
7
8
通道
地址
LATCH
PIN 20 = VCC
PIN码9 = VEE
PIN 10 = GND
销3,14 = NC
2
1
6
4
引脚分配
x开关
18
X
常见
输出/输入
Y1
Y0
NC
Z1
z开关
5
Z
Z
Z0
启用1
启用2
VEE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Y
X
X1
X0
A
NC
B
C
LATCH
启用
Y开关
19
Y
信道选择
输入
A
B
C
LATCH ENABLE
开关
启用1
使ENABLE 2
NC =无连接
功能表
控制输入
启用
1
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
2
H
H
H
H
H
H
H
H
X
L
C
L
L
L
L
H
H
H
H
X
X
SELECT
B
L
L
H
H
L
L
H
H
X
X
A
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
Z0
Z0
Z0
Z0
Z1
Z1
Z1
Z1
On
通道
（ LE = H）*
Y0
Y0
Y1
Y1
Y0
Y0
Y1
Y1
无
无
X0
X1
X0
X1
X0
X1
X0
X1
注意：
此设备允许每个交换机的独立控制。通道选择
输入A控制X交换机，输入B控制Y开关和输入的C
控制z开关。
X =无关
*当锁存使能低，信道选择
被锁定的频道地址锁存不
改变状态。
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
VCC = 2.0 V
0
1000
ns
VCC = 4.5 V
0
500
VCC = 6.0 V
0
400
*对于两端的电压，交换机将丢弃大于1.2 V（上开关） ， VCC过大电流可能
绘制;即，电流从开关可同时含有VCC和开关的输入组件。
该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大额定值被超过。
最大额定值*
符号
VCC
VEE
TSTG
VIS
VIN
PD
TL
I
焊接温度1毫米案例
10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
（陶瓷DIP ）
储存温度
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
直流电流流入或流出的任何引脚
DC输入电压（参考到GND）
模拟输入电压
负直流电源电压（参考到GND）
正直流电源电压
参数
（参考到GND）
（参考至VEE ）
- 1.5 VCC + 1.5
- 65至+ 150
- 7.0 + 0.5
- 0.5 + 7.0
- 0.5至14.0
VEE - 0.5
至VCC + 0.5
价值
±
25
260
300
750
500
单位
mW
mA
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
DC电气特性
数字部分（电压参考GND ）， VEE = GND ，除非另有说明
推荐工作条件
符号
符号
VIO *
VCC
VEE
TR ， TF
VIS
VIN
ICC
TA
VIH
VIL
IIN
输入上升和下降时间，
通道选择或启用
输入端（图9a）
工作温度，所有封装类型
在开关的静态或动态电压
数字输入电压（参考到GND）
模拟输入电压
负直流电源电压
正直流电源电压
最大静态电源
电流（每包）
最大输入漏
目前，信道选择或
使能输入
最大低电平输入
电压，信道选择或
使能输入
最低高电平输入
电压，信道选择或
使能输入
参数
参数
通道选择= VCC或GND
启用= VCC或GND
VIS = VCC或GND VEE = GND
VIO = 0 V
VEE = - 6.0
VIN = VCC和GND ，
VEE = - 6.0 V
罗恩=每规格
罗恩=每规格
（参考到GND）
（参考至VEE ）
（参考到GND）
测试条件
3
GND
– 6.0
VEE
– 55
民
2.0
2.0
—
+ 125
GND
VCC
VCC
6.0
12.0
最大
1.2
VCC
V
6.0
6.0
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
_
C
_
C
_
C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
MC54 / 74HC4351 MC54 / 74HC4353
- 55
25
_
C
±
0.1
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
2
8
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
在时建议表示范围
谁料工作条件。
未使用数字输入引脚必须
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的模拟量I / O引脚可留
打开或终止。请参阅应用
系统蒸发散信息。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
20
80
±
1.0
1.5
3.15
4.2
40
160
0.3
0.9
1.2
摩托罗拉
单位
A
A
V
V
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
摩托罗拉
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
DC电气特性
模拟部分
MC54 / 74HC4351 MC54 / 74HC4353
符号
符号
R
on
罗恩
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
离子
IOFF
tpZL ，
tpZH
tPLZ ，
tPHZ
CL / O
CPD
CIN
在最大信道泄漏
目前，通道到通道
HC4351
最大断道泄漏
目前，普通通道
HC4351
最大断道泄漏
当前，任何一个频道
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
最大“开”电阻
最大电容模拟I / O
最大输入电容
最大传输延迟，启用1或2模拟输出
（图11）
最大传输延迟，启用1或2模拟输出
（图11）
最大传输延迟，锁存使能模拟输出
（图12）
最大传输延迟，模拟输入到模拟输出
（图10 ）
最大传输延迟，通道选择模拟输出
（图9 ）
功率耗散电容（每包）（图14） *
参数
常见的O / I ： HC4351
HC4353
HC4353
HC4353
穿心
参数
VIN = VIL或VIH
VIS = VCC至VEE
IS
2.0毫安（图1，图2 ）
VIN = VIL或VIH
VIS = VCC或VEE （端点）
IS
2.0毫安（图1，图2 ）
VIN = VIL或VIH
交换机到交换机= VCC - VEE
（图5）
VIN = VIL或VIH
VIO = VCC - VEE
开关关闭（图4 ）
VIN = VIL或VIH
VIS = 1/2（ VCC - VEE ）
IS
2.0毫安
VIN = VIL或VIH
VIO = VCC - VEE
开关（图3 ）
v
v
v
启用1 = VIH ，启用2 = VIL
测试条件
4
VCC
V
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
4.5
4.5
6.0
4.5
4.5
6.0
4.5
4.5
6.0
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
—
—
—
—
– 6.0
– 6.0
– 6.0
– 6.0
– 6.0
0.0
– 4.5
– 6.0
0.0
– 4.5
– 6.0
0.0
– 4.5
– 6.0
VEE
V
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
130
50
345
69
59
290
58
49
325
65
55
370
74
63
1.0
35
10
60
12
10
150
100
80
190
120
100
0.1
0.2
0.1
0.2
0.1
30
12
10
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
保证限额
保证限额
45 （ HC4351 ）
45 （ HC4353 ）
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
v
85
_
C
v
125
_
C
130
50
435
87
74
365
73
62
410
82
70
465
93
79
1.0
35
10
75
15
13
190
125
100
240
150
125
1.0
2.0
1.0
2.0
0.5
35
15
12
130
50
515
103
87
435
87
74
485
97
82
550
110
94
1.0
35
10
90
18
15
230
140
115
280
170
140
2.0
4.0
2.0
4.0
1.0
40
18
14
单位
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
A
A
*没有测试极限。由设计决定，并经资格验证。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
额外的应用特性
（ GND = 0.0 V）
时序要求
（输入TR = TF = 6纳秒）
符号
符号
THD
BW
—
—
—
TR ， TF
TSU
tw
th
总谐波失真
（图15）
任意两个交换机之间的串扰
（图13）
（试验不适用于HC4351 ）
穿心噪声，通道选择
输入常用O / I
（图8）
关通道穿心隔离
（图7）
最大导通通道带宽或
最低频率响应
（图6）
最大输入上升和下降时间，信道选择，锁存使能，
并允许1,2
最小脉冲宽度，锁存使能
（图12）
最小保持时间，锁存使能为通道选择
（图12）
最小建立时间，通道选择锁存使能
（图12）
参数
参数
鳍
正弦波
调整鳍片电压，以获得0 dBm的在VIS
翅片= 10 kHz时， RL = 600
,
CL = 50 pF的
鳍= 1 MHz的正弦波
调整鳍片电压，以获得0 dBm的在VOS
增加散热片频率，直到分贝仪
读 - 3分贝
RL = 50
,
CL = 10 pF的
鳍= 1千赫，RL = 10 kΩ的， CL = 50 pF的
THD = THDmeasured - THDsource
VIS = 4.0 VPP正弦波
VIS = 8.0 VPP正弦波
VIS = 11.0 VPP正弦波
VIN
1 MHz的方波
（ TR = TF = 6纳秒）
调整RL的设置，使IS = 0
启用= GND
RL = 600
,
CL = 50 pF的
鳍
正弦波
调整鳍片电压，以获得0 dBm的在VIS
翅片= 10 kHz时， RL = 600
,
CL = 50 pF的
v
翅片= 1.0兆赫，RL = 50
,
CL = 10 pF的
鳍= 1 MHz时， RL = 50
,
CL = 10 pF的
测试条件
5
RL = 10 kΩ的， CL = 10 pF的
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1000
500
400
VCC
V
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
100
20
17
80
16
14
0
0
0
保证限额
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
VEE
V
1000
500
400
100
20
17
125
25
21
0
0
0
80
80
80
51
25
_
C
54/74HC
限制*
0.10
0.08
0.05
– 60
– 60
– 60
– 50
– 50
– 50
– 40
– 40
– 40
– 50
– 50
– 50
35
145
190
25
105
135
95
95
95
52
1000
500
400
120
24
20
150
30
26
0
0
0
MC54 / 74HC4351 MC54 / 74HC4353
v
85
_
C
v
125
_
C
120
120
120
53
摩托罗拉
mVpp的
单位
兆赫
单位
ns
ns
ns
ns
dB
dB
%
QQ：2881677436 复制
