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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第689页 > MC74LCX16373DTG
MC74LCX16373
低电压CMOS 16位
透明锁存器
与5 V容限输入和输出
(三态,非反相)
http://onsemi.com
该MC74LCX16373是一个高性能,非反相的16位
透明锁存器从2.3 V工作至3.6 V电源。该装置是
字节的控制。每个字节单独的输出使能和锁存使能
输入。这些控制引脚可以连在一起的完整的16位操作。
高阻抗TTL兼容的输入显著降低电流
加载输入驱动器,而TTL兼容输出提供改进
开关噪声性能。 A V
I
规范的5.5 V允许
MC74LCX16373投入安全地驱动从5.0 V设备。
该MC74LCX16373包含16个D型锁存器与三态
5.0 V的容错输出。当锁存使能( LEN )的投入都很高,
在DN上的输入数据进入锁存器。在这种情况下,锁存器
透明的,也就是说,锁存器输出将每次的D输入状态改变
变化。当LE为低电平时,锁存器存储是信息
本上的D输入,一个建立时间之前的高电压到低
LE的过渡。 3态输出的输出控制
启用( OEN )输入。当OE为低电平时,输出被使能。当
OE为高电平时,标准输出处于高阻抗状态,但是
这并不妨碍新的数据进入锁存器。
特点
48
1
TSSOP48
DT后缀
CASE 1201
标记图
48
LCX16373G
AWLYYWW
专为2.3 3.6 V V
CC
手术
5.4 ns最大吨
pd
5.0 V的容错 - 接口能力,具有5.0 V TTL逻辑
支持实时插入和拔出
I
关闭
规范保证高阻抗当V
CC
= 0 V
LVTTL兼容
LVCMOS兼容
24毫安平衡输出库和源能力
在附近的所有三个逻辑状态零静态电流( 20
毫安)
大幅度降低了系统电源要求
闭锁性能超过500 mA。
静电放电性能:人体模型>2000 V ;
机器型号>200 V
这些无铅器件*
1
A
WL
YY
WW
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年8月 - 修订版6
出版订单号:
MC74LCX16373/D
MC74LCX16373
OE1
1
O0
2
O1
3
GND
4
O2
5
O3
6
V
CC
7
O4
8
O5
9
GND
10
O6
11
O7
12
O8
13
O9
14
GND
15
O10
16
O11
17
V
CC
18
O12
19
O13
20
GND
21
O14
22
O15
23
OE2
24
48
LE1
47
D0
46
D1
45
GN-
D
44
D2
43
D3
42
V
CC
41
D4
40
D5
39
GN-
D
38
D6
37
D7
36
D8
35
D9
34
GN-
D
33
D10
32
D11
31
V
CC
30
D12
29
D13
28
GN-
D
27
D14
26
D15
25
LE2
D7
37
D6
38
D5
40
D4
41
D3
D2
44
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
Q
5
O2
D10
33
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
Q
16
O10
D1
D0
OE1
LE1
1
48
NLE
D
NLE
D
2
O0
OE2
LE2
Q
24
25
NLE
D
NLE
D
13
O8
47
D8
36
Q
46
Q
3
O1
D9
35
Q
14
O9
43
Q
6
O3
D11
32
Q
17
O11
Q
8
O4
D12
30
Q
19
O12
Q
9
O5
D13
29
Q
20
O13
Q
11
O6
D14
27
Q
22
O14
Q
12
O7
D15
26
Q
23
O15
图1.引脚: 48引脚
( TOP VIEW )
图2.逻辑图
表1.引脚名称
引脚
OEN
LEN
D0D15
O0O15
功能
输出使能输入
锁存使能输入
输入
输出
真值表
输入
LE1
X
H
H
L
H
L
Z
X
=
=
=
=
OE1
H
L
L
L
D0:7
X
L
H
X
输出
O0:7
Z
L
H
O0
LE2
X
H
H
L
输入
OE2
H
L
L
L
D8:15
X
L
H
X
输出
O8:15
Z
L
H
O0
高电压电平
低电压电平
高阻抗状态
高或低电压电平转换,并可以接受;因为我
CC
因此,不浮动输入
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2
MC74LCX16373
订购信息
设备
MC74LCX16373DT
MC74LCX16373DTG
MC74LCX16373DTR2
M74LCX16373DTR2G
TSSOP48*
TSSOP48*
TSSOP48*
TSSOP48*
航运
39单位/铁
39单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
参数
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
价值
-0.5到+7.0
0.5
V
I
+7.0
0.5
V
O
+7.0
0.5
V
O
V
CC
+ 0.5
I
IK
I
OK
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
50
50
+50
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
DC输出源/灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
±50
±100
±100
-65到+150
输出三态
输出高电平或者低电平状态。 (注1 )
V
I
& LT ; GND
V
O
& LT ; GND
V
O
& GT ; V
CC
条件
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1. I
O
绝对最大额定值必须遵守。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
I
OH
电源电压
输入电压
输出电压
高电平输出电流
(高或低状态)
(3State)
V
CC
= 3.0 V 3.6 V
V
CC
= 2.7 V 3.0 V
V
CC
= 2.3 V 2.7 V
V
CC
= 3.0 V 3.6 V
V
CC
= 2.7 V 3.0 V
V
CC
= 2.3 V 2.7 V
40
0
参数
操作
数据保存时间只有
2.0
1.5
0
0
0
典型值
2.5, 3.3
2.5, 3.3
最大
3.6
3.6
5.5
V
CC
5.5
24
12
8
+ 24
+ 12
+8
+85
10
单位
V
V
V
mA
I
OL
低电平输出电流
mA
T
A
DT / DV
经营自由的空气温度
输入转换上升或下降率,V
IN
从0.8 V至2.0 V ,V
CC
= 3.0 V
°C
NS / V
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3
MC74LCX16373
DC电气特性
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
符号
V
IH
特征
高电平输入电压(注2 )
条件
2.3 V
V
CC
2.7 V
2.7 V
V
CC
3.6 V
V
IL
低电平输入电压(注2 )
2.3 V
V
CC
2.7 V
2.7 V
V
CC
3.6 V
V
OH
高电平输出电压
2.3 V
V
CC
3.6 V ;我
OL
= 100
mA
V
CC
= 2.3 V ;我
OH
= -8毫安
V
CC
= 2.7 V ;我
OH
= -12毫安
V
CC
= 3.0 V ;我
OH
= -18毫安
V
CC
= 3.0 V ;我
OH
= -24毫安
V
OL
低电平输出电压
2.3 V
V
CC
3.6 V ;我
OL
= 100
mA
V
CC
= 2.3 V ;我
OL
= 8毫安
V
CC
= 2.7 V ;我
OL
= 12毫安
V
CC
= 3.0 V ;我
OL
= 16毫安
V
CC
= 3.0 V ;我
OL
= 24毫安
I
I
I
OZ
I
关闭
I
CC
输入漏电流
三态输出电流
关机漏电流
静态电源电流
2.3 V
V
CC
3.6 V; 0 V
V
I
5.5 V
2.3
V
CC
3.6 V; 0V
V
O
5.5 V;
V
I
= V
IH
或V
IL
V
CC
= 0 V; V
I
或V
O
= 5.5 V
2.3
V
CC
3.6 V; V
I
= GND或V
CC
2.3
V
CC
3.6 V; 3.6
V
I
或V
O
5.5 V
DI
CC
增加我
CC
每个输入
2.3
V
CC
3.6 V; V
IH
= V
CC
0.6 V
V
CC
0.2
1.8
2.2
2.4
2.2
0.2
0.6
0.4
0.4
0.55
±5.0
±5.0
10
20
±20
500
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
1.7
2.0
0.7
0.8
V
V
最大
单位
V
V 2.这些值
I
用于测试仅直流电气特性。
AC特性
t
R
= t
F
= 2.5纳秒;
L
= 50 pF的;
L
= 500
W
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
C
L
= 50 pF的
符号
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
t
s
t
h
t
w
t
OSHL
t
OSLH
参数
传播延迟
D
n
与O
n
传播延迟
LE与O
n
输出使能时间
高低电平
输出禁止时间从
高低电平
建立时间,高或低
n
to
LE
保持时间,高或低
n
以LE
LE脉冲宽度,高
输出至输出扭曲
(注3)
波形
1
3
2
2
3
3
3
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
2.5
1.5
3.0
1.0
1.0
最大
5.4
5.4
5.5
5.5
6.1
6.1
6.0
6.0
V
CC
= 2.7 V
C
L
= 50 pF的
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
2.5
1.5
3.0
最大
5.9
5.9
6.4
6.4
6.5
6.5
6.3
6.3
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
C
L
= 30 pF的
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
3.0
2.0
3.5
最大
6.5
6.5
6.6
6.6
7.9
7.9
7.2
7.2
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3.斜度被定义为实际的传播延迟为同一装置的任何两个单独的输出之间的差的绝对值。
本说明书适用于任何输出以相同的方向切换,无论是高到低(叔
OSHL
)或低到高(T
OSLH
) ;参数
通过设计保证。
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4
MC74LCX16373
动态切换特性
T
A
= +25°C
符号
V
OLP
V
OLV
特征
动态低峰值电压
(注4 )
动态低电压谷
(注4 )
条件
V
CC
= 3.3 V ,C
L
= 50 pF的,V
IH
= 3.3 V, V
IL
= 0 V
V
CC
= 2.5 V ,C
L
= 30 pF的,V
IH
= 2.5 V, V
IL
= 0 V
V
CC
= 3.3 V ,C
L
= 50 pF的,V
IH
= 3.3 V, V
IL
= 0 V
V
CC
= 2.5 V ,C
L
= 30 pF的,V
IH
= 2.5 V, V
IL
= 0 V
典型值
0.8
0.6
0.8
0.6
最大
单位
V
V
V
V
的定义为“n”个输出端4的数量。测量“N - 1 ”的输出由高到低或低到高的开关。剩下的输出
在低状态测量。
电容特性
符号
C
IN
C
OUT
C
PD
参数
输入电容
输出电容
功率耗散电容
条件
V
CC
= 3.3 V, V
I
= 0 V或V
CC
V
CC
= 3.3 V, V
I
= 0 V或V
CC
10兆赫,V
CC
= 3.3 V, V
I
= 0 V或V
CC
典型
7
8
20
单位
pF
pF
pF
V
CC
VMI
Dn
t
PHL
VMO
On
t
PLH
V
OH
VMO
V
OL
波形1 - 传播延迟
t
R
= t
F
= 2.5纳秒,10%至90% ; F = 1兆赫;吨
W
= 500纳秒
V
CC
OEN
VMI
0V
t
PZH
VMO
t
PZL
On
VMO
V
LZ
V
OL
波形2 - 输出启用和禁用时报
t
R
= t
F
= 2.5纳秒,10%至90% ; F = 1兆赫;吨
W
= 500纳秒
t
PLZ
On
t
PHZ
V
OH
V
HZ
LEN
t
w
t
s
VMO
VMO
0V
t
PLH
, t
PHL
V
OH
VMO
V
OL
波形3 - LE到对传输延迟,最小LE
脉冲宽度, DN到LE建立和保持时间
t
R
= t
F
= 2.5纳秒,10%至90% ; F = 1兆赫;吨
W
= 500纳秒,除非说明
t
h
V
CC
V
CC
Dn
VMI
0V
VMI
0V
On
图3. AC波形
表2.交流波形
V
CC
符号
VMI
VMO
V
HZ
V
LZ
3.3 V
±
0.3 V
1.5 V
1.5 V
V
OL
+ 0.3 V
V
OH
0.3 V
2.7 V
1.5 V
1.5 V
V
OL
+ 0.3 V
V
OH
0.3 V
2.5 V
+
0.2 V
V
CC
/ 2
V
CC
/ 2
V
OL
+ 0.15 V
V
OH
015 V
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数量
封装
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MC74LCX16373DTG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881969403 复制
电话:13410665908
联系人:王小姐
地址:福田区华强北远望数码城一楼B1016
MC74LCX16373DTG
ON/安森美
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1000
BGA
原装正品
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MC74LCX16373DTG
ON SEMICONDUCTOR
2033+
5000
NA
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联系人:刘经理
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9852
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电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
MC74LCX16373DTG
ON SEMICONDUCTOR
20+
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