MC33153
单IGBT栅极驱动器
该MC33153是专为高的IGBT驱动器
电源应用，其中包括交流感应电机控制，无刷
直流电机控制和不间断电源。虽然
设计用于驱动分立和模块的IGBT ，该器件提供了一个
用于驱动功率MOSFET和双极成本效益的解决方案
晶体管。器件的保护功能包括的选择
饱和或过流检测和欠压检测。这些
设备是在双列直插式可及表面安装封装。
特点
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记号
图表
8
SOIC8
后缀
CASE 751
1
33153
ALYW
G
高电流输出级： 1.0的源/ 2.0水槽
保护电路的传统和意识的IGBT
可编程故障消隐时间
过电流保护和短路
欠压锁定优化IGBT的
负栅极驱动能力
成本有效地推动了功率MOSFET和双极晶体管
无铅包可用
1
V
CC
6
V
CC
V
CC
短路
LATCH
S
Q
R
V
EE
过电流
LATCH
S
Q
R
短路
比较
V
CC
过电流
比较
130毫伏
65毫伏
V
CC
270
mA
V
EE
V
CC
2
当前
SENSE
1输入
开
GND
1
8
PDIP8
P后缀
CASE 626
1
MC33153P
AWL
YYWWG
故障
输出7
A
=大会地点
L， WL =晶圆地段
Y， YY =年
W， WW =工作周
G
或G = Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚连接
电流检测
输入
开尔文GND
V
EE
1
2
3
4
（ TOP VIEW ）
8故障屏蔽/
饱和INPUT
7故障输出
6 V
CC
5驱动器输出
故障消隐/
饱和
比较
6.5 V
V
EE
故障
8消隐/
饱和
输入
V
CC
V
CC
输入
4
V
EE
产量
舞台
DRIVE
5 OUTPUT
100 k
输入
V
CC
下
电压
封锁
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
V
EE
12 V/
11 V
3
V
EE
该器件包含133有源晶体管。
图1.典型框图
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 修订版5
出版订单号：
MC33153/D
MC33153
最大额定值
等级
电源电压
逻辑输入
电流检测输入
消隐/饱和度降低输入
栅极驱动输出
源出电流
灌电流
二极管钳位电流
故障输出
源出电流
灌电流
功耗和热特性
后缀SO - 8封装，凯斯751
最大功率耗散@ T
A
= 50°C
热阻，结到空气
P后缀DIP - 8封装，凯斯626
最大功率耗散@ T
A
= 50°C
热阻，结到空气
工作结温
工作环境温度
存储温度范围
V
CC
到V
EE
开尔文地到V
EE
（注1 ）
符号
V
CC
V
EE
KGND - V
EE
V
in
V
S
V
BD
I
O
价值
20
V
EE
-0.3到V
CC
-0.3到V
CC
-0.3到V
CC
1.0
2.0
1.0
mA
25
10
单位
V
V
V
V
A
I
FO
P
D
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
0.56
180
1.0
100
+150
-40到+105
-65到+150
W
° C / W
W
° C / W
°C
°C
°C
注：可根据要求提供ESD数据。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.开尔文接地必须始终V之间
EE
和V
CC
.
电气特性
(V
CC
= 15 V, V
EE
= 0 V ，开尔文GND连接到V
EE
。对于典型值T
A
= 25°C,
为了最小值/最大值值T
A
是应用于（注2）除非另有说明，所述操作环境温度范围）。
特征
逻辑输入
输入阈值电压
高状态（逻辑1 ）
低状态（逻辑0 ）
输入电流
高邦（V
IH
= 3.0 V)
低状态（V
IL
= 1.2 V)
输出驱动器
输出电压
低状态（我
SINK
= 1.0 A)
高邦（我
来源
= 500 mA）的
输出下拉电阻
故障输出
输出电压
低状态（我
SINK
= 5.0 mA）的
高邦（我
来源
= 20 mA）的
开关特性
传播延迟（ 50 ％输入到50 ％输出C
L
= 1.0 NF）
逻辑输入驱动输出上升
逻辑输入驱动输出下降
驱动输出上升时间（ 10 ％至90 ％ ）C
L
= 1.0 nF的
驱动输出下降时间（ 90 ％至10 ％ ）C
L
= 1.0 nF的
传播延迟
电流检测输入驱动输出
故障消隐/饱和度降低输入驱动输出
ns
t
PLH （输入/输出）
t
PHL （输入/输出）
t
r
t
f
t
P（ OC ）
t
P（ FLT ）
80
120
17
17
0.3
300
300
55
55
1.0
ns
ns
ms
V
V
FL
V
FH
12
0.2
13.3
1.0
V
V
OL
V
OH
R
PD
12
2.0
13.9
100
2.5
200
kW
V
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
1.2
2.70
2.30
130
50
3.2
mA
500
100
符号
民
典型值
最大
单位
测试过程中使用2，低占空比脉冲技术，以保持结点温度为接近环境成为可能。
T
低
= -40°C的MC33153
T
高
= + 105°C的MC33153
http://onsemi.com
2
MC33153
电气特性
（续） （V
CC
= 15 V, V
EE
= 0 V ，开尔文GND连接到V
EE
。对于典型值T
A
= 25°C,
为了最小值/最大值值T
A
是应用于（注3 ）中，除非另有说明的工作环境温度范围）。
特征
UVLO
启动电压
关闭电压
比较
过电流阈值电压（V
Pin8
> 7.0 V）
短路阈值电压（V
Pin8
> 7.0 V）
故障消隐/饱和度降低阈值（V
Pin1
> 100毫伏）
电流检测输入电流（V
SI
= 0 V)
故障屏蔽/饱和度INPUT
电流源（V
Pin8
= 0 V, V
Pin4
= 0 V)
放电电流（V
Pin8
= 15 V, V
Pin4
= 5.0 V)
设备总
电源电流
待机（V
引脚4
= V
CC
，输出开路）
工作（C
L
= 1.0 nF的， F = 20千赫）
I
CC
7.2
7.9
14
20
mA
I
CHG
I
DSCHG
200
1.0
270
2.5
300
mA
mA
V
SOC
V
SSC
V
日（ FLT ）
I
SI
50
100
6.0
65
130
6.5
1.4
80
160
7.0
10
mV
mV
V
mA
V
CC开始
V
CC DIS
11.3
10.4
12
11
12.6
11.7
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
测试过程中使用3.低占空比脉冲技术，以保持结点温度为接近环境成为可能。
T
低
= -40°C的MC33153
T
高
= + 105°C的MC33153
订购信息
设备
MC33153D
MC33153DG
MC33153DR2
MC33153DR2G
MC33153P
MC33153PG
T
A
= -40 °至+ 105°C
工作温度范围
包
SOIC8
SOIC8
（无铅）
SOIC8
SOIC8
（无铅）
PDIP8
PDIP8
（无铅）
航运
98单位/铁
98单位/铁
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
1.5
我在输入电流（mA）
VO ，输出电压（ V）
16
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
16
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
CC
= 15 V
T
A
= 25°C
1.0
0.5
V
CC
= 15 V
T
A
= 25°C
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
V
in
，输入电压（ V）
V
in
，输入电压（ V）
图2.输入电流与输入电压
图3.输出电压与输入电压
http://onsemi.com
3
QQ：2881677436 复制
