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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2652页 > MC33064DM-5R2
MC34064 , MC33064 ,
NCV33064
欠压传感
电路
该MC34064是一种低电压检测电路专
设计用作在重置控制器以微处理器为基础
系统。它提供了设计用于低电压的经济型解决方案
检测用单个外部电阻器。该MC34064有
修整级封装的带隙基准,并与比较器
精确的阈值和内置的滞后,以防止不稳定的复位
操作。集电极开路复位输出可以吸收的
超过10毫安,并保证工作下降到1.0V的输入与
低待机电流。 MC的设备均采用3引脚TO- 92 ,
微型尺寸TSOP - 5 , 8引脚SOIC -8和Micro8t表面贴装
包。在NCV器件封装在SOIC-8和TO- 92 。
应用范围包括直接监控5.0 V MPU /逻辑
用于家电,汽车,消费电子和工业电源
设备。
特点
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TO92
P后缀
CASE 29
1.脚复位
2.输入
3.地面
3
SOIC8
后缀
CASE 751
Micro8
DM后缀
CASE 846A
TSOP5
SN后缀
CASE 483
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
RESET
输入
NC
NC
1
2
8
1
8
1
5
1
修剪级封装温度补偿参考
4.6 V在25 ℃的阈值比较
精密比较器的阈值温度范围内保证
比较器迟滞防止不稳定复位
复位输出能够吸收在10mA的过剩
内部钳位二极管的放电延迟电容
保证复位操作使用1.0 V输入
低待机电流
经济型TO- 92 , TSOP - 5 , SOIC - 8和Micro8表面贴装
套餐
NCV前缀为汽车和其他需要现场
和控制变更
无铅包可用
输入
2 (2)
RESET
1 (1)
引脚连接
RESET 1
输入2
北卡罗来纳州3
地面4
( TOP VIEW )
8北卡罗来纳州
7北卡罗来纳州
6北卡罗来纳州
5北卡罗来纳州
订购信息
1.2 V
REF
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
器件标识信息
GND
3 (4)
=水槽只
正真逻辑
查看该设备一般标识信息标识
节本数据手册第7页。
相邻端子针脚数都为3引脚TO- 92封装。
括号中的数字引脚都为8引脚封装。
该器件包含21有源晶体管。
图1.典型框图
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年2月 - 12牧师
出版订单号:
MC34064/D
MC34064 , MC33064 , NCV33064
最大额定值
等级
电源输入电源电压
复位输出电压
复位输出灌电流(注2 )
钳位二极管的正向电流,引脚1 2 (注2 )
功耗和热特性
P后缀,塑料包装
最大功率耗散@ T
A
= 25°C
热阻,结到空气
后缀,塑料包装
最大功率耗散@ T
A
= 25°C
热阻,结到空气
DM后缀,塑料包装
最大功率耗散@ T
A
= 25°C
热阻,结到空气
工作结温
工作环境温度
MC34064
MC33064
NCV33064
存储温度范围
符号
V
in
V
O
I
SINK
I
F
价值
-1.0到10
10
国内
有限
100
单位
V
V
mA
mA
P
D
R
qJA
P
D
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
T
A
625
200
625
200
520
240
+150
0至+70
-40至+85
-40到+125
mW
° C / W
mW
° C / W
mW
° C / W
°C
°C
T
英镑
-65到+150
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1. ESD数据可根据要求提供。
电气特性
(对于典型值T
A
= 25 ℃,最小/最大值T
A
是在工作环境温度范围
适用[注释3和4]除非另有说明)。
特征
比较
阈值电压
高输出状态(V
in
增加)
低状态输出(V
in
递减)
迟滞
复位输出
输出灌饱和
(V
in
= 4.0 V,I
SINK
= 8.0毫安)
(V
in
= 4.0 V,I
SINK
= 2.0 mA)的
(V
in
= 1.0 V,I
SINK
= 0.1 mA)的
输出灌电流(V
in
,复位= 4.0 V)
输出断态泄漏(V
in
,复位= 5.0 V)
钳位二极管的正向电压,引脚1 2(I
F
= 10 mA)的
设备总
工作输入电压范围
静态输入电流(V
in
= 5.0 V)
V
in
I
in
1.0 6.5
390
500
V
mA
V
OL
I
SINK
I
OH
V
F
10
0.6
0.46
0.15
27
0.02
0.9
1.0
0.4
0.1
60
0.5
1.2
mA
mA
V
V
V
V
IH
V
IL
V
H
4.5
4.5
0.01
4.61
4.59
0.02
4.7
4.7
0.05
符号
典型值
最大
单位
2.最大功率极限必须遵守。
测试过程中使用3.低占空比脉冲技术,以保持结点温度为接近环境成为可能。
T
= + 70°C的MC34064
4. T
= 0 ℃, MC34064
-40 ℃的MC33064
+ 85°C的MC33064
-40 ℃的NCV33064
+ 125 ℃的NCV33064
5. NCV前缀为汽车,并要求现场和变更控制等应用。
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2
MC34064 , MC33064 , NCV33064
10
R
L
= 10千到V
in
T
A
= 25°C
VO ,输出电压( V)
VO ,输出电压( V)
8.0
6.0
4.0
2.0
0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
5.0
R
L
= 10千到V
in
T
A
= 25°C
0
2.0
4.0
6.0
V
in
,输入电压( V)
8.0
10
4.560
4.580
4.600
V
in
,输入电压( V)
4.620
4.640
图2.复位输出电压与
输入电压
图3.复位输出电压与
输入电压
4.630
V th时,阈值电压( V)
R
L
= 10千到V
in
4.620
4.610
4.600
4.590
4.580
4.570
55
阈值下限
低态输出
25
0
25
50
75
100
125
我在输入电流(mA)
阈值上限
高输出状态
1.0
0.8
0.6
+85°C
0.4
0.2
0
T
A
= +25°C
+85°C
40°C
T
A
= +25°C
40°C
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
T
A
,环境温度( ° C)
V
in
,输入电压( V)
图4.比较器的阈值电压
与温度的关系
图5.输入电流与输入电压
2.0
V
in
= 4.0 V
V OL ,输出饱和(V )
1.5
T
A
= 85°C
T
A
= 40°C
1.0
4.0 V
V
in
10k
RESET
RESET
T
A
= 25°C
90%
V
in
= 5.0 V至4.0 V
R
L
= 10 k
T
A
= 25°C
V
in
5.0 V
0.5
10%
0
5.0V
4.0V
REF
0
10
20
30
I
SINK
,灌电流(毫安)
40
200 ns /格
图6.复位输出饱和度对比
灌电流
图7.复位延迟时间
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3
MC34064 , MC33064 , NCV33064
80
I F ,正向电流(mA )
V
in
= 0 V
T
A
= 25°C
60
40
20
0
0
0.4
0.8
1.2
V
F
,正向电压( V)
1.6
图8.钳位二极管的正向电流随电压
+
动力
供应
2 (2)
1 (1)
R
RESET
微处理器
电路
+
1.2 V
REF
C
DLY
一时间延迟复位可实现与
C添加
DLY
。对于具有极快的系统
建议电源的上升时间( <500 NS )
该RC
DLY
时间常数大于5.0
女士。
V
TH ( MPU )
是微处理器的复位输入端的阈值。
1
t
DLY
= RC
DLY
In
1
V
TH ( MPU )
V
in
3 (4)
图9.低电压微处理器复位
测试数据
R
H
+
动力
供应
1 (1)
+
1.2V
REF
V
H
4.6 R
H
+ 0.02
R
L
I
in
2 (2)
R
L
RESET
V
H
(毫伏)
20
51
40
81
71
112
100
164
190
327
276
480
DV
th
(毫伏)
0
3.4
6.8
6.8
10
10
16
16
34
34
51
51
R
H
(W)
0
10
20
20
30
30
47
47
100
100
150
150
R
L
( kW)的
0
1.5
4.7
1.5
2.7
1.5
2.7
1.5
2.7
1.5
2.7
1.5
微处理器
电路
DV
个(低级)
340 R
H
x 10
6
式中,R
H
150
W
其中:
R
L
1.5
W,
10千瓦
3 (4)
迟滞比较器能够增大与除了电阻器R的
H
。磁滞式已
简化,没有考虑输入电流I的变化
in
为V
CC
跨越门槛比较
(图4) 。下限阈值的增加
DV
个(低级)
由于可以观察到我
in
这通常是340
mA
at
4.59五,方程是准确的
±10%
有R
H
不到150
W
和R
L
1.5千瓦和10千瓦
.
图10.低电压微处理器复位与其他迟滞
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4
MC34064 , MC33064 , NCV33064
1.0k
+
动力
供应
+
1.2V
REF
3 (4)
2 (2)
1 (1)
+
2 (2)
1 (1)
+
1.2V
REF
3 (4)
太阳的
细胞
图11.电压监控器
25mH
V
in
= 11.5
到14.5V
470
22
4.7k
330
2 (2)
1N756
TEST
+
680
1.2k
MPSW51A
+
470
1N5819
+
图12.太阳能电池充电器
V
O
= 5.0 V
I
O
= 50毫安
条件
V
in
= 11.5 V至14.5 V,I
O
= 50毫安
V
in
= 12.6 V,I
O
= 0 mA至50毫安
V
in
= 12.6 V,I
O
= 50毫安
V
in
= 12.6 V,I
O
= 50毫安
结果
35毫伏
12毫伏
60 mVpp的
77%
线路调整
1 (1)
+
1.2V
REF
3 (4)
负载调整率
输出纹波
效率
图13.低功耗开关稳压器
V
CC
R
L
MTP3055EL
270
4.6V
2 (2)
1 (1)
+
1.2V
REF
3 (4)
的逻辑电平功率MOSFET由于没有足够的栅极电压过热也可以与上述被防止
电路。当输入信号低于4.6V的阈值的MC34064 ,它的输出为由L形中的栅极
2
MOSFET。
图14. MOSFET低电压栅极驱动器保护
http://onsemi.com
5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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