19-1709 ;第2版; 5/03
快速，低电压，双路SPDT 4Ω
CMOS模拟开关
概述
在MAX4635 / MAX4636的速度快，双4Ω单
该操作单刀/双掷（ SPDT ）模拟开关
与电源电压为+ 1.8V至+ 5.5V 。高开关
荷兰国际集团的速度， 1Ω导通电阻平坦度和低功耗
消费使这些器件非常适用于音频/视频，
通信和电池供电设备。
包含两个独立控制的SPDT
交换机采用10引脚μMAX和10引脚3mm x 3mm薄型
QFN封装， MAX4635 / MAX4636采用小板
空间，并具有低功率消耗，确保MIN-
进制影响您的功率预算。该模拟信号
范围延伸到供电轨。该MAX4635具有
逻辑反相相比， MAX4636 。
特点
o
保证导通电阻
4Ω （最大） + 5V电源
5.5Ω （最大值） + 3V电源
o
通道间匹配保证
0.2Ω （最大）
o
保证平整度在信号范围
1Ω （最大值）与+ 5V电源
o
快速开关速度
14ns （最大值）开启时间
为6ns （最大）关闭时间
o
1.8V操作
100Ω （典型值）的导通电阻过热
56ns （典型值）的导通时间
为17ns （典型值）关断时间
o
+ 1.8V至+ 5.5V单电源供电
o
轨到轨
信号处理
o
低串扰： -67dB频率为1MHz
o
高关断隔离： -65dB频率为1MHz
o
THD： 0.1％
MAX4635/MAX4636
________________________Applications
电池供电设备
继电器更换
音频和视频信号路由
低电压数据采集系统
采样保持电路
通信电路
订购信息
部分
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN的
包
10 μMAX
10薄
QFN （ 3
3)
10 μMAX
10薄
QFN （ 3
3)
顶部
标志
—
AAT
—
AAO
轨到轨是日本摩托罗拉公司的注册商标。
MAX4635EUB
MAX4635ETB
MAX4636EUB
MAX4636ETB
引脚配置/功能框图/真值表
顶视图
IN1 1
NO1 2
GND 3
NO2 4
IN2 5
10 COM1 IN1 1
9 NC1
NC1 2
GND 3
NC2 4
10 COM1 IN1 1
9 NO1
NO1 2
GND 3
NO2 4
10 COM1 IN1 1
9 NC1
NC1 2
GND 3
NC2 4
10 COM1
9 NO1
MAX4635
8 V+
7 NC2
MAX4636
8 V+
7 NO2
MAX4635
8 V+
7 NC2
MAX4636
8 V+
7 NO2
6 COM2
6 COM2 IN2 5
6 COM2 IN2 5
6 COM2 IN2 5
μMAX
μMAX
IN-
0
1
3× 3的薄型QFN
NO_ TO COM_ NC_ TO COM_
关闭
ON
ON
关闭
3× 3的薄型QFN
如图所示为"0"输入开关
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
快速，低电压，双路SPDT 4Ω
CMOS模拟开关
MAX4635/MAX4636
绝对最大额定值
（电压参考GND）
V + ， IN_ ............................................... ......................- 0.3V至+ 6V
COM_ ， NC_ ， NO_ （注1） .......................... -0.3V到（V + + 0.3V ）
连续电流到任何终端............................. ± 30毫安
峰值电流为COM_ ， NC_ ， NO_
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比） ................................. ±100
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
10引脚μMAX封装（减免4.7mW / ° C以上+ 70 ° C） ............为330mW
10引脚薄型QFN封装（减免24.4mW / ° C以上+ 70 ° C） ..1951mW
工作温度范围.......................... -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围........................... -65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............................... + 300℃
注1 ：
在NO_ ， NC_ ，或COM_超过V +或GND信号由内部二极管钳位。限正向二极管电流为最大，
妈妈的额定电流。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性，单+ 5V电源
（V + = + 4.5V至+ 5.5V ，V
IH
= +2.4V, V
IL
= + 0.8V ，T
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
（注2,9 ）
参数
模拟开关
模拟信号范围
V
COM_
,
V
NO_
,
V
NC_
R
ON
R
ON
R
平（ON）的
I
NC_ （OFF）的
,
I
NO_ （OFF）的
V + = 4.5V时，我
COM_
= 10毫安，
V
NO_
或V
NC_
= 0 V +
V + = 4.5V时，我
COM_
= 10毫安，
V
NO_
或V
NC_
= 0 V +
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
0.5
±0.01
0.1
0
2.5
V+
4
4.5
0.2
0.4
1
1.2
-0.1
-0.3
-0.1
-0.3
-0.1
-0.3
±0.01
±0.01
0.1
nA
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
0.3
0.1
nA
0.3
0.1
nA
0.3
V
符号
条件
民
典型值
最大
单位
导通电阻
导通电阻匹配
通道之间（注3,4）
导通电阻平坦度
（注5 ）
NO_ ， NC_关断漏电流
（注6 ）
COM_关断漏电流
（注6 ）
COM_导通漏电流
（注6 ）
数字I / O （ IN1 ， IN2 ）
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏电流
V + = 4.5V时，我
COM_
= 10毫安，T
A
= +25°C
V
NO_
或V
NC_
= 0 V +
T
A
= T
民
给T
最大
V+ = 5.5V; V
COM_
= 1V,
4.5V; V
NO_
或V
NC_
= 4.5V,
1V
T
A
= +25°C
V+ = 5.5V; V
COM_
= 1V,
I
COM_ （OFF）的
4.5V; V
NO_
或V
NC_
= 4.5V,
1V
I
COM_ （ON）的
V+ = 5.5V; V
COM_
= 4.5V,
1V; V
NO_
或V
NC_
= 4.5V,
1V或浮动
V
IH
V
IL
I
IH
, I
IL
V
IN-
= 0或+ 5.5V
2.4
0.8
-100
5
100
V
V
nA
2
_______________________________________________________________________________________
快速，低电压，双路SPDT 4Ω
CMOS模拟开关
电气特性，单+ 5V电源（续）
（V + = + 4.5V至+ 5.5V ，V
IH
= +2.4V, V
IL
= + 0.8V ，T
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
（注2,9 ）
参数
动态
开启时间
（注6 ）
打开-O FF时间
（注6 ）
先开后合式时间
（注6 ）
电荷注入
NO_ ， NC_关断电容
COM_导通电容
关断隔离（注7 ）
串扰（注8）
总谐波失真
供应
正电源电流
I+
V+ = 5.5V, V
IN-
= 0或V +的
0.001
1.0
A
t
ON
V
NO_
, V
NC_
= 3V;
R
L
= 300, C
L
= 35pF ，
图1A
V
NO_
, V
NC_
= 3V;
R
L
= 300, C
L
= 35pF ，
图1A
V
NO_
, V
NC_
= 3V;
R
L
= 300, C
L
= 35pF ，
图1b
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
1
2
9
32
-52
-65
-66
-67
0.1
pC
pF
pF
dB
dB
%
7
ns
5
12
14
ns
16
6
ns
8
符号
条件
民
典型值
最大
单位
MAX4635/MAX4636
t
关闭
t
BBM
Q
V
根
= 2V ，R
根
= 0, C
L
= 1.0nF ，图2中
C
NO_ （OFF）的
,
V
NO_
, V
NC_
= GND ， F = 1MHz时，图3
C
NC_ （OFF）的
C
COM_ （ON）的
V
COM_
= GND ， F = 1MHz时，图3
V
ISO
V
CT
THD
C
L
= 5pF的，R
L
= 50Ω中，f = 10MHz时，图4中
C
L
= 5pF的，R
L
= 50Ω ， F = 1MHz时，图4
C
L
= 5pF的，R
L
= 50Ω中，f = 10MHz时，图4中
C
L
= 5pF的，R
L
= 50Ω ， F = 1MHz时，图4
R
L
= 600, V
NO_
= 5V
P-P
中，f = 20Hz到20kHz
电气特性， + 3V单电源
（V + = + 2.7V至+ 3.6V ，V
IH
= +2.0V, V
IL
= + 0.8V ，T
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
（注2,9 ）
参数
模拟开关
模拟信号范围
符号
V
COM_
,
V
NO_
,
V
NC_
R
ON
R
ON
R
平（ON）的
I
NO_ （ OFF）时，
I
NC_ （OFF）的
ICOM_ （OFF）的
条件
民
典型值
最大
单位
0
V + = 2.7V ，我
COM_
= 10毫安，
V
NO_
或V
NC_
= 0 V +
V + = 2.7V ，我
COM_
= 10毫安，
V
NO_
或V
NC_
= 0 V +
V + = 2.7V ，我
COM_
= 10毫安，
V
NO_
或V
NC_
= 0 V +
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
-0.1
-0.3
-0.1
-0.3
±0.01
±0.01
1.5
0.1
5
V+
5.5
8
0.2
0.4
2
2.5
0.1
0.3
0.1
0.3
V
导通电阻
导通电阻之间的匹配
信道（注3,4）
导通电阻平坦度
（注5 ）
NO_ ， NC_关断漏电流
（注6 ）
COM_关断漏电流
（注6 ）
nA
nA
V+ = 3.3V; V
COM_
= 1V ， 3V ;牛逼
A
= +25°C
V
NO_
或V
NC_
= 3V, 1V
T
A
= T
民
给T
最大
V+ = 3.3V; V
COM_
= 1V ， 3V ;牛逼
A
= +25°C
V
NO_
或V
NC_
= 3V, 1V
T
A
= T
民
给T
最大
_______________________________________________________________________________________
3
快速，低电压，双路SPDT 4Ω
CMOS模拟开关
MAX4635/MAX4636
电气特性， + 3V单电源（续）
（V + = + 2.7V至+ 3.6V ，V
IH
= +2.0V, V
IL
= + 0.8V ，T
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
（注2,9 ）
参数
COM_导通漏电流
（注6 ）
数字I / O （ IN1 ， IN2 ）
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏电流
动态
导通时间（注6 ）
t
ON
V
NO_
, V
NC_
= 2V;
C
L
= 35pF ，R
L
= 300,
图1A
V
NO_
, V
NC_
= 2V;
C
L
= 35pF ，R
L
= 300,
图1A
V
NO_
, V
NC_
= 2V;
C
L
= 35pF ，R
L
= 300,
图1b
Q
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
1
11
9
32
-52
-65
-66
-67
0.001
1
dB
dB
pC
pF
pF
7
ns
6
14
18
ns
20
8
ns
10
V
IH
V
IL
I
IH
, I
IL
V
IN
_ = 0或+ 5.5V
-100
5
2.0
0.4
100
V
V
nA
符号
I
COM_ （ON）的
条件
V+ = 3.3V; V
COM_
=1V,
3V; V
NO_
或V
NC_
= 1V,
3V，或浮
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
民
-0.1
-0.3
典型值
±0.01
最大
0.1
nA
0.3
单位
关断时间（注6 ）
t
关闭
先开后合式时间
（注6 ）
电荷注入
NO_ ， NC_关断电容
COM导通电容
关断隔离（注7 ）
串扰（注8）
供应
正电源电流
I+
V
根
= 1.5V ，R
根
= 0, C
L
= 1.0nF ，图2中
C
NO_ （OFF）的
,
V
NO_
, V
NC_
= GND ， F = 1MHz时，图3
C
NC_ （OFF）的
C
COM
（ON）的V
COM
= GND ， F = 1MHz时，图3
C
L
= 5pF的，R
L
= 50Ω中，f = 10MHz时，图4中
V
ISO
C
L
= 5pF的，R
L
= 50Ω ， F = 1MHz时，图4
V
CT
C
L
= 5pF的，R
L
= 50Ω中，f = 10MHz时，图4中
C
L
= 5pF的，R
L
= 50Ω ， F = 1MHz时，图4
V+ = 3.6V, V
IN
= 0或+ 3.6V
A
注2 ：
代数约定，其中最负的值是最小值和最积极的值最大时，采用的是
此数据表。
注3 ：
R
ON
= R
开（ MAX）的
- R
开（分钟）
.
注4 ：
R
ON
匹配规格QFN封装部件设计保证。
注5 ：
上测量的平整度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
指定模拟信号的范围。
注6 ：
通过设计保证。
注7 ：
关断隔离= 20log
10
(V
COM
/ V
NO
), V
COM
=输出，V
NO
=输入到开关。
注8 ：
任意两个交换机之间。
注9 ：
QFN封装器件在+ 25°C测试，并通过设计和相关性在整个温度范围内保证。
4
_______________________________________________________________________________________
快速，低电压，双路SPDT 4Ω
CMOS模拟开关
典型工作特性
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
MAX4635/MAX4636
导通电阻与V
COM
MAX4636-01
导通电阻与V
COM
和
温度（V + = + 3V ）
MAX4636-02
导通电阻与V
COM
和
温度（V + = + 5V ）
MAX4636-03
14
12
V+ = 1.8V
10
4.0
T
A
= +85°C
3.5
3.0
T
A
= +85°C
2.5
R
ON
()
R
ON
()
8
6
4
2
3.0
V+ = 3.0V
V+ = 4.5V
R
ON
()
2.0
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
1.5
0
0.5
1.0
1.5
V
COM
(V)
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
V
COM
(V)
V+ = 2.5V
2.5
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
V+ = 5.0V
0
0
1
2
3
4
5
V
COM
(V)
2.0
ON / OFF漏电流
与温度（ V + = + 5V ）
MAX4636-04
电荷注入与V
COM
MAX4636-05
TURN- ON / OFF时间
- 电源电压
MAX4636-06
0.15
0.10
0.05
0
泄漏（ NA）
-0.05
-0.10
-0.15
-0.20
-0.25
-0.30
-0.35
-50
0
50
NO
（关闭）
I
COM（上）
25
20
15
Q（ PC）
10
V
CC
= +3V
5
V
CC
= +5V
40
t
ON
/t
关闭
（纳秒）
20
t
ON
t
关闭
0
-5
100
0
1
2
3
4
5
温度（℃）
V
COM
(V)
0
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
电源电压（ V）
TURN- ON / OFF时间
与温度（ V + = + 5V ）
MAX4636-07
电源电流
与温度（ V + = + 5V ）
MAX4636-08
逻辑电平阈值
- 电源电压
MAX4636-09
25
2.0
2.5
逻辑电平阈值（ V）
-50
0
50
100
20
t
ON
/t
关闭
（纳秒）
t
ON
I+, I
GND
（ nA的）
1.5
2.0
15
1.5
1.0
10
t
关闭
1.0
0.5
5
0.5
0
-50
0
50
100
温度（℃）
0
温度（℃）
0
1
2
3
电源电压（ V）
4
5
_______________________________________________________________________________________
5
QQ：2881677436 复制
