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MC74VHCT259A
8位可寻址
锁存器/ 1- - 8解码器
CMOS逻辑电平转换器
与LSTTL兼容输入
该MC74VHCT259是一个8位可寻址锁存与制造
硅栅CMOS技术。它实现了高速操作
类似相当于双极肖特基TTL ,同时保持CMOS
低功耗。
内部电路由三个阶段,包括一个缓冲
输出,提供高抗噪性和稳定的输出。
该VHC259被设计为在通用存储应用
数字系统。该设备具有4种操作模式,如图
模式选择表。在可寻址锁存模式中,在信号
数据在被写入到所寻址的锁存器。该解决闩如下
的数据输入与所有非寻址锁存器中剩余的其
以前的状态。在内存模式下,所有插销留在自己的
先前的状态,并且不受数据或地址输入。在
一的八个解码或解复用模式中,被寻址的输出
以下数据的状态与在低状态的所有其它输出。在
在复位模式下,所有的输出都为低电平而不受地址
和数据输入。当操作VHCT259作为寻址
锁存器,在地址更改多个位可以并处一
瞬时错误的地址。因此,这仅应,而在完成的
内存模式。
该VHCT输入与TTL电平兼容。该器件可
用作电平转换器,用于连接3.3伏至5.0 V,因为它
有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。
该VHCT259A输入结构时提供保护电压
在0 V和5.5 V适用,不论电源电压。
输出结构还当V提供保护
CC
= 0 V.这些
输入和输出结构有助于防止因设备损坏
电源电压输入/输出电压不匹配,电池备份,热
插入等。
特点
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记号
图表
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
1
VHCT259AG
AWLYWW
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
1
VHCT
259A
ALYWG
G
16
SOEIAJ16
M后缀
CASE 966
1
1
74VHCT259
ALYWG
A
=大会地点
WL ,L
=晶圆地段
Y
=年
WW ,W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
高速:吨
PD
= 7.6纳秒(典型值),在V
CC
= 5.0 V
低功耗:我
CC
= 2
mA
(最大)在T
A
= 25°C
TTL兼容的输入: V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
掉电保护的输入端和输出
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能: HBM > 2000 V
无铅包可用*
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年1月 - 第4版
出版订单号:
MC74VHCT259A/D
MC74VHCT259A
1
2
3
13
4
5
6
7
9
10
11
12
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
地址
输入
A0
A1
A2
A0
A1
A2
Q0
Q1
Q2
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
RESET
启用
DATA IN
Q7
Q6
Q5
Q4
DATA IN
RESET
启用
15
14
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
图2.引脚分配
图1.逻辑图
A0
A1
A2
1
2
3
BIN /华侨城
1
2
4
0
1
2
3
4
ID
EN
R
5
6
7
4
5
6
7
8
10
11
12
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
A0
A1
A2
1
2
3
多路分解器
0
2
0
G
7
0
1
2
3
4
ID
EN
R
5
6
7
4
5
6
7
8
10
11
12
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
13
14
15
13
14
15
图3. IEC逻辑符号
模式选择表
启用
L
H
L
H
锁存器选型表
地址输入
C
L
L
L
L
H
H
H
H
B
L
L
H
H
L
L
H
H
A
L
H
L
H
L
H
L
H
RESET
H
H
L
L
模式
可寻址锁存器
内存
8行解复用器
RESET
LATCH
讨论
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
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2
MC74VHCT259A
数据输入
13
D
4
Q0
D
5
Q1
D
6
Q2
D
A0
地址
输入
3至8个
解码器
D
A2
7
Q3
A1
9
Q4
D
启用
14
10
Q5
D
11
Q6
D
12
Q7
RESET
15
图4.扩展逻辑图
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3
MC74VHCT259A
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
V
ESD
正直流电源电压
数字输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
ESD耐压
人体模型(注1 )
机器模型(注2 )
带电器件模型(注3 )
上述V
CC
及以下GND在125 ° C(注4 )
SOIC封装
TSSOP
SOIC封装
TSSOP
输出三态
高电平或者低电平状态
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
20
$20
$25
$75
200
180
-65到+150
>2000
>200
>2000
$300
143
164
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
V
I
闭锁
q
JA
闭锁性能
mA
° C / W
热阻,结到环境
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
2.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
3.经测试JESD22 - C101 -A
4.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围,所有封装类型
输入信号上升和下降时间
V
CC
= 5.0 V + 0.5 V
输出三态
高电平或者低电平状态
特征
4.5
0
0
0
55
0
最大
5.5
5.5
5.5
V
CC
125
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温随时间的变化TO
0.1%的接合故障
归一化故障率
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
时间,时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间,岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 130
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 110
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 80
°
C
100
时间,岁月
TJ = 90
°
C
1
1
10
1000
图5.故障率与时间的结温
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4
MC74VHCT259A
DC特性
(电压参考GND)
V
CC
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最小高级别
输入电压
最底层
输入电压
最高层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -8毫安
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 8毫安
I
IN
I
CC
I
CCT
输入漏电流
最大静态
电源电流
其他静态
电源电流
(每针)
输出漏电流
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
任何一个输入:
V
IN
= 3.4 V
所有其它输入:
V
IN
= V
CC
或GND
V
OUT
= 5.5 V
条件
(V)
4.5 5.5
4.5 5.5
2
0.8
T
A
= 25°C
典型值
最大
T
A
85°C
2
0.8
最大
55°C
T
A
125°C
2
0.8
最大
单位
V
V
V
4.5
4.5
4.5
4.5
0至5.5
5.5
5.5
4.4
3.94
0
0.1
0.36
±0.1
4.0
1.35
4.5
4.4
3.8
0.1
0.44
±1.0
40.0
1.5
4.4
3.66
V
0.1
0.52
±1.0
40.0
1.5
mA
mA
mA
I
OPD
0
0.5
5
5
mA
AC电气特性
(输入吨
r
= t
f
= 3.0ns )
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
测试条件
T
A
= 25°C
典型值
8.5
8.5
6.0
6.0
8.5
8.5
6.0
8.5
8.5
8.5
6.0
8.5
8.5
8.5
6.0
8.5
6
T
A
=
85°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
13.0
18.0
9.5
11.5
55°C
T
A
125°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
13.0
18.0
9.5
11.5
最大
单位
ns
最大传播
延迟,数据到输出
(图6和图11)
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
11.0
16.0
8.0
10.0
11.0
16.0
8.0
10.0
11.0
16.0
8.0
10.0
11.0
16.0
8.0
10.0
10
t
PLH
,
t
PHL
最大传播
延迟,地址选择
输出
(图7和图11 )
13.0
18.0
9.5
11.5
13.0
18.0
9.5
11.5
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传播
延迟,使能到输出
(图8和图11)
13.0
18.0
9.5
11.5
13.0
18.0
9.5
11.5
ns
t
PHL
最大传播
延迟,复位到输出
(图9和11 )
13.0
18.0
9.5
11.5
10
13.0
18.0
9.5
11.5
10
ns
C
IN
最大输入
电容
pF
典型的25°C ,V
CC
= 5.0V
30
C
PD
功率耗散电容(注5 )
pF
5. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到:我
CC ( OPR
)
= C
PD

V
CC

f
in
+ I
CC
. C
PD
用于确定空载动态
功耗; P
D
= C
PD

V
CC2

f
in
+ I
CC

V
CC
.
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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