MC10EP105 ， MC100EP105
3.3V / 5V ECL四2输入
差分和/ NAND
在MC10 / 100EP105是一款四2输入差分与/非
门。每个门是功能等效EP05和LVEL05
设备。与AC性能比LVEL05装置快得多，
在EP105适用于需要以最快AC应用
性能可用。
100系列包含温度补偿。
http://onsemi.com
275 ps的典型传播延迟
最大频率
＆ GT ;
3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
LQFP–32
FA后缀
CASE 873A
记号
图*
MCxxx
EP105
AWLYYWW
32
1
= 10或100
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
安全钳上的投入
xxx
A
WL
YY
WW
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
MC10EP105FA
MC10EP105FAR2
MC100EP105FA
MC100EP105FAR2
包
LQFP–32
LQFP–32
LQFP–32
LQFP–32
航运
250单位/托盘
2000磁带&卷轴
250单位/托盘
2000磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年9月 - 修订版8
出版订单号：
MC10EP105/D
MC10EP105 ， MC100EP105
D0B D1a而D1a而D1b的D1b的D2A D2A D2B
D0a
D0a
D0b
16
15
14
D2b
D3a
D3a
V
CC
D3b
D3b
V
EE
NC
D0b
D1a
D1a
D1b
D1b
D2a
D2a
D2b
D2b
D3a
D3a
D3b
D3b
Q0
Q0
24
D0b
D0a
D0a
V
EE
Q0
Q0
V
CC
V
CC
25
26
27
28
29
30
31
32
1
23
22
21
20
19
18
17
Q1
Q1
MC10EP105
MC100EP105
13
12
11
10
9
Q2
Q2
2
3
4
5
6
7
8
Q3
Q3
V
CC
Q1
Q1
Q2
Q2
Q3
Q3
V
CC
V
EE
警告：所有V
CC
和V
EE
引脚必须外接
在电力供应，以保证正常运行。
图1. 32引脚LQFP封装引脚
（ TOP VIEW ）
图2.逻辑图
引脚说明
针
DNA * ， * DNB的DNA * ， DNB *
QN，尺寸Qn
V
CC
V
EE
NC
功能
ECL数据输入
ECL输出数据
正电源
负电源
无连接
真值表
脱氧核糖核酸
L
L
H
H
DNB
L
H
L
H
脱氧核糖核酸
H
H
L
L
DNB
H
L
H
L
Qn
L
L
L
H
Qn
H
H
H
L
*当悬空引脚默认为低电平。
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
不适用
＆ GT ;
4千伏
＆ GT ;
100 V
＆ GT ;
2千伏
LEVEL 2
氧指数：28 34
UL- 94 V-0 @ 0.125在
444设备
湿度敏感度（注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
http://onsemi.com
2
MC10EP105 ， MC100EP105
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
TA
T
英镑
θ
JA
θ
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模式在UT电压
输入
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
＆ LT ;
2至3秒@ 248 ℃下
32 LQFP
32 LQFP
32 LQFP
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
≤
V
CC
V
I
≥
V
EE
条件2
等级
6
–6
6
–6
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
80
55
12至17
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注3）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分）（注5）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
45
2165
1365
2090
1365
2.0
典型值
58
2290
1490
最大
75
2415
1615
2415
1690
3.3
150
0.5
民
45
2230
1430
2155
1460
2.0
25°C
典型值
59
2355
1555
最大
75
2480
1680
2480
1755
3.3
150
0.5
民
45
2290
1490
2215
1490
2.0
85°C
典型值
60
2415
1615
最大
75
2540
1740
2540
1815
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
4.所有装载50
到V
CC
-2.0伏。
5. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注6 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注7 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分） （注8 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
45
3865
3065
3790
3065
2.0
典型值
58
3990
3190
最大
75
4115
3315
4115
3390
5.0
150
0.5
民
45
3930
3130
3855
3130
2.0
25°C
典型值
59
4055
3255
最大
75
4180
3380
4180
3455
5.0
150
0.5
民
45
3990
3190
3915
3190
2.0
85°C
典型值
60
4115
3315
最大
75
4240
3440
4240
3515
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
7.所有装载50
到V
CC
-2.0伏。
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
3
MC10EP105 ， MC100EP105
10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V, V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注9 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注10 ）
输出低电压（注10 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分） （注11 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
45
–1135
–1935
–1210
–1935
V
EE
+2.0
典型值
58
–1010
–1810
最大
75
–885
–1685
–885
–1610
0.0
150
0.5
民
45
–1070
–1870
–1145
–1870
V
EE
+2.0
25°C
典型值
59
–945
–1745
最大
75
–820
–1620
–820
–1545
0.0
150
0.5
民
45
–1010
–1810
–1085
–1810
V
EE
+2.0
85°C
典型值
60
–885
–1685
最大
75
–760
–1560
–760
–1485
0.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
10.所有装载50
到V
CC
-2.0伏。
11. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注12 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注13 ）
输出低电压（注13 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分） （注14 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
45
2155
1355
2075
1355
2.0
典型值
59
2280
1480
最大
75
2405
1605
2420
1675
3.3
150
0.5
民
45
2155
1355
2075
1355
2.0
25°C
典型值
62
2280
1480
最大
75
2405
1605
2420
1675
3.3
150
0.5
民
45
2155
1355
2075
1355
2.0
85°C
典型值
64
2280
1480
最大
75
2405
1605
2420
1675
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
12.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
13.所有装载50
到V
CC
-2.0伏。
14. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注15 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注16 ）
输出低电压（ Note16 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分） （注17 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
45
3855
3055
3775
3055
2.0
典型值
59
3980
3180
最大
75
4105
3305
4120
3375
5.0
150
0.5
民
45
3855
3055
3775
3055
2.0
25°C
典型值
62
3980
3180
最大
75
4105
3305
4120
3375
5.0
150
0.5
民
45
3855
3055
3775
3055
2.0
85°C
典型值
64
3980
3180
最大
75
4105
3305
4120
3375
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
15.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
16.所有装载50
到V
CC
-2.0伏。
17. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
4
MC10EP105 ， MC100EP105
100EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V, V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注18 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注19 ）
输出低电压（注19 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分） （注20 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
45
–1145
–1945
–1225
–1945
V
EE
+2.0
典型值
59
–1020
–1820
最大
75
–895
–1695
–880
–1625
0.0
150
0.5
民
45
–1145
–1945
–1225
–1945
V
EE
+2.0
25°C
典型值
62
–1020
–1820
最大
75
–895
–1695
–880
–1625
0.0
150
0.5
民
45
–1145
–1945
–1225
–1945
V
EE
+2.0
85°C
典型值
64
–1020
–1820
最大
75
–895
–1695
–880
–1625
0.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
18.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
19.所有装载50
到V
CC
-2.0伏。
20. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
AC特性
V
CC
= 0 V; V
EE
= -3.0 V至-5.5 V或V
CC
= 3.0 V至5.5 V ; V
EE
= 0 V （注21 ）
–40°C
符号
f
最大
t
PLH
,
t
PHL
t
SKEW
t
抖动
V
PP
t
r
t
f
特征
最大频率
（参见图3 F
最大
/抖动）
传播延迟
差分输出
在设备倾斜
设备到设备倾斜（注22 ）
周期到周期抖动
（参见图3 F
最大
/抖动）
输入电压摆幅（差分）
输出上升/下降时间
(20% – 80%)
Q
150
100
175
民
典型值
>3
250
10
0.2
800
150
325
50
<1
1200
200
150
120
200
最大
民
25°C
典型值
>3
275
10
0.2
800
170
350
50
<1
1200
220
150
150
225
最大
民
85°C
典型值
>3
300
15
0.2
800
200
375
50
<1
1200
250
最大
单位
GHz的
ps
ps
ps
mV
ps
21.使用一个750毫伏源， 50％占空比的时钟源进行测定。所有装载50
到V
CC
–2.0 V.
22.倾斜测量在相同的输出转换之间。
1000
900
800
V
OUTpp
（毫伏）
700
600
500
400
300
200
100
0
（抖动）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
4000
5000
抖动
OUT
PS （ RMS）
0
1000
2000
3000
频率（MHz）
图3. F
最大
/抖动
http://onsemi.com
5
MC10EP105
产品预览
四2输入差分
AND / NAND
该MC10EP105是一个2输入差分与/与非门。每
门在功能上等同于一个EP05和LVEL05设备。同
AC性能比LVEL05设备要快得多，在EP105是
适用于需要以最快的AC性能可用的应用程序。
所有VCC和VEE引脚必须从外部连接到电源
保证正常运行。
http://onsemi.com
190ps的典型传播延迟
高带宽至3 GHz典型
ECL模式： 0V VCC与VEE = -3.0V至-5.5V
PECL模式：3.0V至5.5V的VCC与VEE = 0V
内部输入下拉电阻
ESD保护： >2KV HBM ， >100V MM
新的差分输入共模范围
湿度敏感度等级2
有关其他信息，请参见应用笔记AND8003 / D
可燃性等级： UL - 94码V- 0 @ 1/8“ ，
氧指数28 34
晶体管数量= 444设备
逻辑图
32引脚TQFP
FA后缀
CASE 873A
标记图*
MC10
EP105
AWLYYWW
32
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
引脚说明
针
功能
ECL数据输入
ECL输出数据
参考电压输出
正电源
负， 0供应
Q0
Q0
DNA ， DNB ，DNA， DNB
QN，尺寸Qn
VBB
VCC
Q1
Q1
VEE
D0a
D0a
D0b
D0b
D1a
D1a
D1b
D1b
D2a
D2a
D2b
D2b
D3a
D3a
D3b
D3b
Q2
Q2
脱氧核糖核酸
L
L
H
H
真值表
DNB
L
H
L
H
脱氧核糖核酸
H
H
L
L
DNB
H
L
H
L
Qn
L
L
L
H
Qn
H
H
H
L
Q3
Q3
订购信息
设备
MC10EP105FA
本文件包含有关正在开发中的产品信息。安森美半导体
保留不另行通知，以更改或终止本产品的权利。
包
TQFP
TQFP
航运
250单位/托盘
2000磁带&卷轴
MC10EP105FAR2
半导体元件工业有限责任公司1999年
1
1999年12月 - 修订版0
出版订单号：
MC10EP105/D
MC10EP105
D0B D1a而D1a而D1b的D1b的D2A D2A D2B
24
D0b
D0a
D0a
VEE
Q0
Q0
VCC
VCC
25
26
27
28
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
D2b
D3a
D3a
VCC
D3b
D3b
VEE
NC
MC10EP105
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
12
11
10
9
VCC Q1
Q1
Q2
Q2
Q3
Q3 VCC
图1. 32引脚TQFP封装引脚
（ TOP VIEW ）
警告：所有VCC和VEE引脚必须外接
在电力供应，以保证正常运行。
最大额定值*
符号
VEE
VCC
VI
VI
IOUT
TA
TSTG
θ
JA
θ
JC
TSOL
电源（ VCC = 0V）
电源（ VEE = 0V）
输入电压（ VCC = 0V ， VI不超过VEE负）
输入电压（ VEE = 0V ， VI不超过VCC更积极）
输出电流
工作温度范围
储存温度
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
焊接温度（ <2 3秒： 245℃所需）
静止的空气中
500lfpm
连续
浪涌
参数
价值
-6.0到0
6.0 0
-6.0到0
6.0 0
50
100
-40至+85
-65到+150
80
55
12至17
265
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
°C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
http://onsemi.com
2
MC10EP105
DC特性， ECL / LVECL
（ VCC = 0V ， VEE = -5.5V至-3.0V ） （注4 ）
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
特征
电源电流
（注1 ）
输出高电压
（注2 ）
输出低电压
（注2 ）
输入高电压
单端
输入低电压
单端
–1135
–1935
–1210
–1935
VEE+2.0
–1060
–1810
–885
–1685
–885
–1610
0.0
150
D
D
0.5
–150
0.5
–150
–1070
–1870
–1145
–1870
VEE+2.0
民
典型值
最大
民
25°C
典型值
59
–945
–1745
–820
–1620
–820
–1545
0.0
150
0.5
–150
–1010
–1810
–1085
–1810
VEE+2.0
–885
–1685
–760
–1560
–760
–1485
0.0
150
最大
民
85°C
典型值
最大
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
VIHCMR输入高电压共模
范围（注3 ）
IIH
IIL
输入高电流
输入低电平电流
注： 10EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500lfpm被保持。
1. VCC = 0V ， VEE = VEEmin到VEEmax ，所有其他引脚悬空。
2.用50欧姆的所有加载到VCC - 2.0伏。
3. VIHCMR分钟变化1： 1与VEE ，变化最大的1：1的VCC 。
4.输入和输出参数发生变化1 ： 1与VCC 。
直流特性， LVPECL
（VCC = 3.3V
±
0.3V ， VEE = 0V ）（注8 ）
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
特征
电源电流
（注5 ）
输出高电压
（注6 ）
输出低电压
（注6 ）
输入高电压
单端
输入低电压
单端
2165
1365
2090
1365
2.0
2240
1490
2415
1615
2415
1690
3.3
150
D
D
0.5
–150
0.5
–150
2230
1430
2155
1430
2.0
民
典型值
最大
民
25°C
典型值
59
2355
1555
2480
1680
2480
1755
3.3
150
0.5
–150
2290
1490
2215
1490
2.0
2415
1615
2540
1740
2540
1815
3.3
150
最大
民
85°C
典型值
最大
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
VIHCMR输入高电压共模
范围（注7 ）
IIH
IIL
输入高电流
输入低电平电流
注： 10EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500lfpm被保持。
5. VCC = 3.3V ， VEE = 0V ，所有其他引脚悬空。
6.用50欧姆的所有加载到VCC - 2.0伏。
7. VIHCMR分钟变化1： 1与VEE ，变化最大的1：1的VCC 。
8.输入和输出参数发生变化的1：1的VCC 。
http://onsemi.com
3
MC10EP105
直流特性， PECL
（VCC = 5.0V
±
0.5V ， VEE = 0V ）（注12 ）
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
特征
电源电流
（注9 ）
输出高电压
（注10 ）
输出低电压
（注10 ）
输入高电压
单端
输入低电压
单端
3865
3065
3790
3065
2.0
3940
3190
4115
3315
4115
3390
5.0
150
D
D
0.5
–150
0.5
–150
3930
3130
3855
3130
2.0
民
典型值
最大
民
25°C
典型值
59
4055
3255
4180
3380
4180
3455
5.0
150
0.5
–150
3990
3190
3915
3190
2.0
4115
3315
4240
3440
4240
3515
5.0
150
最大
民
85°C
典型值
最大
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
VIHCMR输入高电压共模
范围内（注11 ）
IIH
IIL
输入高电流
输入低电平电流
注： 10EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500lfpm被保持。
9. VCC = 5.0V ， VEE = 0V ，所有其他引脚悬空。
10.所有装载有50欧姆到VCC - 2.0伏。
11. VIHCMR分钟变化1： 1与VEE ，变化最大的1：1的VCC 。
12.输入和输出参数发生变化的1：1的VCC 。
AC特性
（ VCC = 0V ， VEE = -3.0V至-5.5V ）或（ VCC = 3.0V至5.5V ， VEE = 0V ）
–40°C
符号
FMAX
tPLH的，
的TPH1
TSKEW
tjitter
VPP
特征
最大切换
频率（注13 ）
传播延迟
差分输出
占空比歪斜（注14 ）
周期到周期抖动
输入电压摆幅（差异）。
150
5.0
待定
800
1200
150
民
典型值
3.0
最大
民
25°C
典型值
3.0
190
5.0
待定
800
1200
150
20
5.0
待定
800
1200
20
最大
民
85°C
典型值
3.0
最大
单位
GHz的
ps
ps
ps
mV
tr
输出上升/下降时间
Q
120
ps
tf
(20% – 80%)
13.最大频率保证唯一功能。 VOL和VOH电平，保证在DC只。
14.倾斜测量在相同的输出转换之间。占空比歪斜只为微分运算定义时的延误
从输入端的交叉点进行测量，以在输出端的交叉点。
http://onsemi.com
4
MC10EP105
包装尺寸
TQFP
FA后缀
32引脚塑封包装
CASE 873A -02
发出
A
A1
32
25
4X
0.20 （ 0.008 ） AB T- ü
1
–T–
B
B1
8
–U–
V
P
详细
17
AE
V1
AE
详细
9
–Z–
9
S1
S
4X
0.20 （ 0.008 ） AC T- ü
G
-AB-
座位
飞机
公元细节
-AC-
BASE
金属
N
F
8X
D
M
_
R
0.20 (0.008)
M
AC T- ü
0.10 （ 0.004 ）交流
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
-AB-位于底部3基准面
铅，正是暗合了这一LEAD
在其中引线离开塑料主体在
分型线的底部。
4.基准-T- ， -U- ，和-Z-是
DETERMINED AT基准面-AB- 。
5.尺寸S和V待确定AT
飞机座位-AC- 。
6.尺寸A和B不包括
模具的突起。 ALLOWABLE PROTRUSION
IS 0.250 （ 0.010 ），每边。尺寸A和B
包括不与ARE
DETERMINED AT基准面-AB- 。
7.尺寸D不包括密封条
前伸。 DAMBAR突出
不会导致D尺寸超过
0.520 (0.020).
8.最小焊接板厚度应
BE 0.0076 （ 0.0003 ） 。
每个角9确切的形状可能不同
从描绘。
MILLIMETERS
民
最大
7.000 BSC
3.500 BSC
7.000 BSC
3.500 BSC
1.400
1.600
0.300
0.450
1.350
1.450
0.300
0.400
0.800 BSC
0.050
0.150
0.090
0.200
0.500
0.700
12
_
REF
0.090
0.160
0.400 BSC
1
_
5
_
0.150
0.250
9.000 BSC
4.500 BSC
9.000 BSC
4.500 BSC
0.200 REF
1.000 REF
英寸
民
最大
0.276 BSC
0.138 BSC
0.276 BSC
0.138 BSC
0.055
0.063
0.012
0.018
0.053
0.057
0.012
0.016
0.031 BSC
0.002
0.006
0.004
0.008
0.020
0.028
12
_
REF
0.004
0.006
0.016 BSC
1
_
5
_
0.006
0.010
0.354 BSC
0.177 BSC
0.354 BSC
0.177 BSC
0.008 REF
0.039 REF
J
权证
部分AE -AE
X
公元细节
压力表飞机
http://onsemi.com
5
0.250 (0.010)
H
W
K
Q
_
暗淡
A
A1
B
B1
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
P
Q
R
S
S1
V
V1
W
X
-T- ， -U- ， -Z-
MC10EP105
产品预览
四2输入差分
AND / NAND
该MC10EP105是一个2输入差分与/与非门。每
门在功能上等同于一个EP05和LVEL05设备。同
AC性能比LVEL05设备要快得多，在EP105是
适用于需要以最快的AC性能可用的应用程序。
所有VCC和VEE引脚必须从外部连接到电源
保证正常运行。
http://onsemi.com
190ps的典型传播延迟
高带宽至3 GHz典型
ECL模式： 0V VCC与VEE = -3.0V至-5.5V
PECL模式：3.0V至5.5V的VCC与VEE = 0V
内部输入下拉电阻
ESD保护： >2KV HBM ， >100V MM
新的差分输入共模范围
湿度敏感度等级2
有关其他信息，请参见应用笔记AND8003 / D
可燃性等级： UL - 94码V- 0 @ 1/8“ ，
氧指数28 34
晶体管数量= 444设备
逻辑图
32引脚TQFP
FA后缀
CASE 873A
标记图*
MC10
EP105
AWLYYWW
32
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
引脚说明
针
功能
ECL数据输入
ECL输出数据
参考电压输出
正电源
负， 0供应
Q0
Q0
DNA ， DNB ，DNA， DNB
QN，尺寸Qn
VBB
VCC
Q1
Q1
VEE
D0a
D0a
D0b
D0b
D1a
D1a
D1b
D1b
D2a
D2a
D2b
D2b
D3a
D3a
D3b
D3b
Q2
Q2
脱氧核糖核酸
L
L
H
H
真值表
DNB
L
H
L
H
脱氧核糖核酸
H
H
L
L
DNB
H
L
H
L
Qn
L
L
L
H
Qn
H
H
H
L
Q3
Q3
订购信息
设备
MC10EP105FA
本文件包含有关正在开发中的产品信息。安森美半导体
保留不另行通知，以更改或终止本产品的权利。
包
TQFP
TQFP
航运
250单位/托盘
2000磁带&卷轴
MC10EP105FAR2
半导体元件工业有限责任公司1999年
1
1999年12月 - 修订版0
出版订单号：
MC10EP105/D
MC10EP105
D0B D1a而D1a而D1b的D1b的D2A D2A D2B
24
D0b
D0a
D0a
VEE
Q0
Q0
VCC
VCC
25
26
27
28
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
D2b
D3a
D3a
VCC
D3b
D3b
VEE
NC
MC10EP105
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
12
11
10
9
VCC Q1
Q1
Q2
Q2
Q3
Q3 VCC
图1. 32引脚TQFP封装引脚
（ TOP VIEW ）
警告：所有VCC和VEE引脚必须外接
在电力供应，以保证正常运行。
最大额定值*
符号
VEE
VCC
VI
VI
IOUT
TA
TSTG
θ
JA
θ
JC
TSOL
电源（ VCC = 0V）
电源（ VEE = 0V）
输入电压（ VCC = 0V ， VI不超过VEE负）
输入电压（ VEE = 0V ， VI不超过VCC更积极）
输出电流
工作温度范围
储存温度
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
焊接温度（ <2 3秒： 245℃所需）
静止的空气中
500lfpm
连续
浪涌
参数
价值
-6.0到0
6.0 0
-6.0到0
6.0 0
50
100
-40至+85
-65到+150
80
55
12至17
265
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
°C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
http://onsemi.com
2
MC10EP105
DC特性， ECL / LVECL
（ VCC = 0V ， VEE = -5.5V至-3.0V ） （注4 ）
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
特征
电源电流
（注1 ）
输出高电压
（注2 ）
输出低电压
（注2 ）
输入高电压
单端
输入低电压
单端
–1135
–1935
–1210
–1935
VEE+2.0
–1060
–1810
–885
–1685
–885
–1610
0.0
150
D
D
0.5
–150
0.5
–150
–1070
–1870
–1145
–1870
VEE+2.0
民
典型值
最大
民
25°C
典型值
59
–945
–1745
–820
–1620
–820
–1545
0.0
150
0.5
–150
–1010
–1810
–1085
–1810
VEE+2.0
–885
–1685
–760
–1560
–760
–1485
0.0
150
最大
民
85°C
典型值
最大
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
VIHCMR输入高电压共模
范围（注3 ）
IIH
IIL
输入高电流
输入低电平电流
注： 10EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500lfpm被保持。
1. VCC = 0V ， VEE = VEEmin到VEEmax ，所有其他引脚悬空。
2.用50欧姆的所有加载到VCC - 2.0伏。
3. VIHCMR分钟变化1： 1与VEE ，变化最大的1：1的VCC 。
4.输入和输出参数发生变化1 ： 1与VCC 。
直流特性， LVPECL
（VCC = 3.3V
±
0.3V ， VEE = 0V ）（注8 ）
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
特征
电源电流
（注5 ）
输出高电压
（注6 ）
输出低电压
（注6 ）
输入高电压
单端
输入低电压
单端
2165
1365
2090
1365
2.0
2240
1490
2415
1615
2415
1690
3.3
150
D
D
0.5
–150
0.5
–150
2230
1430
2155
1430
2.0
民
典型值
最大
民
25°C
典型值
59
2355
1555
2480
1680
2480
1755
3.3
150
0.5
–150
2290
1490
2215
1490
2.0
2415
1615
2540
1740
2540
1815
3.3
150
最大
民
85°C
典型值
最大
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
VIHCMR输入高电压共模
范围（注7 ）
IIH
IIL
输入高电流
输入低电平电流
注： 10EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500lfpm被保持。
5. VCC = 3.3V ， VEE = 0V ，所有其他引脚悬空。
6.用50欧姆的所有加载到VCC - 2.0伏。
7. VIHCMR分钟变化1： 1与VEE ，变化最大的1：1的VCC 。
8.输入和输出参数发生变化的1：1的VCC 。
http://onsemi.com
3
MC10EP105
直流特性， PECL
（VCC = 5.0V
±
0.5V ， VEE = 0V ）（注12 ）
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
特征
电源电流
（注9 ）
输出高电压
（注10 ）
输出低电压
（注10 ）
输入高电压
单端
输入低电压
单端
3865
3065
3790
3065
2.0
3940
3190
4115
3315
4115
3390
5.0
150
D
D
0.5
–150
0.5
–150
3930
3130
3855
3130
2.0
民
典型值
最大
民
25°C
典型值
59
4055
3255
4180
3380
4180
3455
5.0
150
0.5
–150
3990
3190
3915
3190
2.0
4115
3315
4240
3440
4240
3515
5.0
150
最大
民
85°C
典型值
最大
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
VIHCMR输入高电压共模
范围内（注11 ）
IIH
IIL
输入高电流
输入低电平电流
注： 10EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500lfpm被保持。
9. VCC = 5.0V ， VEE = 0V ，所有其他引脚悬空。
10.所有装载有50欧姆到VCC - 2.0伏。
11. VIHCMR分钟变化1： 1与VEE ，变化最大的1：1的VCC 。
12.输入和输出参数发生变化的1：1的VCC 。
AC特性
（ VCC = 0V ， VEE = -3.0V至-5.5V ）或（ VCC = 3.0V至5.5V ， VEE = 0V ）
–40°C
符号
FMAX
tPLH的，
的TPH1
TSKEW
tjitter
VPP
特征
最大切换
频率（注13 ）
传播延迟
差分输出
占空比歪斜（注14 ）
周期到周期抖动
输入电压摆幅（差异）。
150
5.0
待定
800
1200
150
民
典型值
3.0
最大
民
25°C
典型值
3.0
190
5.0
待定
800
1200
150
20
5.0
待定
800
1200
20
最大
民
85°C
典型值
3.0
最大
单位
GHz的
ps
ps
ps
mV
tr
输出上升/下降时间
Q
120
ps
tf
(20% – 80%)
13.最大频率保证唯一功能。 VOL和VOH电平，保证在DC只。
14.倾斜测量在相同的输出转换之间。占空比歪斜只为微分运算定义时的延误
从输入端的交叉点进行测量，以在输出端的交叉点。
http://onsemi.com
4
MC10EP105
包装尺寸
TQFP
FA后缀
32引脚塑封包装
CASE 873A -02
发出
A
A1
32
25
4X
0.20 （ 0.008 ） AB T- ü
1
–T–
B
B1
8
–U–
V
P
详细
17
AE
V1
AE
详细
9
–Z–
9
S1
S
4X
0.20 （ 0.008 ） AC T- ü
G
-AB-
座位
飞机
公元细节
-AC-
BASE
金属
N
F
8X
D
M
_
R
0.20 (0.008)
M
AC T- ü
0.10 （ 0.004 ）交流
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
-AB-位于底部3基准面
铅，正是暗合了这一LEAD
在其中引线离开塑料主体在
分型线的底部。
4.基准-T- ， -U- ，和-Z-是
DETERMINED AT基准面-AB- 。
5.尺寸S和V待确定AT
飞机座位-AC- 。
6.尺寸A和B不包括
模具的突起。 ALLOWABLE PROTRUSION
IS 0.250 （ 0.010 ），每边。尺寸A和B
包括不与ARE
DETERMINED AT基准面-AB- 。
7.尺寸D不包括密封条
前伸。 DAMBAR突出
不会导致D尺寸超过
0.520 (0.020).
8.最小焊接板厚度应
BE 0.0076 （ 0.0003 ） 。
每个角9确切的形状可能不同
从描绘。
MILLIMETERS
民
最大
7.000 BSC
3.500 BSC
7.000 BSC
3.500 BSC
1.400
1.600
0.300
0.450
1.350
1.450
0.300
0.400
0.800 BSC
0.050
0.150
0.090
0.200
0.500
0.700
12
_
REF
0.090
0.160
0.400 BSC
1
_
5
_
0.150
0.250
9.000 BSC
4.500 BSC
9.000 BSC
4.500 BSC
0.200 REF
1.000 REF
英寸
民
最大
0.276 BSC
0.138 BSC
0.276 BSC
0.138 BSC
0.055
0.063
0.012
0.018
0.053
0.057
0.012
0.016
0.031 BSC
0.002
0.006
0.004
0.008
0.020
0.028
12
_
REF
0.004
0.006
0.016 BSC
1
_
5
_
0.006
0.010
0.354 BSC
0.177 BSC
0.354 BSC
0.177 BSC
0.008 REF
0.039 REF
J
权证
部分AE -AE
X
公元细节
压力表飞机
http://onsemi.com
5
0.250 (0.010)
H
W
K
Q
_
暗淡
A
A1
B
B1
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
P
Q
R
S
S1
V
V1
W
X
-T- ， -U- ， -Z-
MC10EP105 ， MC100EP105
3.3V / 5V ECL四2输入
差分和/ NAND
描述
在MC10 / 100EP105是一款四2输入差分与/非
门。每个门是功能等效EP05和LVEL05
设备。与AC性能比LVEL05装置快得多，
在EP105适用于需要以最快AC应用
性能可用。
100系列包含温度补偿。
特点
http://onsemi.com
记号
DIAGRAMS *
275 ps的典型传播延迟
最大频率
＆ GT ;
3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
=
3.0
V到
5.5
V
打开输入默认状态
安全钳上的投入
无铅包可用*
MCxxx
EP105
AWLYYWWG
LQFP32
FA后缀
CASE 873A
1
1
32
QFN32
MN后缀
CASE 488AM
xxx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G或
G
MCxxx
EP105
AWLYYWWG
G
= 10或100
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第9页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年11月
启示录11
1
出版订单号：
MC10EP105/D
MC10EP105 ， MC100EP105
D0B D1a而D1a而D1b的D1b的D2A D2A D2B
D0B D1a而D1a而D1b的D1b的D2A D2A D2B
24
D0b
D0a
D0a
V
EE
Q0
Q0
V
CC
V
CC
25
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
D2b
D3a
D3a
V
CC
D3b
D3b
V
EE
NC
D0b
D0a
D0a
V
EE
Q0
Q0
V
CC
V
CC
25
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
D2b
D3a
D3a
V
CC
D3b
D3b
V
EE
NC
MC10EP105
MC100EP105
13
12
11
10
9
裸露焊盘（ EP ）
V
CC
Q1 Q1 Q2 Q2 Q3 Q3 V
CC
V
CC
Q1
Q1
Q2
Q2
Q3
Q3
V
CC
警告：所有V
CC
和V
EE
引脚必须外接
在电力供应，以保证正常运行。
图1. 32引脚LQFP封装引脚
（ TOP VIEW ）
图2. 32引脚QFN封装引脚
（ TOP VIEW ）
D0a
D0a
D0b
D0b
D1a
D1a
D1b
D1b
D2a
D2a
D2b
D2b
D3a
D3a
D3b
D3b
V
EE
Q0
Q0
表1.引脚说明
针
DNA * ， * DNB的DNA * ， DNB *
QN，尺寸Qn
V
CC
V
EE
NC
功能
ECL数据输入
ECL输出数据
正电源
负电源
无连接
Q1
Q1
*当悬空引脚默认为低电平。
Q2
表2.真值表
Q2
脱氧核糖核酸
L
L
H
H
DNB
L
H
L
H
脱氧核糖核酸
H
H
L
L
DNB
H
L
H
L
Qn
L
L
L
H
Qn
H
H
H
L
Q3
Q3
图3.逻辑图
http://onsemi.com
2
MC10EP105 ， MC100EP105
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 2
价值
75千瓦
不适用
＆ GT ;
4千伏
＆ GT ;
100 V
＆ GT ;
2千伏
无铅PKG
LEVEL 2
LEVEL 1
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
LQFP32
QFN32
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
UL- 94 V-0 @ 0.125在
444设备
表4.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
2S2P
与2至3秒@ 248 ℃下
<2 3秒@ 260℃
32 LQFP
32 LQFP
32 LQFP
32 QFN
32 QFN
32 QFN
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
≤
V
CC
V
I
≥
V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
±
0.5
40
+85
65
+150
80
55
12至17
31
27
12
265
265
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
http://onsemi.com
3
MC10EP105 ， MC100EP105
表5. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注2）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注3 ）
输出低电压（注3 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模范围
（差分配置） （注4 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
45
2165
1365
2090
1365
2.0
典型值
58
2290
1490
最大
75
2415
1615
2415
1690
3.3
150
0.5
民
45
2230
1430
2155
1460
2.0
25°C
典型值
59
2355
1555
最大
75
2480
1680
2480
1755
3.3
150
0.5
民
45
2290
1490
2215
1490
2.0
85°C
典型值
60
2415
1615
最大
75
2540
1740
2540
1815
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
3.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
4. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
4
MC10EP105 ， MC100EP105
表6. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0V （注5）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注6 ）
输出低电压（注6 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注7 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
45
3865
3065
3790
3065
2.0
典型值
58
3990
3190
最大
75
4115
3315
4115
3390
5.0
民
45
3930
3130
3855
3130
2.0
25°C
典型值
59
4055
3255
最大
75
4180
3380
4180
3455
5.0
民
45
3990
3190
3915
3190
2.0
85°C
典型值
60
4115
3315
最大
75
4240
3440
4240
3515
5.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
0.5
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至
0.5
V.
6.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
7. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表7. 10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V, V
EE
=
5.5
V到
3.0
V（注8）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注9 ）
输出低电压（注9 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注10 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
45
1135
1935
1210
1935
V
EE
+2.0
典型值
58
1010
1810
最大
75
885
1685
885
1610
0.0
民
45
1070
1870
1145
1870
V
EE
+2.0
25°C
典型值
59
945
1745
最大
75
820
1620
820
1545
0.0
民
45
1010
1810
1085
1810
V
EE
+2.0
85°C
典型值
60
885
1685
最大
75
760
1560
760
1485
0.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
0.5
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
.
9.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
10. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
