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6引脚DIP零交叉
光三驱动光电耦合器
( 600V PEAK )
MOC3061-M
MOC3062-M
MOC3063-M
MOC3162-M
MOC3163-M
概要
阳极1
6个主要的术语。
6
6
1
N / C 3
阴极2
5 NC *
1
路口
电路
4主要名词。
*不要连接
( TRIAC基板)
6
1
描述
该MOC306X -M和MOC316X -M的设备包括红外发光二极管光耦合到一个单片硅砷化镓
检测器进行零电压交叉双边双向可控硅驱动程序的功能。它们设计用于在一间三端双向可控硅
面对逻辑系统设备从二百四分之一百一十五VAC线路,如固态继电器,工业控制,电机,驱动的电磁铁
noids和消费类电子产品等。
特点
帮助Simpli科幻ES逻辑控制二百四十〇分之一百十五VAC电源
零电压穿越
1000 V的dv / dt /μs的保证( MOC316X -M )
- 600 V / ms的保证( MOC306X -M )
VDE认可(文件号: 94766 )
- 订购选项V(例如, MOC3063V -M )
美国保险商实验室( UL)的认可(文件# E90700 ,第2卷)
应用
螺线管/阀门控制
静态电源开关
温度控制
交流电动机起动器
照明控制
交流马达驱动器
E.M.接触
固态继电器
2003仙童半导体公司
分页: 10 1
5/29/03
6引脚DIP零交叉
光三驱动光电耦合器
( 600V PEAK )
MOC3061-M
MOC3062-M
MOC3063-M
MOC3162-M
MOC3163-M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
结温范围
隔离浪涌电压
(4)
(峰值交流电压,60赫兹, 1秒持续时间)
器件总功耗@ 25°C
减免上述25℃
辐射源
连续正向电流
反向电压
总功率耗散25 ° C环境
减免上述25℃
探测器
断态输出端子电压
重复峰值浪涌电流( PW = 100微秒, 120 ,PPS)
总功率耗散@ 25 ° C环境
减免上述25℃
V
DRM
I
TSM
P
D
所有
所有
所有
600
1
150
1.76
V
A
mW
毫瓦/°C的
I
F
V
R
P
D
所有
所有
所有
60
6
120
1.41
mA
V
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
T
J
V
ISO
P
D
所有
所有
所有
所有
所有
所有
-40到+150
-40至+85
260 ,持续10秒
-40至+100
7500
250
2.94
°C
°C
°C
°C
VAC ( PK)
mW
毫瓦/°C的
符号
设备
价值
单位
2003仙童半导体公司
第10 2
5/29/03
6引脚DIP零交叉
光三驱动光电耦合器
( 600V PEAK )
MOC3061-M
MOC3062-M
MOC3063-M
MOC3162-M
MOC3163-M
电气特性
( TA = 25° C除非另有规定编)
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
探测器
高峰阻断电流,两个方向
断态电压临界上升率
测试条件
I
F
= 30毫安
V
R
= 6 V
V
DRM
= 600V ,我
F
= 0(注1 )
I
F
= 0 (FI gure 9 ,注3)
符号
V
F
I
R
I
DRM1
dv / dt的
设备
所有
所有
MOC316X-M
MOC306X-M
MOC306X-M
MOC316X-M
典型*
1.3
0.005
10
10
1500
最大
1.5
100
100
500
单位
V
A
nA
V / μs的
600
1000
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
DC特性
测试条件
符号
设备
MOC3061-M
MOC3062-M/
MOC3162-M
MOC3063-M/
MOC3163-M
所有
所有
1.8
500
典型*
最大
15
10
5
3
V
A
mA
单位
LED触发电流
(额定我
FT
)
主要终端
电压= 3V (注2 )
I
FT
峰值通态电压,任一方向
保持电流,两个方向
I
TM
= 100 mA峰值,
I
F
=额定我
FT
V
TM
I
H
过零特性
特征
抑制电压( MT1 - MT2电压
以上这些设备将不会
触发)
泄漏抑制状态
测试条件
I
F
=额定我
FT
I
F
=额定我
FT
,
V
DRM
= 600V ,关闭状态
符号
V
INH
I
DRM2
设备
MOC3061-M/2M/3M
MOC3062-M/3M
所有
典型*
12
12
150
最大
20
15
500
V
A
单位
隔离特性
特征
隔离电压
*在T典型值
A
= 25°C
笔记
1.测试电压必须在dv / dt的评级被应用。
2.所有设备都保证在触发的I
F
值小于或等于最大余
FT
。因此,推荐的工作我
F
我最大的
FT
(15毫安MOC3061 -M ,1000毫安MOC3062 -M & MOC3162 -M , 5毫安为MOC3063 -M & MOC3163 - M)和
绝对最大值我
F
(60 mA)的。
3.这是静态的dv / dt 。参见图9为测试电路。换向dv / dt为唯一的负载驱动晶闸管(多个)的一个函数。
4.隔离浪涌电压,V
ISO
,是一个内部设备绝缘击穿的评价。对于本试验中,引脚1和2是常见的,
和引脚4 , 5和6是常见的。
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测试条件
F = 60Hz时, t为1秒
符号
V
ISO
设备
所有
7500
典型*
最大
单位
V
第10 3
5/29/03
6引脚DIP零交叉
光三驱动光电耦合器
( 600V PEAK )
MOC3061-M
MOC3062-M
MOC3063-M
MOC3162-M
MOC3163-M
图1. LED正向电压与正向电流
1.7
1.6
V
F
,正向电压( V)
1.5
1.4
1.4
I
FT
归一化
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.1
T
A
= -40°C
T
A
= 25°C
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-40
1.6
1.5
图2.触发电流比。温度
V
TM
= 3V
归一化到T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
1
10
100
-20
0
20
40
60
80
100
I
F
, LED正向电流(mA )
T
A
,环境温度( ° C)
图3. LED电流来触发与
LED脉冲宽度
16
I
FT
, LED触发电流(归)
14
12
10
8
6
4
2
0
1
10
PW
IN
, LED触发脉冲宽度( μS )
100
T
A
= 25°C
标准化为PW
IN
>>为100μs
10000
图4.漏电流, IDRM与温度的关系
I
DRM
漏电流( NA)
1000
100
10
1
0.1
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
,环境温度( ° C)
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第10 4
5/29/03
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光三驱动光电耦合器
( 600V PEAK )
MOC3061-M
MOC3062-M
MOC3063-M
MOC3162-M
MOC3163-M
图5.我
DRM2
,泄漏在禁止状态与温度的关系
2.4
2.2
I
TM
,通态电流(毫安)
2.0
1.8
I
DRM2
归一化
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40
I
F
=额定我
FT
归一化到T
A
= 25°C
800
600
400
200
0
-200
-400
-600
-800
-4
-3
图6.开启状态特性
T
A
= 25°C
-20
0
20
40
60
80
100
-2
-1
0
1
2
3
4
T
A
,环境温度( ° C)
V
TM
,导通电压(伏)
图7.我
H
,保持电流与温度的关系
3.2
I
H
,保持电流(归一化)
2.8
2.4
V
INH
归一化
2.0
1.6
1.2
0.8
0.85
0.4
0.0
-40
0.80
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
,环境温度( ° C)
1.20
1.15
图8.禁止电压与温度的关系
归一化到T
A
= 25°C
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
,环境温度( ° C)
2003仙童半导体公司
第10个5
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