初步
MX29LV033M
32M - BIT单电压3V ONLY
统一部门快闪记忆体
特点
一般特点
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取，擦除和编程操作
系统蒸发散
配置
- 4,194,304 ×8字节结构
产业结构
- 64KB ×64
扇区保护/撤消芯片
- 提供行业组保护功能，防止
在受保护的部门编程或擦除操作
组
- 提供芯片撤消功能允许代码
变化
- 提供临时机构集团解除保护功能
在以前受保护的行业团体代码更改
安全硅行业
- 提供一个256字节的OTP区为永久的，固定
鉴定
- 可以编程并锁定在工厂或客
Tomer的
闭锁保护250mA的从-1V到Vcc + 1V
低VCC写入禁止等于或小于1.5V
兼容JEDEC标准
- 针脚和软件兼容的单电源支持
层闪光
性能
高性能
- 快速存取时间： 70R /为90ns
- 页面读取时间： 25ns的
- 扇区擦除时间： 0.5秒（典型值）。
- 有效的写缓冲器字节编程时间： 11us
- 8个字节的页面读取缓冲区
- 32字节的写缓冲区：减少编程时间
多字节更新
低功耗
- 读操作工作电流： 18毫安（典型值）。
- 主动写电流：50mA （典型值）。
- 待机电流的20uA （典型值）。
最少100,000次擦除/编程周期
- 20年的数据保留
软件特点
支持通用闪存接口（ CFI ）
- 闪存器件参数存储在设备上，并
提供主机系统的访问。
程序挂起/恢复计划
- 暂停程序操作来读取其他行业
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取或程序
其他行业
状态回复
- 数据＃轮询&切换位提供检测的亲
克和擦除操作完成
硬件特性
就绪/忙（ RY / BY ＃ ）输出
- 提供了检测程序的硬件方法
和擦除操作完成
硬件复位（ RESET ＃ ）输入
- 提供了硬件的方法来重置内部
状态机来读取模式
ACC输入
- ACC （高电压）加速编程时间
系统在更高的吞吐量
包
- 40针TSOP
概述
该MX29LV033M是32兆比特的闪存奥尔加
认列作为8位4M字节。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29LV033M是
封装采用40引脚TSOP 。它被设计成可重现
编程和擦除系统或标准EPROM
程序员。
该标准MX29LV033M提供存取时间快
作为为70ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
该MX29LV033M有独立的芯片使能（ CE ＃ ）和
P / N ： PM1143
REV 。 0.02 ，三月23，2005
1
MX29LV033M
输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV033M使用命令寄存器来管理这个
功能。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠
骑自行车。该MX29LV033M采用2.7V至3.6V的VCC
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
电擦除的fication内部控制之内
该设备。
自动扇区擦除
该MX29LV033M是使用部门（S ）可擦除MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。该
自动扇区擦除算法自动程序
指定的扇区的前向电擦除。该时序
荷兰国际集团和验证电擦除的控制接口
应受该装置内。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃上升沿。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29LV033M elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动编程
该MX29LV033M是使用字节/页编程
自动编程算法。自动亲
编程算法使得外部系统不
需要有超时序列也不以验证数据
编程。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求用户
只写程序设置命令（其中包括2个非
锁定写周期和A0H ）和程序指令（亲
克数据和地址）。设备会自动倍
编程脉冲的宽度，提供了veri-程序
fication ，并计算序列的数量。一个状态
类似数据＃轮询和状态位切换BE-位
吐温连续读周期，提供反馈
用户以编程操作的状态。
自动芯片擦除
整个芯片采用50毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。该
自动擦除算法自动方案
整个阵列之前，电擦除。定时和veri-
P / N ： PM1143
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初步
MX29LV033M
32M - BIT单电压3V ONLY
统一部门快闪记忆体
特点
一般特点
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取，擦除和编程操作
系统蒸发散
配置
- 4,194,304 ×8字节结构
产业结构
- 64KB ×64
扇区保护/撤消芯片
- 提供行业组保护功能，防止
在受保护的部门编程或擦除操作
组
- 提供芯片撤消功能允许代码
变化
- 提供临时机构集团解除保护功能
在以前受保护的行业团体代码更改
安全硅行业
- 提供一个256字节的OTP区为永久的，固定
鉴定
- 可以编程并锁定在工厂或客
Tomer的
闭锁保护250mA的从-1V到Vcc + 1V
低VCC写入禁止等于或小于1.5V
兼容JEDEC标准
- 针脚和软件兼容的单电源支持
层闪光
性能
高性能
- 快速存取时间： 70R /为90ns
- 页面读取时间： 25ns的
- 扇区擦除时间： 0.5秒（典型值）。
- 有效的写缓冲器字节编程时间： 11us
- 8个字节的页面读取缓冲区
- 32字节的写缓冲区：减少编程时间
多字节更新
低功耗
- 读操作工作电流： 18毫安（典型值）。
- 主动写电流：50mA （典型值）。
- 待机电流的20uA （典型值）。
最少100,000次擦除/编程周期
- 20年的数据保留
软件特点
支持通用闪存接口（ CFI ）
- 闪存器件参数存储在设备上，并
提供主机系统的访问。
程序挂起/恢复计划
- 暂停程序操作来读取其他行业
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取或程序
其他行业
状态回复
- 数据＃轮询&切换位提供检测的亲
克和擦除操作完成
硬件特性
就绪/忙（ RY / BY ＃ ）输出
- 提供了检测程序的硬件方法
和擦除操作完成
硬件复位（ RESET ＃ ）输入
- 提供了硬件的方法来重置内部
状态机来读取模式
ACC输入
- ACC （高电压）加速编程时间
系统在更高的吞吐量
包
- 40针TSOP
概述
该MX29LV033M是32兆比特的闪存奥尔加
认列作为8位4M字节。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29LV033M是
封装采用40引脚TSOP 。它被设计成可重现
编程和擦除系统或标准EPROM
程序员。
该标准MX29LV033M提供存取时间快
作为为70ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
该MX29LV033M有独立的芯片使能（ CE ＃ ）和
P / N ： PM1143
REV 。 0.02 ，三月23，2005
1
MX29LV033M
输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV033M使用命令寄存器来管理这个
功能。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠
骑自行车。该MX29LV033M采用2.7V至3.6V的VCC
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
电擦除的fication内部控制之内
该设备。
自动扇区擦除
该MX29LV033M是使用部门（S ）可擦除MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。该
自动扇区擦除算法自动程序
指定的扇区的前向电擦除。该时序
荷兰国际集团和验证电擦除的控制接口
应受该装置内。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃上升沿。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29LV033M elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动编程
该MX29LV033M是使用字节/页编程
自动编程算法。自动亲
编程算法使得外部系统不
需要有超时序列也不以验证数据
编程。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求用户
只写程序设置命令（其中包括2个非
锁定写周期和A0H ）和程序指令（亲
克数据和地址）。设备会自动倍
编程脉冲的宽度，提供了veri-程序
fication ，并计算序列的数量。一个状态
类似数据＃轮询和状态位切换BE-位
吐温连续读周期，提供反馈
用户以编程操作的状态。
自动芯片擦除
整个芯片采用50毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。该
自动擦除算法自动方案
整个阵列之前，电擦除。定时和veri-
P / N ： PM1143
REV 。 0.02 ，三月23，2005
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QQ：2881677436 复制
