ECLSOIC8EVB
评估板手册
高频SOIC 8
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评估板手册
介绍
安森美半导体开发了一个评估板
该器件采用8引脚SOIC封装。这些评价
主板提供一个方便的客户
有兴趣进行自己的工程评估
在8引脚SOIC封装器件的性能一般
样品。该主板提供了一个高带宽的50
W
受控阻抗环境。在图1中的图像
示出了评估电路板，顶部和底部的视图，它
可以以几种不同的方式进行配置，这取决于
被测设备（见表1配置列表） 。
该评估板手册包含：
8引脚SOIC评估板信息
装配说明
相应的实验室设置
材料清单
本说明书应配合使用的设备
数据表，其中包含在设备上全部的技术细节
规格和操作。
董事会糊成型
8引脚SOIC评估板四个落实
层与分裂（双）电源（图2 。
评估板糊） 。对于标准ECL实验室的设置和
试验中，一个分开的（双）电源是必需使
50
W
在示波器将以终端内部阻抗
对于ECL器件。第一层或原迹线层是
0.008 “厚的罗杰斯RO4003材质，其目的是
对来自所有信号迹线相等的电长度
装置中的测试器件（DUT ），以感测输出之下。第二个
一层是1.0盎司纯铜接地层和的一部分
平面是V
EE
电源层。的FR4介电材料是
放置第二和第三层之间及第三和间
第四层。第三层也是1.0盎司铜接地
平面与该层的一部分为V
CC
电源层。该
第四层是辅助迹线层。
图1.顶部和8引脚SOIC评估板的底视图
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 第1版
出版订单号：
ECLSOIC8EVB/D
ECLSOIC8EVB
评估板装配说明
8引脚SOIC评估板是专为
在一个50表征的设备
W
实验室环境
使用高带宽的设备。对每个信号路径
板上有一个孔，它具有端接电阻器的一个选项
或旁路电容器依赖于输入/输出
配置（见表1配置列表） 。表17
包括物料清单的评估板。
焊接在评估板设备
焊接可以通过手工焊接来实现或
焊锡再流技术。确保设备的引脚1
位于旁边的白色虚线标记U1和所有的引脚
对准到足迹垫。焊接8引脚SOIC设备
评估板。
连接电源和地平面
评估板上的顶面焊接4
表面贴装测试点夹标有V垫
CC
, V
EE
,
和GND 。在V
CC
片段可以直接连接到的销8
装置。在V
EE
片段可以直接连接到该装置的销5 。
有两个接地夹脚印其可以连接
该评估板取决于接地平面
安装配置。
建议焊接0.01
mF
电容器C1和
C 2减少从电源上的不想要的噪声。
设置为0.1 C3和C4焊盘
mF
电容进一步
降低从电源噪声。添加
电容可以提高边缘速率，降低过冲和
冲。
终止
对于标准ECL实验室设置和测试，分裂（双）电源
供应需要使50
W
在内部阻抗
示波器被用作终止电致化学发光的
信号（V
TT
= V
CC
- 2.0 V，在分离电源设置，V
TT
是系统接地，V
CC
是2.0伏，和V
EE
为-3.0 V或
-1.3 V ;见表2 ：电源电平） 。
表2.电源电平
电源
5.0 V
3.3 V
2.5 V
V
CC
2.0 V
2.0 V
2.0 V
V
EE
3.0 V
1.3 V
0.5 V
GND
0.0 V
0.0 V
0.0 V
所有的ECL输出需要被终止到V
TT
(V
TT
= V
CC
-2.0 V = GND）通过50
W
电阻分割电源
实验室的建立。被设置在0603片式电阻器垫
评估板终止ECL底侧
驱动器（上终止的更多信息在提供
AN8020 ） 。焊接芯片电阻的底部
主板上标有R1器件引脚相应的输入，
R 2， R 3 ，R 4 ，R 6和R 7 ，根据具体的器件上。
安装SMA连接器
电压电平转换器无需电源
如表3。电源指示稍作修改
水平的翻译。
表3.电源电平转换器
V
CC
PECL翻译
3.3 V / 5.0 V
V
EE
0.0 V
GND
0.0 V
每种配置说明SMA的数量
连接器需要填充的评估板了
定的配置。每个输入和输出都需要一个
SMA连接器。将所有必需的SMA连接器
到电路板，焊接连接到电路板上。请
注意SMA的信号连接器引脚的排列
可以影响的实验结果。反射和发射的
信号是由不完美对准的影响很大，并
焊接的SMA连接器。
验证组装电路板
组装评估板后，建议
之前的所有焊接领域进行持续的检查
开始的评估过程。时域
反射计（TDR ）是另一个强烈推荐
验证测试。
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4
MC100LVELT22
3.3V双路LVTTL / LVCMOS
至差分LVPECL
翻译者
描述
该MC100LVELT22是一款双LVTTL / LVCMOS到差分
LVPECL翻译。因为LVPECL （低压正ECL ）
水平时，只有3.3 V和接地是必需的。小外形
8引脚封装，低偏移的LVELT22双门设计
使得它非常适合应用程序需要一个时钟的翻译
和数据信号。
特点
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记号
DIAGRAMS *
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
8
KVT22
ALYW
G
1
350 ps的典型传播延迟
<100 ps的输出至输出偏斜
流经引脚分配
100系列包含温度补偿
LVPECL经营范围： V
CC
= 3.0 V至3.8 V
与GND = 0 V
当未使用TTL输入处于打开状态， Q输出将默认高
无铅包可用
8
KR22
ALYWG
G
1
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
A
L
Y
W
M
G
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年3月 - 修订版5
出版订单号：
MC100LVELT22/D
4I M
G
G
4
MC100LVELT22
表1.引脚说明
针
Q0
2
LVPECL
Q1
3
LVTTL /
LVCMOS
6
D1
7
D0
Q0
1
8
V
CC
功能
LVPECL差分输出
LVTTL / LVCMOS输入
正电源
地
裸露焊盘必须连接
到足够的热导管。
电连接到所述最
负电源或悬空
开。
QN，尺寸Qn
D0, D1
V
CC
GND
EP
Q1
4
5
GND
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
EP
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
价值
不适用
不适用
＆ GT ; 4千伏
＆ GT ; 200 V
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
164
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
参数
正电源。
输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
与2至3秒@ 248 ℃下
<2 3秒@ 260℃
SO8
SO8
SO8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
DFN8
DFN8
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
连续
浪涌
V
I
V
CC
条件2
等级
7
7
50
100
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
±
5%
185
140
41至44
±
5%
129
84
265
265
单位
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
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2
MC100LVELT22
表4. LVPECL直流特性
V
CC
= 3.3 V ; GND = 0.0 V（注2 ）
40°C
符号
I
CC
V
OH
V
OL
特征
电源电流
输出高电压（注3 ）
输出低电压（注3 ）
2275
1490
民
典型值
最大
28
2420
1680
2275
1490
民
25°C
典型值
最大
28
2420
1680
2275
1490
民
85°C
典型值
最大
29
2420
1680
单位
mA
mV
mV
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
CC
可以改变
±0.15
V.
3.输出通过一个50欧姆的电阻到V终止
CC
-2伏。
表5. LVTTL / LVCMOS输入直流特性
V
CC
= 3.3 V ;牛逼
A
= -40 ° C至85°C （注4 ）
符号
I
IH
I
IHH
I
IL
V
IK
V
IH
V
IL
输入高电压
输入低电压
2.0
0.8
特征
输入高电流
输入高电流
输入低电平电流
民
典型值
最大
20
100
0.2
1.2
单位
mA
mA
mA
V
V
V
条件
V
IN
= 2.7 V
V
IN
= V
CC
V
IN
= 0.5 V
I
IN
= -18毫安
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
4. V
CC
可以改变
±0.15
V.
表6. AC特性
V
CC
= 3.3 V ; GND = 0.0 V（注5 ）
40°C
符号
f
最大
t
PLH
t
SKEW
25°C
最大
民
典型值
350
最大
民
85°C
典型值
最大
单位
兆赫
600
100
400
200
350
30
600
100
400
ps
ps
ps
500
200
500
ps
特征
最大切换频率
传播延迟（注6 ）
SKEW
输出至输出
部分到第
民
典型值
200
350
30
600
100
400
200
350
30
1.6
tjitter
t /t
的R F
随机时钟抖动（ RMS）
输出上升/下降时间（ 20-80 ％ ）
200
550
200
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5. V
CC
可以改变
±0.15
V.
6.规范标准的TTL输入信号。
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3
MC100LVELT22
Z
o
= 50
W
Q
司机
设备
Q
D
接收器
设备
Z
o
= 50
W
50
W
50
W
D
V
TT
V
TT
= V
CC
3.0 V
图1.典型的终端的输出驱动器和设备评估
（参见应用笔记AND8020 / D - 终止ECL逻辑器件）
订购信息
设备
MC100LVELT22D
MC100LVELT22DG
MC100LVELT22DR2
MC100LVELT22DR2G
MC100LVELT22DT
MC100LVELT22DTG
MC100LVELT22DTR2
MC100LVELT22DTR2G
MC100LVELT22MNR4
MC00LVELT22MNR4G
包
SOIC8
SOIC8
（无铅）
SOIC8
SOIC8
（无铅）
TSSOP8
TSSOP8
（无铅）
TSSOP8
TSSOP8
（无铅）
DFN8
DFN8
（无铅）
航运
98单位/铁
98单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
100单位/铁
100单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
应用笔记的资源引用
AN1405/D
AN1406/D
AN1503/D
AN1504/D
AN1568/D
AN1672/D
AND8001/D
AND8002/D
AND8020/D
AND8066/D
AND8090/D
- ECL时钟分配技术
- 设计与PECL （ ECL在+ 5.0V）
- ECLinPSt I / O SPICE建模工具
- 亚稳态和ECLinPS系列
- 接口之间LVDS和ECL
- 该ECL翻译指南
- 奇数计数器设计
- 标志和日期代码
- 终止ECL逻辑器件
- 与ECLinPS接口
- 交ECL器件的特性
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4
MC100LVELT22
包装尺寸
SOIC - 8 NB
CASE 751-07
AH发行
X
A
8
5
B
1
4
S
0.25 (0.010)
M
Y
M
Y
G
C
Z
H
D
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
K
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3，维A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
6. 751-01 THRU 751-06已经过时。 NEW
标准为751-07 。
MILLIMETERS
民
最大
4.80
5.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.33
0.51
1.27 BSC
0.10
0.25
0.19
0.25
0.40
1.27
0
_
8
_
0.25
0.50
5.80
6.20
英寸
民
最大
0.189
0.197
0.150
0.157
0.053
0.069
0.013
0.020
0.050 BSC
0.004
0.010
0.007
0.010
0.016
0.050
0
_
8
_
0.010
0.020
0.228
0.244
N
X 45
_
0.10 (0.004)
M
J
旋转Z Y
S
X
S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
M
N
S
焊接足迹*
1.52
0.060
7.0
0.275
4.0
0.155
0.6
0.024
1.270
0.050
SCALE 6 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
QQ：2881677436 复制
