FM120-M

THRU

MMBTA94LT1

PNP外延平面

势垒整流器-20V- 200V

FM1200-M

1.0A表面贴装肖特基

晶体管

SOD-123

批量

该产品的材料

我们声明

工艺设计，出色的功耗报价

更好的反向漏电流和耐热性。

符合

表面贴装为了申请

低调

RoHS要求。

优化电路板空间。

无铅封装可用

产品包装代号后缀“G”

RoHS指令

低功耗，高效率。

高电流能力，低正向电压降。

对于无卤素产品包装代号后缀为“H”

高浪涌能力。

Guardring过电压保护。

描述

超高速开关。

该

硅外延平面芯片，金属硅交界处。

MMBTA94LT1是专为应用程序

LEAD -FREE

高电压。

需要

部分符合环保标准

威伦

包

无铅产品

特点

包装外形

SOD-123H

0.146(3.7)

0.130(3.3)

0.012 （ 0.3 ）典型值。

0.056(1.4)

SOT- 23

0.071(1.8)

高击穿电压： VCEO = 400 （分钟） ，在IC = 1毫安

机械数据

补充MMBTA94LT1

环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃

器件标识

塑料， SOD- 123H

案例：模压

,

端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的

MMBTA94LT1

= 4Z

方法2026

0.031 （ 0.8 ）典型值。

MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百

包装代号后缀

RoHS指令

特点

产品Product包装code"G" "H"

无卤

苏FFI X

集热器

3

0.040(1.0)

0.024(0.6)

1

BASE

0.031 （ 0.8 ）典型值。

2

辐射源

尺寸以英寸（毫米）

最高温度

安装位置：任意

存储温度................................................ ............................................ -55 + 150

°C

重量：的逼近0.011克

结温................................................ .................................... 150

°C

最大

最大

最大额定值和电气特性

功耗

在收视率

功耗（ TA = 25 ℃） ......................................... ....................................... 350毫瓦

总

25 ℃环境温度，除非另有规定。

单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。

最大电压和电流（ TA = 25 ° C）

容性负载，减免电流20 ％

为

VCBO集电极 - 基极电压............................................. ......................................... -400 V

符号

FM120-M

FM130 - MH

FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH

单位

评级

VCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... -400 V

标识代码

发射器基极电压.............................................. ............................................... -6 V

115

12

13

14

15

16

18

10

120

VEBO

20

30

40

50

60

80

100

200

最大的经常峰值反向电压

伏

V

RRM

IC集电极电流...................................................................................................... -150毫安

150

伏

14

21

28

35

42

56

70

105

140

最大RMS电压

V

RMS

特征

（ TA = 25℃ ）

°

伏

最大直流阻断电压

绝对最大

阴极带

评级

极性：用表示

V

DC

20

30

40

50

60

80

100

150

200

I

O

1.0

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

测试条件

峰值正向浪涌电流8.3ms单半

-

正弦波

BVCBO

-400

-

V

IC = -100uA ， IE = 0

30

I

FSM

叠加在额定负荷

-400

法）

-

（ JEDEC

BVCEO

-

V

IC = -1mA ， IB = 0

40

典型热阻

-6

（注2 ）

R

θJA

BVEBO

-

-

V

IE = -10uA ， IC = 0

典型结电容（注1 ）

C

J

ICBO

-

-

-100

nA

VCB = -400V ， IE = 0

120

-55到+125

-55到+150

工作温度范围

T

J

IEBO

-

-

-100

nA

VEB = -6V ， IC = 0

-

65

到+175

存储温度范围

TSTG

冰

-

-

-500

nA

VCE = -400V ， VBE = 0

*VCE(sat)1

特征

-

-

-200

mV

IC = -1mA ， IB = -0.1mA

符号

FM120-MH

FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH

FM1150-MH

FM1200-MH

*VCE(sat)2

-

-

-300

mV

IC = -10mA ， IB = -1mA

0.9

最大正向电压在1.0A DC

0.92

V

F

0.50

0.70

0.85

*VCE(sat)3

反向电流@T

-

-

-600

mV

IC = -50mA ， IB = -5mA

0.5

最大平均

A=25℃

I

R

* VBE （SAT）

-900

mV

IC = -10mA ， IB = -1mA

10

@T

-

A=125℃

额定阻断电压DC

-

*hFE1

50

-

-

VCE = -10V ， IC = -1mA

注意事项：

*hFE2

75

-

200

VCE = -10V ， IC = -10mA

1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。

*hFE3

60

-

-

VCE = -10V ， IC = -50mA

2-热阻结点到环境

*hFE4

20

-

-

VCE = -10V ， IC = -100mA

COB

-

4

6

pF

VCE = -10V ， F = 1MHz的

最大正向平均整流电流

安培

安培

℃/W

PF

℃

℃

单位

伏

毫安

*脉冲测试：脉冲宽度

≤380us,

值班Cycle≤2 ％

2012-11

2012-06

威伦电子股份有限公司。

威伦电子股份有限公司。

FM120-M

THRU

MMBTA94LT1

PNP外延

肖特基二极管-20V- 200V

FM1200-M

1.0A表面贴装

平面晶体管

SOD-123

批量处理的设计，出色的功耗报价

更好的反向漏电流和耐热性。

低调的表面安装，以便应用程序

优化电路板空间。

&集电极电流

电流增益

1000

低功耗，高效率。

高电流能力，低正向电压降。

高浪涌能力。

o

C

75

o

125 C

过电压保护。

Guardring为

超高速开关。

100

o

25 C

硅外延平面芯片，金属硅交界处。

无铅零件符合环保标准

MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百

包装代号后缀"G"

符合RoHS的产品

@ V

CE

=3V

10

的hFE

无卤素产品的包装代号后缀"H"

的hFE

威伦

包

无铅产品

特点

包装外形

特性曲线

1000

SOD-123H

电流增益&集电极电流

0.146(3.7)

0.130(3.3)

0.012 （ 0.3 ）典型值。

的hFE @ V

CE

=10V

o

75 C

125 C

o

0.071(1.8)

0.056(1.4)

的hFE

100

25 C

o

机械数据

环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃

1

案例：模压塑料， SOD- 123H

1

10

100

1000

,

端子：镀

集电极电流-I

C

（MA ）

终端，每MIL -STD- 750

方法2026

0.040(1.0)

0.024(0.6)

0.031 （ 0.8 ）典型值。

10

1

10

100

0.031 （ 0.8 ）典型值。

1000

集电极电流-I

C

（MA ）

极性：由阴极频带指示

饱和电压

安装位置：任意

&集电极电流

1000

重量：的逼近0.011克

V

CE （ SAT ）

@ I

C

=10I

B

尺寸以英寸（毫米）

饱和电压&集电极电流

1000

25 C

o

饱和电压（MV ）

在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。

o

125 C

单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。

对于容性负载，减免电流20 ％

100

评级

25 C

o

饱和电压（MV ）

o

最大额定值和电气特性

75 C

o

125 C

75 C

o

V

BE （S AT）

@

FM1150 - MH FM1200 -MH

符号

FM120-M

FM130 - MH

FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH

I

C

=10I

B

单位

标识代码

最大的经常峰值反向电压

最大RMS电压

最大直流

10

阻断电压

1

10

最大正向平均整流电流

V

RRM

V

RMS

V

DC

12

20

14

20

1000

13

30

21

30

14

40

28

40

15

50

35

100

1

16

60

42

60

10

1.0

30

18

80

56

80

10

100

70

100

100

115

150

105

150

1000

120

200

140

200

伏

伏

伏

安培

50

100

集电极电流-I

C

（MA ）

I

O

I

FSM

集电极电流-I

C

（MA ）

峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波

叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）

安培

℃/W

PF

℃

℃

电容

2)

典型热阻（注

&反向偏置电压

R

θJA

典型结电容（注1 ）

工作温度范围

存储温度范围

电容（pF）

100

C

J

T

J

TSTG

-55到+125

40

120

-55到+150

-

65

到+175

特征

10

符号

FM120-MH

FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH

FM1150-MH

FM1200-MH

单位

最大正向电压在1.0A DC

额定阻断电压DC

V

F

@T A = 125 ℃

0.50

0.70

0.5

10

0.85

0.9

0.92

伏

毫安

最大平均反向电流

COB

@T A = 25 ℃

at

I

R

注意事项：

1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。

2-热阻结点到环境

1

0.1

1

10

100

反向偏置电压（V ）

2012-11

2012-06

威伦电子股份有限公司。

威伦电子股份有限公司。

FM120-M

THRU

MMBTA94LT1

PNP

表面贴装肖特基二极管-20V- 200V

FM1200-M

1.0A

外延平面晶体管

SOD-123

批量处理的设计，出色的功耗报价

更好的反向漏电流和耐热性。

低调的表面安装，以便应用程序

优化电路板空间。

低功耗，高效率。

高电流能力，低正向电压降。

SOT-23

高浪涌能力。

Guardring过电压保护。

超高速开关。

硅外延平面芯片，金属硅交界处。

.122(3.10)

无铅零件符合环保标准

MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百

.106(2.70)

符合RoHS的产品包装代号后缀"G"

无卤素产品的包装代号后缀"H"

SOD-123H

威伦

包

无铅产品

特点

包装外形

0.146(3.7)

0.130(3.3)

0.012 （ 0.3 ）典型值。

.006(0.15)MIN.

0.071(1.8)

0.056(1.4)

机械数据

.063(1.60)

.047(1.20)

0.031 （ 0.8 ）典型值。

.083(2.10)

.110(2.80)

环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃

案例：模压塑料， SOD- 123H

,

端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的

方法2026

0.040(1.0)

0.024(0.6)

0.031 （ 0.8 ）典型值。

极性：由阴极频带指示

安装位置：任意

重量：的逼近0.011克

.080(2.04)

在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。

单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。

对于容性负载，减免电流20 ％

评级

标识代码

尺寸以英寸（毫米）

.008(0.20)

.003(0.08)

.070(1.78)

最大额定值和电气特性

符号

FM120-M

FM130 - MH

FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH

单位

.004(0.10)MAX.

最大的经常峰值反向电压

最大RMS电压

最大直流阻断电压

最大正向平均整流电流

V

RRM

V

RMS

V

DC

I

O

12

20

14

20

13

30

21

30

14

40

28

15

50

35

50

16

60

42

60

1.0

30

40

120

18

80

56

80

10

100

70

100

115

150

105

150

120

200

140

200

伏

伏

.055(1.40)

.035(0.89)

40

伏

AMP

峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波

叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）

.020(0.50)

I

FSM

.012(0.30)

R

θJA

C

J

AMP

典型热阻（注2 ）

典型结电容（注1 ）

工作温度范围

存储温度范围

尺寸以英寸

+125

-55

（毫米）

T

J

TSTG

-55到+150

℃/W

PF

℃

℃

-

65

到+175

特征

最大正向电压在1.0A DC

额定阻断电压DC

符号

FM120-MH

FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH

FM1150-MH

FM1200-MH

单位

0.037

0.037

0.95

在@T A = 25℃时最大平均反向电流

@T A = 125 ℃

V

F

I

R

0.50

0.95

0.70

0.5

10

0.85

0.9

0.92

伏

MAMP

注意事项：

1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。

2-热阻结点到环境

0.079

2.0

0.035

0.9

0.031

0.8

英寸

mm

2012-11

2012-06

威伦电子股份有限公司。

威伦电子股份有限公司。