富士通半导体
数据表
DS05-20881-3E
FL灰内存
CMOS
32M (4M
×
8/2M
×
16 ）位
双操作
MBM29DL32XTE/BE
-80/90/12
s
描述
该MBM29DL32XTE / BE是32M位， 3.0 V-仅限Flash组织为每个2M或8位4M字节的内存
也就是说，每行16位。这些设备被设计成在系统编程与标准系统3.0V，
V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该设备也可以
重新编程的标准EPROM编程器。
MBM29DL32XTE / BE被组织成两个存储体，行1和行2，它可以被认为是两个
单独的存储阵列，据某些操作有关。这些设备都是一样的富士通
标准3 V只有闪存与允许一个正常的无延迟读取访问权限的附加功能
从阵列的非繁忙银行而嵌入的写入（或一个程序或擦除）操作
同时服用的其他银行的地方。
（续）
s
产品阵容
产品型号
V
CC
= 3.3 V
订货型号
V
CC
= 3.0 V
马克斯。地址访问时间（纳秒）
马克斯。 CE访问时间（纳秒）
马克斯。 OE访问时间（纳秒）
+0.3 V
–0.3 V
+0.6 V
–0.3 V
MBM29DL32XTE/BE
80
—
80
80
30
—
90
90
90
35
—
12
120
120
50
s
套餐
48引脚塑料TSOP （ I）
侧面标
48引脚塑料TSOP （ I）
63球FBGA封装胶
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
(BGA-63P-M01)
MBM29DL32XTE/BE
-80/90/12
)
（续）
在MBM29DL32XTE / BE，全新的设计理念得以实施，所谓的“滑动银行体系” 。下
这一概念， MBM29DL32XTE / BE可以生产一个系列的器件具有不同的银行1 / 2银行规模
组合; 0.5兆/ 31.5兆， 4兆/ 28兆， 8兆/ 24兆， 16兆/ 16 MB。
消除总线争用的装置已经单独的芯片使能（CE ），写使能（WE ）和输出使能
（ OE ）控制。
该MBM29DL32XTE / BE的引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令
被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。
典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。
一个扇区通常被擦除并在1.0秒验证。 （如果已完全预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。该MBM29DL32XTE / BE是从出厂时被删除
工厂。
内部产生的并提供了用于在程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
探测器
自动抑制电源的损耗写操作。编程或擦除的结束是由数据检测
DQ的投票
7
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦编程或擦除的结束
周期已经完成，该装置内部复位到读模式。
该MBM29DL32XTE / BE的回忆同时电一个行业内的整个芯片或全部位擦除
通过福勒 - Nordhiem隧道。的字节/字进行编程一个字节/字在一个时间使用的EPROM
热电子注入编程机制。
2
MBM29DL32XTE/BE
-80/90/12
s
特点
0.23
m
工艺技术
可同时读/写操作（双行）
可使用不同大小的银行多台设备（请参阅表1 ）
主机系统可以编程或擦除一家银行，然后立即和同时从其他银行的阅读
读取和写入操作之间的零延迟
同时读 - 擦除
读而程序
单3.0 V的读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
48引脚TSOP （ I） （包后缀： TN - 正常弯曲型， TR - 反弯型）
63球FBGA （包后缀： PBT
最低100,000编程/擦除周期
高性能
80 ns最大访问时间
扇区擦除架构
在字模式八4K字和63字32K部门
八8K字节，并以字节方式63 64K字节扇区
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
启动代码部门架构
T =热门行业
B =底界
隐藏ROM （高-ROM ）地区
的Hi- ROM为64K字节，通过一个新的访问“的Hi- ROM启动”命令序列
工厂序列和保护，以提供一个安全的电子序列号（ESN ）
WP / ACC输入引脚
在V
IL
，使保护引导扇区，无论部门保护/解除保护状态
在V
IH
允许拆除引导扇区保护
在V
加
，提高了程序的性能
嵌入式擦除
TM
*算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪/忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式。
低V
CC
写禁止
≤
2.5 V
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读数据和/或程序
部门组保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门团体的任何组合
类别组保护设置功能，通过扩展行业组保护命令
通过扩展指令快速编程功能
临时业集团解除保护
通过RESET引脚临时机构集团解除保护。
根据CFI （通用闪存接口）
*:
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
3
富士通半导体
数据表
DS05-20881-7E
FL灰内存
CMOS
32 M (4 M
×
8/2 M
×
16 ）位双操作
MBM29DL32XTE/BE
80/90
s
描述
该MBM29DL32XTE / BE是一个32位， 3.0 V-仅限Flash组织成4字节为8位存储器的每个或
2 Mwords的各16位。这些设备被设计成在系统编程与标准系统
3.0 V V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该设备还可以
重新编程的标准EPROM编程器。
MBM29DL32XTE / BE被组织成两家银行，银行1和银行2，这被认为是两个独立的
存储器阵列的操作。这是富士通的标准3 V仅闪存，具有附加功能
允许从所述阵列的非繁忙银行而嵌入的写一个正常的非延迟的读访问的（无论是
一个程序或擦除）操作时同时服用的其他银行的地方。
（续）
s
产品阵容
产品型号
电源电压V
CC
(V)
最大地址访问时间（纳秒）
最大CE访问时间（纳秒）
最大OE访问时间（纳秒）
MBM29DL32XTE/BE
80
3.3
+0.3
0.3
90
3.0
+0.6
0.3
80
80
30
90
90
35
s
套餐
48引脚塑料TSOP （ 1 ）
侧面标
48引脚塑料TSOP （ 1 ）
63球FBGA封装胶
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
(BGA-63P-M01)
MBM29DL32XTE/BE
80/90
（续）
在MBM29DL32XTE / BE，全新的设计理念得以实施，所谓的“滑动银行体系” 。下
这一概念， MBM29DL32XTE / BE可以生产一个系列的器件具有不同的银行1 / 2银行规模
组合; 4兆/ 28兆， 8兆/ 24兆， 16兆/ 16 MB。
消除总线争用的装置已经单独的芯片使能（CE ），写使能（WE ）和输出使能
（ OE ）控制。
该MBM29DL32XTE / BE的引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令
被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。
典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。
一个扇区通常被擦除并在1.0秒验证。 （如果已完全预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。该MBM29DL32XTE / BE是从出厂时被删除
工厂。
内部产生的并提供了用于在程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
探测器
自动抑制电源的损耗写操作。编程或擦除的结束是由数据检测
DQ的投票
7
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦编程或擦除的结束
周期已经完成，该装置内部复位到读模式。
该MBM29DL32XTE / BE的回忆同时电一个行业内的整个芯片或全部位擦除
通过福勒 - Nordhiem隧道。的字节/字进行编程一个字节/字在一个时间使用的EPROM
热电子注入编程机制。
2
MBM29DL32XTE/BE
80/90
s
特点
0.23
米制程技术
同时读/写操作
（双
银行）
与银行不同的尺寸可供多个设备（参见“ MBM29DL32XTE / BE设备部门银行”，在
“ ■特点” ）
主机系统可以编程或擦除一家银行，然后立即和同时从其他银行的阅读
读取和写入操作之间的零延迟
同时读 - 擦除
读而程序
单3.0V，读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
48引脚TSOP （ 1 ） （包后缀： TN
正常的弯曲型， TR
扭转弯曲型）
63球FBGA （包后缀： PBT ）
最低100,000编程/擦除周期
高性能
80 ns最大访问时间
扇区擦除架构
8个4 K字和63 32 K字中字模式行业
8个8字节，并以字节方式63 64 KB的行业
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
引导代码部门架构
T
=
热门行业
B
=
底部部门
HiddenROM区
64字节HiddenROM ，通过了新的“ HiddenROM启用”命令序列访问
工厂序列和保护，以提供一个安全的电子序列号（ESN ）
WP / ACC输入引脚
在V
IL
，使保护引导扇区，无论行业组保护/解除保护状态
在V
加
，提高了程序的性能
嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
READY / BUSY输出
（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动休眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式。
低V
CC
写禁止
≤
2.5 V
擦除挂起/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读数据和/或程序
行业组保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门团体的任何组合
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
（续）
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