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三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54519P/FP
7 -UNIT 400毫安达林顿晶体管阵列
描述
M54519P和M54519FP是七达林顿电路转录
体管阵列。该电路是由NPN晶体管。两
半导体集成电路进行高电流
驾驶与极低的输入电流供应。
引脚配置
输入
16
→O1
15
→O2
14
→O3
13
→O4
12
→O5
11
→O6
10
→O7
9
NC
IN1- 1
IN2 → 2
IN3 → 3
IN4 → 4
IN5 → 5
IN6 → 6
IN7 → 7
GND
8
特点
高击穿电压（ BV
首席执行官
≥
40V)
高电流驱动（IC （最大值） = 400毫安）
驾车可与PMOS IC输出
工作温度范围宽（大= -20 + 75 ° C）
½
产量
16P4(P)
封装形式16P2N -A （ FP ）
NC ：无连接
电路图
应用
继电器和打印机，显示的数字驱动器的驱动器元素
ments （ LED和灯） ，以及MOS双极逻辑IC间
脸
产量
输入
20K
20K
2K
GND
功能
该M54519P和M54519FP每人有七电路CON-
sisting的NPN达林顿晶体管。这些IC具有电阻
20kΩ的输入晶体管基和输入引脚之间的距离。
输出晶体管的发射极都连接到GND
引脚（引脚8 ） 。
集电极电流是400毫安最大。集电极 - 发射极支持
层电压为40V最大。
该M54519FP被封闭在模制的小扁平封装，
实现节省空间的设计。
七电路共用接地。
二极管，用虚线表示，是寄生的，并且不能
被使用。
单位：
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
I
C
V
I
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
输入电压
功耗
工作温度
储存温度
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
条件
输出，H
电流每路输出，L
TA安装在船上的时候= 25° C，
评级
–0.5 ~ +40
400
–0.5 ~ +40
1.47(P)/1.00(FP)
–20 ~ +75
–55 ~ +125
单位
V
mA
V
W
°C
°C
1999年8月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54519P/FP
7 -UNIT 400毫安达林顿晶体管阵列
推荐工作条件
符号
V
O
输出电压
占空比
P：不超过8 ％以上
FP：不大于6％
占空比
P：不超过30 ％
FP：不超过25 ％
I
C
≤
400mA
“H”输入电压
I
C
≤
200mA
集电极电流
（每1税务局局长电流
CUIT 7时电路
将会陆续Si-所示
multaneously ）
“L”输入电压
参数
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
范围
民
0
0
0
8
5
0
典型值
—
—
—
—
—
—
最大
40
400
单位
V
I
C
mA
200
30
0.5
V
V
V
IH
V
IL
电气特性
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE （SAT）
I
I
h
FE
参数
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
测试条件
I
首席执行官
= 100A
V
I
= 8V ，我
C
= 400毫安
V
I
= 5V ，我
C
= 200毫安
V
I
= 17V
V
CE
= 4V ，我
C
= 400毫安， TA = 25℃
范围
民
40
—
—
0.3
1000
典型值
+
—
1.3
1.0
0.8
6000
最大
—
2.4
1.6
1.8
—
单位
V
V
mA
—
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电流
直流放大系数
+
：典型值是25℃，环境温度（Ta ）下进行测定。但不保证这些值是根据获得的任何
条件。
开关特性
（除非另有说明， TA = 25
°
C)
符号
t
on
t
关闭
参数
开启时间
打开-O FF时间
C
L
= 15pF的（注1 ）
测试条件
范围
民
—
—
典型值
40
400
最大
—
—
单位
ns
ns
注1：测试电路
输入
测量设备
V
O
时序图
50%
R
L
产量
50%
输入
PG
50
C
L
产量
50%
50%
吨
（ 1 ）脉冲发生器（ PG ）特点： PRR = 1kHz时，
TW = 10μs的， TR = 6ns的， TF =为6ns ，Z
O
= 50
V
P
= 8V
P-P
（ 2 ）输入输出条件下，R
L
= 25, V
O
= 10V
（ 3 ）静电电容C
L
包括浮动电容
连接和输入电容探头
花花公子
1999年8月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54519P/FP
7 -UNIT 400毫安达林顿晶体管阵列
典型特征
输出饱和电压
集电极电流特性
400
V
I
= 5V
热降额因子特征
2.0
功耗PD （W ）
1.5
M54519P
集电极电流Ic （ mA）的
300
1.0
M54519FP
200
TA = 75℃
0.5
100
TA = 25°C
TA = -20℃
0
0
25
50
75
100
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
环境温度Ta （C ）
占空比集电极特性
(M54519P)
500
300
500
输出饱和电压V
CE
（ SAT ） （V ）
占空比集电极特性
(M54519P)
集电极电流Ic （ mA）的
集电极电流Ic （ mA）的
400
400
300
200
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 75℃
200
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 25℃
100
100
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比（ ％ ）
占空比集电极特性
(M54519FP)
500
500
占空比（ ％ ）
占空比集电极特性
(M54519FP)
集电极电流Ic （ mA）的
集电极电流Ic （ mA）的
400
400
300
200
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 25℃
300
100
200
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
100
TA = 75℃
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比（ ％ ）
占空比（ ％ ）
1999年8月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54519P/FP
7 -UNIT 400毫安达林顿晶体管阵列
直流放大系数
集电极电流特性
10
4
7
V
CE
= 4V
TA = 75℃
接地发射传输特性
400
V
CE
= 4V
TA = 75℃
TA = -20℃
直流放大因子H
FE
5
集电极电流Ic （ mA）的
3
2
300
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = -20℃
10
3
7
5
3
2
200
100
10
2 1
10
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
0
0
1
2
3
4
集电极电流Ic （ mA）的
输入电压V
I
(V)
输入特性
2.0
输入电流I
I
（MA ）
1.5
1.0
TA = -20℃
0.5
TA = 25°C
TA = 75℃
0
0
5
10
15
20
输入电压V
I
(V)
1999年8月
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推荐型号
MF-156DS-R13-172
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