19-3754 ;冯0 ; 8/05
固定频率，半桥CCFL
逆变控制器
概述
在MAX8729冷阴极荧光灯（CCFL ）
逆变控制器设计用于驱动多个CCFL
使用半桥式逆变器由两个外部
n沟道功率MOSFET。半桥拓扑结构
最大限度地减少了元件数量，同时提供近
正弦波驱动波形。在MAX8729工作在
在引人注目的谐振模式并切换到CON组
后恒定频率工作，所有灯均点亮。这
独特的功能可确保在所有条件可靠惊人
tions和降低了变压器的应力。
MAX8729提供精密的灯电流调节
（ ± 2.5％）。灯电流是可调的与外部
电阻器。该MAX8729通过转动改变亮度
打开和关闭通过一个数字脉冲宽度调制CCFL的
灰（DPWM ）的方法，同时维持灯的电流
常数。亮度可以与模拟进行调整
电压CNTL引脚，或与外部PWM信号。
MAX8729能够同步和调整
栅极驱动器和DPWM振荡器的相位。这些
功能允许多个MAX8729芯片在一个连接
菊花链配置。开关频率，且
主控IC的DPWM频率可以很容易地调整
使用外部电阻，或者与系统同步显
良。如果控制器丢失外部同步信号，它
切换到内部振荡器继续operat-
ING 。相移选择引脚PS1和PS2可以被用来
设置4个不同的相移，最多支持5个
MAX8729同时使用。
在MAX8729可以保护灯泡出了逆变器，仲
继发过压和次级短路故障。
该MAX8729可驱动通常大的功率MOSFET
在一个功率级驱动4个采用
以上并联CCFL灯管。内部5.35V线性
监管权力的MOSFET驱动器和大部分的
内部电路。该MAX8729可在一个低成本，
采用28引脚QSOP封装，工作在-40° C至
+ 85°C扩展级温度范围。
特点
低成本，半桥逆变拓扑
谐振模式启辉确保可靠启动
恒定频率工作灯后
点火
驱动较大的外部MOSFET
支持多灯应用
同步和相移控制支持菊花
连锁经营
可调开关频率和DPWM
频率
±2.5 ％灯电流调节
10 ： 1调光范围
准确的模拟调光控制
灯移除检测，带有可调超时
二次电流和电压限制
有R初级电流限制
DS （ ON）
传感
可调DPWM上升和下降时间
低成本， 28引脚QSOP封装
MAX8729
简化工作电路
输入
VCC
3 IN
5 GND
VCC
开/关
调光
4 V
CC
8 SHDN
7 CNTL
2 SEL
12 PSCK
22 PS1
16 PS2
15 HF
LX 23
GL 27
保护地26
VFB 19
ISEC 20
IFB 18
COMP 17
MAX8729
9 LF
6 TFLT
V
DD
28
BST 25
GH 24
CCFL
应用
液晶显示器
液晶电视
笔记本电脑
车载信息娱乐系统
订购信息
部分
MAX8729EEI
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
28 QSOP
11 DPWM
13 HFCK
10
LFCK
PCOMP 1
HSYNC 14
LSYNC 21
引脚配置在数据资料的最后。
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
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1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
固定频率，半桥CCFL
逆变控制器
MAX8729
绝对最大额定值
IN， LX到GND ............................................. ............- 0.3V至+ 30V
BST到GND ............................................... .............- 0.3V至+ 36V
BST到LX ............................................... ...................- 0.3V至+ 6V
V
CC,
V
DD
到GND ................................................ ......- 0.3V至+ 6V
GH到LX ............................................... .......- 0.3V至V
BST
+ 0.3V
CNTL ， COMP ， GL ， DPWM ， HF， LF ， HFCK ，
LFCK ， HSYNC ， LSYNC ， PS1 ， PS2 ， PSCK ， TFLT ，
PCOMP ， SEL ............................................... .......- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
售后不退， ISEC ， VFB到GND ........................................... .....- 6V至+ 6V
SHDN
到GND ................................................ ...........- 0.3V至+ 6V
PGND到GND ............................................... ........- 0.3V至+ 0.3V
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
28引脚QSOP （减免10.8mW / ° C以上+ 70 ° C） ...... 860.2mW
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
(V
IN
= 12V, V
DD
= 5.3V,
T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，
除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
参数
输入电压范围
在静态电流
在静态电流，关断
V
CC
输出电压，正常
手术
V
CC
输出电压，关机
V
CC
欠压
锁定阈值
V
CC
欠压锁定
迟滞
GH ， GL导通电阻，低
状态
GH ， GL导通电阻，高
状态
BST漏电流
谐振频率范围
最小关断时间
最大断时间（ LX- GND ）
低边MOSFET的最大
限流门限（ LX- GND ）
高边MOSFET的最大
限流门限（IN - LX ）
低边MOSFET零电流 -
越过阈值（ GND - LX ）
高边MOSFET零电流 -
越过阈值（ LX - IN）
限流前沿
消隐
IFB调节点
IFB最大交流电压
内部进行全波整流
I
TEST
= 10毫安
I
TEST
= 10毫安
V
BST
= 17V, V
LX
= 12V
未测试
30
330
24.0
370
370
0
-16
310
770
416
30.7
400
400
10
+6
410
790
±3
V
SHDN
= 5.3V, V
IN
= 28V
SHDN
= GND
V
SHDN
= 5.3V ， 6V < V
IN
< 28V ，
0℃，我
负载
＆ LT ; 10毫安
SHDN
= GND ，空载
V
CC
上升（留下锁定）
V
CC
下降（进入锁定）
4.0
200
1
4
2
6
5
80
560
42.0
470
470
18
+28
560
810
5.20
3.5
条件
民
6
3.2
6
5.35
4.6
典型值
最大
28
6
20
5.50
5.5
4.5
单位
V
mA
A
V
V
V
mV
Ω
Ω
A
千赫
ns
s
mV
mV
mV
mV
ns
mV
V
2
_______________________________________________________________________________________
固定频率，半桥CCFL
逆变控制器
电气特性（续）
(V
IN
= 12V, V
DD
= 5.3V,
T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，
除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
参数
IFB输入偏置电流
IFB灯，门限
IFB到跨导
COMP输出阻抗
COMP放电电流在
过压或过流故障
COMP放电电流在
DPWM关断时间
ISEC输入电压范围
ISEC输入偏置电流
ISEC过流阈值
VFB输入电压范围
VFB输入偏置电流
VFB过电压阈值
主振荡器频率
主振荡器频率范围
HF ， HFCK ， LF ， LFCK投入低
电压
HF ， HFCK ， LF ， LFCK投入高
电压
HF ， HFCK ， LF ， LFCK输入
迟滞
HF ， HFCK ， LF ， LFCK输入偏置
当前
HF ， HFCK ， LF ， LFCK输入上升
时间和下降时间
HF输入频率范围
HFCK输入频率范围
HSYNC输入频率范围
LF输入频率范围
LFCK输入频率范围
LSYNC输入频率范围
DPWM斩波频率
DPWM频率范围
从模式，V
CNTL
= V
CC
从模式，V
CNTL
= V
CC
从模式，V
CNTL
= V
CC
从模式，V
CNTL
= V
CC
从模式，V
CNTL
= V
CC
从模式，V
CNTL
= V
CC
从模式，V
CNTL
= V
CC
R
HF
= 100kΩ
从模式，V
CNTL
= V
CC
从模式，V
CNTL
= V
CC
R
LF
= 150kΩ
R
LF
= 150kΩ
R
LF
= 300kΩ
20
120
190
80
10.24
120
199
80
207
-1
2.1
200
+1
200
100
600
460
300
38.40
280
215
300
R
HF
= 100kΩ
-4V < V
VFB
＆ LT ; 4V
V
IFB
=为800mV ，V
ISEC
= 2.5V
CNTL = GND ，V
COMP
= 1.5V
-3
-0.3
1.18
-4
-25
2.15
51.7
20
2.25
53.8
1.21
0℃， V
IFB
＆ LT ; 2V
-2V < V
IFB
＆ LT ; 0
拒绝为1μs毛刺
0.5V ＆ LT ; V
COMP
＆ LT ; 2.4V
条件
民
-3
-150
760
790
100
10
1200
100
+3
+0.3
1.26
+4
+25
2.35
55.9
100
0.8
820
典型值
最大
+3
单位
A
mV
S
MΩ
A
A
V
A
V
V
A
V
千赫
千赫
V
V
mV
A
ns
千赫
千赫
千赫
Hz
千赫
Hz
Hz
Hz
MAX8729
_______________________________________________________________________________________
3
固定频率，半桥CCFL
逆变控制器
MAX8729
电气特性（续）
(V
IN
= 12V, V
DD
= 5.3V,
T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，
除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
参数
PS1 ， PS2 ， LSYNC ， HSYNC ， SEL
输入低电压
PS1 ， PS2 ， LSYNC ， HSYNC ， SEL
输入高电压
PS1 ， PS2 ， LSYNC ， HSYNC ， SEL
输入滞后
PS1 ， PS2 ， LSYNC ， HSYNC ， SEL
输入偏置电流
HFCK ， LFCK ， PSCK和DPWM
输出导通电阻
CNTL最小占空比
门槛
CNTL最大占空比
门槛
CNTL输入电流
CNTL输入阈值
DPWM A / D转换器分辨率
SHDN
输入低电压
SHDN
输入高电压
SHDN
输入偏置电流
V
ISEC
< 1.25和V
IFB
< 790mV ; V
FLT
= 2.0V
TFLT充电电流
TFLT旅行门槛
V
ISEC
< 1.25和V
IFB
> 790mV ; V
FLT
= 2.0V
V
ISEC
> 1.25和V
IFB
< 790mV ; V
FLT
= 2.0V
3.9
2.1
-1
0.95
1.00
-1
126
4.0
4.1
V
+1
1.05
A
0℃， V
CNTL
＆ LT ; 2V
从模式
保证单调性
I
TEST
= 1毫安
0.21
1.9
-0.1
4.2
4.5
5
0.8
0.23
2.0
-1
2.1
200
+1
2.5
0.26
2.1
+0.1
4.8
条件
民
典型值
最大
0.8
单位
V
V
mV
A
kΩ
V
V
A
V
位
V
V
A
4
_______________________________________________________________________________________
固定频率，半桥CCFL
逆变控制器
电气特性
(V
IN
= 12V, V
DD
= 5.3V,
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，
除非另有说明。 ） （注1）
参数
IN输入电压范围
在静态电流
在静态电流，关断
V
CC
输出电压，正常
手术
V
CC
输出电压，关机
V
CC
欠压
锁定阈值
GH ， GL导通电阻，低
状态
GH ， GL导通电阻，高
状态
最小关断时间
最大断时间
低边MOSFET的最大
限流门限（ LX -
GND ）
高边MOSFET的最大
限流门限（IN - LX ）
低边MOSFET的零电流
越过阈值（ GND - LX ）
高边MOSFET的零电流
越过阈值（ LX - IN）
限流前沿
消隐
IFB调节点
IFB最大交流电压
IFB输入偏置电流
IFB灯，门限
ISEC输入电压范围
ISEC过流阈值
VFB输入电压范围
VFB过电压阈值
主振荡器频率
主振荡器频率范围
R
HF
= 100kΩ
0℃， V
IFB
＆ LT ; 2V
-2V < V
IFB
＆ LT ; 0
拒绝为1μs毛刺
-3
-150
760
-3
1.18
-4
2.15
50.0
20
820
+3
1.26
+4
2.35
57.6
100
内部进行全波整流
V
SHDN
= 5.3V, V
IN
= 28V
SHDN
= GND
V
SHDN
= 5.3V ， 6V < V
IN
< 28V ，
0℃，我
负载
＆ LT ; 10毫安
SHDN
= GND ，空载
V
CC
上升（留下锁定）
V
CC
下降（进入锁定）
I
TEST
= 10毫安
I
TEST
= 10毫安
330
24.0
350
4.0
3
7
560
42.0
500
5.20
3.5
条件
民
6
典型值
最大
28
6
20
5.50
5.5
4.5
单位
V
mA
A
V
V
V
Ω
Ω
ns
s
mV
MAX8729
350
0
-16
310
770
±3
500
18
+28
560
810
+3
mV
mV
mV
ns
mV
V
A
mV
V
V
V
V
千赫
千赫
_______________________________________________________________________________________
5
QQ：2881677436 复制
