8 ， 16 ， 32 MEG ×64
无缓冲DIMM的DRAM
DRAM
模块
特点
八CAS ＃ ECC引脚排列在168针的双列直插式
内存模块（ DIMM ）
64MB （ 8梅格×64 ） ， 128MB （梅格16 ×64 ） ，和
256MB （梅格32 ×64 ）
无缓冲
高性能CMOS硅栅工艺
单+ 3.3V ± 0.3V电源
所有输入，输出和时钟LVTTL-
兼容
4096周期CAS ＃ -before - RAS ＃ （ CBR ）刷新
分布在64毫秒
扩展数据输出（ EDO ）页面模式存取周期
串行存在检测（ SPD ）
MT8LD864A X， MT16LD1664A X，
MT32LD3264A X
对于最新的数据资料，请参考美光网络
网站：
www.micronsemi.com/datasheets/datasheet.html
引脚配置（前视图）
168针DIMM
（H- 14; 64MB ）
（ H- 17 ; 128MB ）
（H- 30; 256 ）
选项
包
168针DIMM （金）
时机
为50ns存取
60ns的访问
访问周期
EDO页模式
记号
G
-5
-6
X
关键时序参数
速度
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
CAS
84ns
104ns
50ns
60ns
20ns
25ns
25ns
30ns
13ns
15ns
8ns
10ns
产品编号
产品型号
MT8LD864AG - 5 X
MT8LD864AG - 6 X
MT16LD1664AG - 5 X
MT16LD1664AG - 6 X
MT32LD3264AG - 5 X *
MT32LD3264AG - 6 X *
CON组fi guration
8梅格×64
8梅格×64
梅格16 ×64
梅格16 ×64
梅格32 ×64
梅格32 ×64
速度
50ns
60ns
50ns
60ns
50ns
60ns
*联系工厂的可用性
注意：
括号中的符号引脚上，这些模块没有使用，但
可用于该产品系列中的其它模块。他们是
仅供参考。
PIN密码符号
1
V
SS
43
2
DQ0
44
3
DQ1
45
4
DQ2
46
5
DQ3
47
6
V
DD
48
7
DQ4
49
8
DQ5
50
9
DQ6
51
10
DQ7
52
11
DQ8
53
12
V
SS
54
13
DQ9
55
14
DQ10
56
15
DQ11
57
16
DQ12
58
17
DQ13
59
18
V
DD
60
19
DQ14
61
20
DQ15
62
21
NC
63
22
NC
64
23
V
SS
65
24
NC
66
25
NC
67
26
V
DD
68
27
WE0#
69
28
CAS0#
70
29
CAS1#
71
30
RAS0#
72
31
OE0#
73
32
V
SS
74
33
A0
75
34
A2
76
35
A4
77
36
A6
78
37
A8
79
38
A10
80
39 NC （ A12 ） 81
40
V
DD
82
41
V
DD
83
42
俄罗斯足协
84
只有** 256MB版本
符号
V
SS
OE2#
RAS2#
CAS2#
CAS3#
WE2#
V
DD
NC
NC
NC
NC
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
V
DD
DQ20
NC
俄罗斯足协
NC
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
DD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
NC
NC
NC
SDA
SCL
V
DD
引脚符号引脚符号
85
V
SS
127
V
SS
86
DQ32
128
俄罗斯足协
87
DQ33
129 NC / RAS3 ＃ **
88
DQ34
130
CAS6#
89
DQ35
131
CAS7#
90
V
DD
132
俄罗斯足协
91
DQ36
133
V
DD
92
DQ37
134
NC
93
DQ38
135
NC
94
DQ39
136
NC
95
DQ40
137
NC
96
V
SS
138
V
SS
97
DQ41
139
DQ48
98
DQ42
140
DQ49
99
DQ43
141
DQ50
100
DQ44
142
DQ51
101
DQ45
143
V
DD
102
V
DD
144
DQ52
103
DQ46
145
NC
104
DQ47
146
俄罗斯足协
105
NC
147
NC
106
NC
148
V
SS
107
V
SS
149
DQ53
108
NC
150
DQ54
109
NC
151
DQ55
110
V
DD
152
V
SS
111
俄罗斯足协
153
DQ56
112
CAS4#
154
DQ57
113
CAS5#
155
DQ58
114 NC / RAS1 ＃ **
156
DQ59
115
俄罗斯足协
157
V
DD
116
V
SS
158
DQ60
117
A1
159
DQ61
118
A3
160
DQ62
119
A5
161
DQ63
120
A7
162
V
SS
121
A9
163
NC
122
A11
164
NC
123 NC （ A13 ） 165
SA0
124
V
DD
166
SA1
125
俄罗斯足协
167
SA2
126
俄罗斯足协
168
V
DD
8 ， 16 ， 32兆×64无缓冲DIMM的DRAM
DM78.p65 - 修订版2/99
1
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1999年，美光科技公司
美光科技公司是美光科技公司的注册商标。
8 ， 16 ， 32 MEG ×64
无缓冲DIMM的DRAM
概述
美光
MT8LD864A X， MT16LD1664A X
和MT32LD3264A X是随机访问的64MB ，
组织一个64位128MB和256MB的记忆CON-
成形。他们是专门处理操作
从3V到3.6V的低电压存储器系统。
在读或写周期，每个位是唯一
通过22/23地址位，这是解决
输入的12位（ A0- A11） ，在RAS＃时间和11/12位
（ A0 - A11）在CAS ＃时间。
读写周期选择与WE＃
输入。在我们的逻辑HIGH＃使然阅读模式，而
一个逻辑低电平WE＃使然写模式。在一
写周期，数据输入（ D）的下降沿锁存
WE＃或CAS ＃ ，取其最后出现。早期
当WE＃被拉低之前CAS ＃时写
坠落。后写入或读 - 修改 - 写OC-
小人当WE＃下降后， CAS ＃被拉低。
在早期写周期，数据输出（Q ）会
保持高阻无论OE ＃的状态。中
晚写或读 - 修改 - 写周期， OE ＃
必须采取高电平，禁止数据输出之前
以施加输入数据。如果后写入或READ-
修改 - 写在试图同时保持OE ＃低，
不会发生写，以及数据输出将驱动
读取从所访问的位置的数据。
从有效数据到高阻切换并返回到相同的
有效的数据。如果OE ＃翻转或脉冲后， CAS ＃变
高而RAS ＃依然很低，数据将转换
并保持高阻。
在一个应用程序中，如果DQ的输出线
或运算， OE ＃必须使用禁用的DRAM闲置的银行。
另外，脉冲WE＃空闲期间银行
CAS＃高电平时间也将三态输出。不知疲倦
OE ＃控制的吊灯，输出后会禁用
t
关，这是从RAS＃上升沿引用
或CAS ＃ ，先到为准过去。 （请参阅16梅格X
4 MT4LC16M4H9 ] DRAM数据手册附加
在EDO功能的信息。 ）
刷新
返回RAS ＃和CAS ＃ HIGH终止
存储器周期和减小芯片的电流，以减小
待机水平。此外，该芯片为前提的
在RAS ＃高电平时间下一个周期。正确的内存
单元数据是通过保持动力和EX-保存
ecuting任何RAS ＃循环（读，写）或RAS ＃ RE-
新鲜周期（ RAS ＃ - 只， CBR或隐藏） ，使所有
RAS ＃地址的组合（ A0 - A10 / A11 ）是
执行至少每
t
REF ，不论顺序。该
CBR刷新周期将调用内部刷新
计数器自动RAS ＃寻址。
EDO页模式
EDO页模式是加速快， PAGE-
MODE循环。 EDO的主要优点是
数据输出的可用性，即使CAS ＃蜗居
HIGH 。 EDO提供CAS ＃预充电时间（
t
CP ），以
情况下发生的输出数据将会无效。这
消除CAS ＃输出控制为用户喉─
行写道。
FAST- PAGE -MODE模块具有传统
打开输出缓冲器关闭（高阻）的上升
对CAS＃边缘。 EDO -页面模式的DRAM一样操作
FAST-页面模式的DRAM ，除了数据将保持
在有效或生效后， CAS ＃变为高电平
读取提供RAS ＃和OE ＃保持低电平。如果OE ＃
是脉冲，而RAS ＃和CAS ＃低，数据会
串行存在检测操作
该模块系列集成了串行presence-
检测（ SPD ） 。该SPD功能通过实现
一个2048比特的EEPROM 。这非易失性存储设备
包含256个字节。前128个字节可以亲
美光编程识别模块类型，
各DRAM组织和时序参数。
可供使用的剩余128字节的存储空间
由客户。系统的读/写操作BE-
补间的主（系统逻辑），从EEPROM
设备（DIMM）使用通过标准的IIC总线发生
的DIMM的SCL（时钟）和SDA （数据）信号，一起
与SA （ 2 ： 0 ） ，它提供了8个不同的DIMM / EEPROM
地址。
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无缓冲DIMM的DRAM
功能框图
MT8LD864A X（ 64MB ）
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
DQ0-DQ7
DQ0-DQ7
WE＃
WE＃
U2
OE ＃
RAS ＃
OE ＃
RAS ＃
A0A11
CAS ＃
DQ0-DQ7
WE＃
U3
OE ＃
RAS ＃
A0A11
CAS ＃
DQ0-DQ7
U4
WE0#
OE0#
RAS0#
CAS0#
CAS1#
CAS2#
CAS3#
WE＃
U1
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃
A0A11
CAS ＃
A0A11
12
12
12
12
A0-A11
DQ32-DQ39
DQ40-DQ47
DQ48-DQ55
DQ56-DQ63
DQ0-DQ7
DQ0-DQ7
WE＃
WE＃
U6
OE ＃
RAS ＃
OE ＃
RAS ＃
A0A11
CAS ＃
DQ0-DQ7
WE＃
U7
OE ＃
RAS ＃
A0A11
CAS ＃
DQ0-DQ7
U8
WE2#
OE2#
RAS2#
CAS4#
CAS5#
CAS6#
CAS7#
WE＃
U5
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃
A0A11
CAS ＃
A0A11
12
12
12
12
SPD
U1 - U8 = MT4LC8M8C2
SCL
A0
SA0
V
DD
V
SS
A1
SA1
A2
SA2
U1-U8
U1-U8
SDA
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1999年，美光科技公司
8 ， 16 ， 32 MEG ×64
无缓冲DIMM的DRAM
功能框图
MT16LD1664A X（ 128MB ）
DQ0-DQ3
DQ4-DQ7
DQ8-DQ11
DQ12-DQ15
DQ16-DQ19
DQ20-DQ23
DQ24-DQ27
DQ28-DQ31
DQ0-DQ3
WE0#
OE0#
RAS0#
CAS0#
CAS1#
CAS2#
CAS3#
A0-A11
WE＃
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
U1
DQ0-DQ3
WE＃
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
U2
DQ0-DQ3
WE＃
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
U3
DQ0-DQ3
WE＃
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
U4
DQ0-DQ3
WE＃
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
U5
DQ0-DQ3
WE＃
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
U6
DQ0-DQ3
WE＃
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
U7
DQ0-DQ3
WE＃
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
U8
12
12
12
12
12
12
12
12
DQ32-DQ35
DQ36-DQ39
DQ40-DQ43
DQ44-DQ47
DQ48-DQ51
DQ52-DQ55
DQ56-DQ59
DQ60-DQ63
DQ0-DQ3
WE2#
OE2#
RAS2#
CAS4#
CAS5#
CAS6#
CAS7#
WE＃
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
U9
DQ0-DQ3
WE＃
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
U10
DQ0-DQ3
WE＃
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
U11
DQ0-DQ3
WE＃
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
U12
DQ0-DQ3
WE＃
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
U13
DQ0-DQ3
WE＃
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
U14
DQ0-DQ3
WE＃
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
U15
DQ0-DQ3
WE＃
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
U16
12
12
12
12
12
12
12
12
SPD
SCL
A0
SA0
V
DD
V
SS
A1
SA1
A2
SA2
U1-U16
U1-U16
SDA
U1 - U16 = MT4LC16M4H9
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8 ， 16 ， 32 MEG ×64
无缓冲DIMM的DRAM
功能框图
MT32LD3264A X（ 256MB ）
DQ0-DQ3
DQ4-DQ7
DQ8-DQ11
DQ12-DQ15
DQ16-DQ19
DQ20-DQ23
DQ24-DQ27
DQ28-DQ31
DQ0-DQ3
DQ0-DQ3
WE＃
U2
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U3
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U4
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U5
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U6
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U7
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U8
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
WE0#
OE0#
RAS0#
CAS0#
CAS1#
CAS2#
CAS3#
A0-A11
WE＃
U1
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
12
12
12
12
12
12
12
12
DQ32-DQ35
DQ36-DQ39
DQ40-DQ43
DQ44-DQ47
DQ48-DQ51
DQ52-DQ55
DQ56-DQ59
DQ60-DQ63
DQ0-DQ3
DQ0-DQ3
WE＃
U10
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U11
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U12
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U13
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U14
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U15
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U16
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
WE2#
OE2#
RAS2#
CAS4#
CAS5#
CAS6#
CAS7#
WE＃
U9
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
12
12
12
12
12
12
12
12
DQ0-DQ3
DQ4-DQ7
DQ8-DQ11
DQ12-DQ15
DQ16-DQ19
DQ20-DQ23
DQ24-DQ27
DQ28-DQ31
DQ0-DQ3
WE＃
U17
OE ＃
OE ＃
DQ0-DQ3
WE＃
U18
DQ0-DQ3
WE＃
U19
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U20
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U21
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U22
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U23
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U24
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
RAS1#
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
12
12
12
12
12
12
12
12
DQ32-DQ35
DQ36-DQ39
DQ40-DQ43
DQ44-DQ47
DQ48-DQ51
DQ52-DQ55
DQ56-DQ59
DQ60-DQ63
DQ0-DQ3
WE＃
U25
OE ＃
OE ＃
DQ0-DQ3
WE＃
U26
DQ0-DQ3
WE＃
U27
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U28
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U29
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U30
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U31
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
DQ0-DQ3
WE＃
U32
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
RAS3#
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
RAS ＃
CAS ＃ A0A11
12
12
12
12
12
12
12
12
SPD
SCL
A0
SA0
V
DD
V
SS
U1 - U32 = MT4LC16M4H9
SDA
A2
SA2
U1-U32
U1-U32
A1
SA1
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