变容二极管
MA26V12
硅外延平面型
单位：mm
对于VCO
■
特点
良好的线性和大电容比用C
D
V
R
关系
小编电阻r
D
通过这种低电容高频型
1.00
±0.05
0.60
±0.05
3
2
1
0.39
+0.01
0.03
0.15
±0.05
0.05
±0.03
0.35
±0.01
0.25
±0.05
0.50
±0.05
0.25
±0.05
1
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
反向电压
结温
储存温度
符号
V
R
T
j
T
英镑
等级
8
125
55
to
+125
单位
V
°C
°C
3
0.65
±0.01
2
0.05
±0.03
1 ：阳极
2 ：北卡罗来纳州
3 ：阴极
ML3 -N2套餐
标记符号： 2R
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
反向电流
二极管电容
符号
I
R
C
D1V
C
D4V
电容比
串联电阻
*
C
D1V
/C
D4V
r
D
V
R
=
4 V，F
=
470兆赫
V
R
=
5 V
V
R
=
1 V，F
=
1兆赫
V
R
=
4 V，F
=
1兆赫
3.60
1.97
1.75
条件
民
典型值
最大
10
3.90
2.14
1.90
0.35
单位
nA
pF
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法的二极管。
输入和输出的2.绝对频率为470兆赫
3. * ：测量仪器： YHP模型4191A RF阻抗分析仪
出版日期： 2003年11月
SKD00080BED
1
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2003年九月
