MCP6031/2/3/4
0.9 μA ，高精度运算放大器
特点
轨至轨输入和输出
低失调电压：
±
150 μV （最大值）
超低静态电流： 0.9 μA （典型值）
宽电源电压： 1.8V至5.5V
增益带宽积： 10千赫（典型值）
单位增益稳定
片选（ CS ）功能： MCP6033
扩展级温度范围：
- -40 ° C至+ 125°C
无相位反转
描述
Microchip Technology Inc.的MCP6031 / 2/ 3/4系列
运算放大器（运放）工作于
单电源电压可低至1.8V ，而绘图
每个放大器的超低静态电流（ 0.9 μA ，
典型值） 。该系列还具有低输入失调电压
(
±
150 μV ，最大值）和轨到轨输入和输出
操作。功能支持这一组合
电池供电的便携式应用。
在MCP6031 / 2/ 3/4系列为单位增益稳定，具有
10千赫（典型值）的增益带宽积。这些
规范使这些运算放大器适合于低频
昆西应用，如电池电流
监控和传感器调理。
在MCP6031 / 2 /3/4系列提供单
（ MCP6031 ），带省电片选（ CS ）
输入（ MCP6033 ） ，双（ MCP6032 ） ，和四
（ MCP6034 ）配置。
在MCP6031 / 2/ 3/4系列的设计与微
芯片的先进的CMOS工艺。所有器件都
可以在扩展温度范围内，具有
电源电压范围为1.8V至5.5V 。
应用
收费站标签
可穿戴式产品
电池电流监测
传感器调节
电池供电
设计工具
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
Mindi
TM
仿真工具
MAPS （ Microchip高级器件选型）
模拟演示和评估板
应用笔记
封装类型
MCP6031
SOIC ， MSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP6032
SOIC ， MSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
–
5 V
INB
+
典型用途
V
DD
V
DD
V
OUT
10Ω
1.8V至
5.5V
I
DD
100 kΩ
V
SS
I
DD
MCP6031
V
SS
1 MΩ
V
DD
–
V
OUT
-
=
-------------------------------------------
(
10 V
V
)
(
10
Ω
)
MCP6033
SOIC ， MSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 CS
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP6034
SOIC ， TSSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
DD
4
V
INB
+ 5
V
INB
– 6
V
OUTB
7
14 V
OUTD
13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
–
8 V
OUTC
高端电池电流传感器
2007 Microchip的技术公司
DS22041A第1页
MCP6031/2/3/4
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的这种操作列表说明
规范是不是暗示。置身于最大额定
长时间会影响器件的荷兰国际集团的条件
可靠性。
SEE
第4.1.2节“输入电压和电流
极限？
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
在模拟输入引脚电流（V
IN +
, V
IN-
） 。 ..................... ± 2毫安
模拟输入（V
IN +
, V
IN-
)........... V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流.................................不断
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
) .......................... +150°C
ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）
................ ≥
4千伏; 400V
DC电气规格
电气特性：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，
V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
≈
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/ 2和R
L
= 1 MΩ到V
L
（参照
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
输入失调
输入失调电压
V
OS
-150
—
70
—
—
—
—
—
—
V
SS
0.3
70
72
70
72
开环增益
直流开环增益
（大信号）
A
OL
95
115
—
dB
0.2V < V
OUT
＆ LT ; （V
DD
– 0.2V)
R
L
= 50 kΩ到V
L
—
±3.0
88
±1.0
60
2000
±1.0
10
13
||6
10
13
||6
—
95
93
89
93
+150
—
—
100
—
5000
—
—
—
V
DD
+
0.3
—
—
—
—
V
V
DD
= 3.0V, V
CM
= V
DD
/3
输入失调漂移与温度
ΔV
OS
/ΔT
A
电源抑制比
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
I
B
I
B
I
B
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入电压
范围
共模抑制比
V
CMR
CMRR
V
dB
dB
dB
dB
V
CM
= -0.3V至2.1V ，
V
DD
= 1.8V
V
CM
= -0.3V至5.8V ，
V
DD
= 5.5V
V
CM
= 2.75V至5.8V ，
V
DD
= 5.5V
V
CM
= -0.3V至2.75V ，
V
DD
= 5.5V
I
OS
Z
CM
Z
差异
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
PSRR
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 125°C ，
V
DD
= 3.0V, V
CM
= V
DD
/3
dB
V
CM
= V
SS
符号
民
典型值
最大
单位
条件
DS22041A第2页
2007 Microchip的技术公司
