MBM29DL16XTE/BE
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概述
该MBM29DL16XTE / BE是16M位， 3.0 V-仅限Flash组织为每个或1M 8位2M字节的内存
也就是说，每行16位。该MBM29DL16XTE / BE在一个48引脚TSOP （ 1 ）和48引脚FBGA封装。
这些设备被设计成在系统编程与标准体系3.0 VV
CC
供应量。 12.0 V
V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该器件还可以在重新编程
标准EPROM编程器。
MBM29DL16XTE / BE被组织成两家银行，银行1和银行2，这被认为是两个独立的
存储器阵列的操作。这是富士通的标准3 V仅闪存的附加功能
允许从所述阵列的非繁忙银行而嵌入的写一个正常的非延迟的读访问的（无论是
一个程序或擦除）操作时同时服用的其他银行的地方。
在MBM29DL16XTE / BE，全新的设计理念得以实施，所谓的“滑动银行体系” 。下
这一概念， MBM29DL16XTE / BE可以生产一个系列的器件具有不同的银行1 / 2银行规模
组合; 0.5兆/ 15.5兆， 2兆/ 14兆， 4兆/ 12兆， 8兆/ 8 MB。
标准MBM29DL16XTE / BE报价访问时间70 ns到90 ns的高速运转让
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有独立的芯片使能（ CE ） ，
写使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29DL16XTE / BE的引脚和指令集兼容JEDEC标准E
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PROM中。命令
被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。读出数据的装置的
类似于从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该MBM29DL16XTE / BE是通过执行程序指令序列编程。这将调用
嵌入式程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度
并验证正确的电池余量。典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。
擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法，可以自动preprograms阵列如果它尚未被编程的
前执行擦除操作。在擦除时，设备会自动时间擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
一个扇区通常被擦除并在1.0秒验证。 （如果已完全预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。该MBM29DL16XTE / BE是从出厂时被删除
工厂。
这些器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
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,
通过对DQ的触发位功能
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或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
完成时，设备内部复位到读模式。
富士通的闪存技术，结合多年的EPROM和E
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PROM经验，生产的最高水平
的质量，可靠性和成本效益。该MBM29DL16XTE / BE的记忆电擦除整个芯片
或者通过福勒 - Nordhiem隧道同时一个扇区内的所有位。该字节/字编程1
字节/字在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
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