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砷化镓红外发光二极管
LED55BF
包装尺寸
0.209 (5.31)
0.184 (4.67)
LED55CF
LED56F
0.030 (0.76)
0.155 (3.94)
最大
1.00 (25.4)
阳极
(案例)
0.100 (2.54)
0.050 (1.27)
概要
0.040 (1.02)
0.040 (1.02)
45°
1
3
0.020 (0.51) 2X
阳极
(接
以案例)
阴极
3
1
注意事项:
1,外形尺寸为所有的图纸都是以英寸(毫米) 。
在所有非标称尺寸2.公差± 0.010 ( 0.25 )
除非另有规定ED 。
描述
该LED55BF / LED55CF / LED56F系列是在广角940nm的发光二极管, TO-46封装。
特点
良好的光学机械调整
机械和波长相匹配的TO-18系列光电晶体管
密封包装
高辐射水平
2001年仙童半导体公司
DS300313
6/05/01
1 4
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砷化镓红外发光二极管
LED55BF
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
焊接温度(铁)
( 3,4,5和6)
焊接温度(流动)
( 3,4和6)
连续正向电流
正向电流( PW ,为1μs ; 200Hz时)
反向电压
功率耗散(T
A
= 25°C)
(1)
功率耗散(T
C
= 25°C)
(2)
符号
T
OPR
T
英镑
T
SOL -I
T
SOL -F
I
F
I
F
V
R
P
D
P
D
LED55CF
等级
-65到+125
-65到+150
240 ,持续5秒
260 ,持续10秒
100
10
3
170
1.3
LED56F
单位
°C
°C
°C
°C
mA
A
V
mW
W
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
注意:
1.减免功耗线性1.70毫瓦/ ° C以上25 ° C的环境。
2.减免功耗线性13.0毫瓦/°C, 25°C以上的情况下。
3. RMA助焊剂,推荐。
4,甲醇,异丙醇醇推荐的清洁剂。
5.烙铁头
1/16”
( 1.6毫米)从最低住房。
6.只要线索都没有在任何压力或弹簧张力
7,总输出功率,P
O
是总功率由装置发射到2的立体角
!
球面度。
电/光特性
参数
测试条件
(T
A
= 25 ℃)(脉冲条件下进行所有的测量)
符号
典型值
最大
单位
峰值发射波长
发射角为1/2电源
正向电压
反向漏电流
总功率LED55BF
(7)
总功率LED55CF
(7)
总功率LED56F
(7)
上升时间输出的0-90 %
下降时间输出100-10 %
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 3 V
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
& QUOT ;
PE
#
V
F
I
R
P
O
P
O
P
O
t
r
t
f
3.5
5.4
1.5
940
±40
1.0
1.0
1.7
10
nm
度。
V
A
mW
mW
mW
s
s
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2 4
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DS300313
砷化镓红外发光二极管
LED55BF
典型性能曲线
图1.输出功率与输入电流
100
50
20
10
P
O
,归一化功率输出
5
2
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
.001
.002
.005
.01
.02
.05
0.1
0.2
0.5
1.0
归一
I
F
= 100毫安
T
A
= 25°C
LED55CF
LED56F
脉冲
P
W
= 80
微秒
前锋
当前
连续
前锋
当前
2
5
10
I
F
,正向电流( A)
图3.正向电压与正向电流
图2.输出功率与温度的关系
1.4
1.2
P
O
,归一化功率输出
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
归一
I
F
= 100毫安
T
A
= 25°C
I
F
,正向电流( A)
0
25
50
75
100
125
150
.01
T
A
,环境温度( ° C)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
.08
.06
.04
.02
-50
-25
10
8.0
6.0
4.0
V
F
,正向电压( V)
图4.正向电压与正向电流
100
80
60
40
I
F
,正向电流(mA )
20
T
A
= 100°C
10
8
6
4
25°C
-55°C
相对输出(%)
100
图5.典型的辐射模式
80
60
40
2
1
20
.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
θ
- 角位移从光轴(度)
V
F
,正向电压( V)
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砷化镓红外发光二极管
LED55BF
LED55CF
LED56F
放弃
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以下所有产品在提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担
因任何产品或电路的应用或使用任何责任DESCRIBED
此处;它也没有传达任何许可根据其专利权,也没有权利
其他人。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可, FAIRCHILD总统
半导体公司版权所有。如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或
其中, ( a)打算通过外科手术系统
植入到体内,或(b )支持或维持生命,
(三)未能履行其在正确
用于按照提供的使用说明
在标签,可以合理预期导致
显著伤害用户。
在生命支持任何组件2.关键部件
设备或系统,其未能履行可
合理预期造成生命的失败
支持设备或系统,或影响其安全性或
有效性。
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4 4
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