LH1262CAC / CACTR / CB
威世半导体
光伏双MOSFET驱动固态继电器
DIP
8
7
6
5
特点
高开路电压
高短路电流
隔离测试电压5300 V
RMS
逻辑兼容输入
高可靠性
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
i179020
SMD
1
2
3
4
+控制1
- 控制1
+控制2
- 控制2
- 输出1
+输出1
- 输出2
+输出2
e3
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
BSI / BABT证书。 7980号
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
FIMKO认证
Pb
无铅
描述
该LH1262CB / CAC光伏MOSFET驱动器
由两个LED光学耦合到两个光电
二极管阵列。光电二极管阵列提供了一个悬空
荷兰国际集团源提供足够的电压和电流来驱动
高功率MOSFET晶体管。光电耦合
提供高I / O隔离电压。为了打开
在MOSFET关断，外部电阻（栅极 -
源）所需的栅极放电。
应用
高侧驱动器
固态继电器
浮动电源
功率控制
数据采集
吃
隔离开关
见"Solid Statae Relays" （应用笔记56 ）
订购信息
部分
LH1262CAC
LH1262CACTR
LH1262CB
备注
管， SMD- 8
卷带式， SMD- 8
管， DIP- 8
文档编号83802
修订版1.3 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
LH1262CAC / CACTR / CB
威世半导体
绝对最大额定值，T
AMB
= 25 °C
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
延长的时间周期最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
SSR
参数
LED输入收视率不断前进
当前
LED的额定输入电压反向
光电二极管阵列反向电压
工作温度范围
存储温度范围
引脚焊接时间
输入/输出隔离电压
T = 7.0秒以内。
t为60秒分钟。
I
R
≤
10
A
I
R
≤
2.0
A
测试条件
符号
I
F
V
R
V
R
T
AMB
T
英镑
T
S
V
ISO
价值
50
5.0
100
- 40至+ 100
- 40 + 150
270
5300
单位
mA
V
V
°C
°C
°C
V
RMS
电特性，T
AMB
= 25 °C
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
参数
LED正向电压
检测器正向电压
探测器反向电压
开路电压（管脚5,6或7,8）
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10
A
I
R
= 2.0
A
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
短路电流（管脚5,6或7,8）
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
开启时间
打开-O FF时间
1)
符号
V
F
V
F（ PDA）的
V
R（ PDA）的
V
OC
V
OC
V
OC
I
SC
I
SC
I
SC
t
on
t
关闭
民
1.15
典型值。
1.26
14
200
最大
1.45
单位
V
V
V
10
12
13.1
13.3
15
V
V
V
1.0
2.6
2.44
5.24
10.8
35
90
6.5
14
A
A
A
s
s
I
F
= 20毫安
1)
I
F
= 20毫安
1)
F = 1.0千赫兹，脉冲宽度= 100
s,
负载（R
L
）= 1.0 MΩ ， 15 pF的;在90 ％额定电压（T测
on
），10％的额定电压（叔
关闭
） 。动
速度取决于外部吨
on
和T
关闭
电路和MOSFET的电容。
功能说明
图1概括了照明时的IV特性
转换后的光电二极管阵列（PDA） 。对于工作在电压
低于V年龄
OC
时，PDA充当一个几乎恒定的
电流源。操作的实际区域
取决于负载。
施加给LED的电流的量（引脚1和
2或3和4）来确定光的产生量
为PDA 。用于高温操作时，更
LED电流可能需要。
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2
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威世半导体
光伏双MOSFET驱动固态继电器
DIP
8
7
6
5
特点
高开路电压
高短路电流
隔离测试电压5300 V
RMS
逻辑兼容输入
高可靠性
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
i179020
SMD
1
2
3
4
+控制1
- 控制1
+控制2
- 控制2
- 输出1
+输出1
- 输出2
+输出2
e3
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
BSI / BABT证书。 7980号
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
FIMKO认证
Pb
无铅
描述
该LH1262CB / CAC光伏MOSFET驱动器
由两个LED光学耦合到两个光电
二极管阵列。光电二极管阵列提供了一个悬空
荷兰国际集团源提供足够的电压和电流来驱动
高功率MOSFET晶体管。光电耦合
提供高I / O隔离电压。为了打开
在MOSFET关断，外部电阻（栅极 -
源）所需的栅极放电。
应用
高侧驱动器
固态继电器
浮动电源
功率控制
数据采集
吃
隔离开关
见"Solid Statae Relays" （应用笔记56 ）
订购信息
部分
LH1262CAC
LH1262CACTR
LH1262CB
备注
管， SMD- 8
卷带式， SMD- 8
管， DIP- 8
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威世半导体
绝对最大额定值，T
AMB
= 25 °C
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
延长的时间周期最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
SSR
参数
LED输入收视率不断前进
当前
LED的额定输入电压反向
光电二极管阵列反向电压
工作温度范围
存储温度范围
引脚焊接时间
输入/输出隔离电压
T = 7.0秒以内。
t为60秒分钟。
I
R
≤
10
A
I
R
≤
2.0
A
测试条件
符号
I
F
V
R
V
R
T
AMB
T
英镑
T
S
V
ISO
价值
50
5.0
100
- 40至+ 100
- 40 + 150
270
5300
单位
mA
V
V
°C
°C
°C
V
RMS
电特性，T
AMB
= 25 °C
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
参数
LED正向电压
检测器正向电压
探测器反向电压
开路电压（管脚5,6或7,8）
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10
A
I
R
= 2.0
A
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
短路电流（管脚5,6或7,8）
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
开启时间
打开-O FF时间
1)
符号
V
F
V
F（ PDA）的
V
R（ PDA）的
V
OC
V
OC
V
OC
I
SC
I
SC
I
SC
t
on
t
关闭
民
1.15
典型值。
1.26
14
200
最大
1.45
单位
V
V
V
10
12
13.1
13.3
15
V
V
V
1.0
2.6
2.44
5.24
10.8
35
90
6.5
14
A
A
A
s
s
I
F
= 20毫安
1)
I
F
= 20毫安
1)
F = 1.0千赫兹，脉冲宽度= 100
s,
负载（R
L
）= 1.0 MΩ ， 15 pF的;在90 ％额定电压（T测
on
），10％的额定电压（叔
关闭
） 。动
速度取决于外部吨
on
和T
关闭
电路和MOSFET的电容。
功能说明
图1概括了照明时的IV特性
转换后的光电二极管阵列（PDA） 。对于工作在电压
低于V年龄
OC
时，PDA充当一个几乎恒定的
电流源。操作的实际区域
取决于负载。
施加给LED的电流的量（引脚1和
2或3和4）来确定光的产生量
为PDA 。用于高温操作时，更
LED电流可能需要。
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LH1262CAC / CACTR / CB
威世半导体
光伏双MOSFET驱动固态继电器
DIP
8
7
6
5
特点
高开路电压
高短路电流
隔离测试电压5300 V
RMS
逻辑兼容输入
高可靠性
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
i179020
SMD
1
2
3
4
+控制1
- 控制1
+控制2
- 控制2
- 输出1
+输出1
- 输出2
+输出2
e3
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
BSI / BABT证书。 7980号
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
FIMKO认证
Pb
无铅
描述
该LH1262CB / CAC光伏MOSFET驱动器
由两个LED光学耦合到两个光电
二极管阵列。光电二极管阵列提供了一个悬空
荷兰国际集团源提供足够的电压和电流来驱动
高功率MOSFET晶体管。光电耦合
提供高I / O隔离电压。为了打开
在MOSFET关断，外部电阻（栅极 -
源）所需的栅极放电。
应用
高侧驱动器
固态继电器
浮动电源
功率控制
数据采集
吃
隔离开关
见"Solid Statae Relays" （应用笔记56 ）
订购信息
部分
LH1262CAC
LH1262CACTR
LH1262CB
备注
管， SMD- 8
卷带式， SMD- 8
管， DIP- 8
文档编号83802
修订版1.3 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
LH1262CAC / CACTR / CB
威世半导体
绝对最大额定值，T
AMB
= 25 °C
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
延长的时间周期最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
SSR
参数
LED输入收视率不断前进
当前
LED的额定输入电压反向
光电二极管阵列反向电压
工作温度范围
存储温度范围
引脚焊接时间
输入/输出隔离电压
T = 7.0秒以内。
t为60秒分钟。
I
R
≤
10
A
I
R
≤
2.0
A
测试条件
符号
I
F
V
R
V
R
T
AMB
T
英镑
T
S
V
ISO
价值
50
5.0
100
- 40至+ 100
- 40 + 150
270
5300
单位
mA
V
V
°C
°C
°C
V
RMS
电特性，T
AMB
= 25 °C
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
参数
LED正向电压
检测器正向电压
探测器反向电压
开路电压（管脚5,6或7,8）
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10
A
I
R
= 2.0
A
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
短路电流（管脚5,6或7,8）
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
开启时间
打开-O FF时间
1)
符号
V
F
V
F（ PDA）的
V
R（ PDA）的
V
OC
V
OC
V
OC
I
SC
I
SC
I
SC
t
on
t
关闭
民
1.15
典型值。
1.26
14
200
最大
1.45
单位
V
V
V
10
12
13.1
13.3
15
V
V
V
1.0
2.6
2.44
5.24
10.8
35
90
6.5
14
A
A
A
s
s
I
F
= 20毫安
1)
I
F
= 20毫安
1)
F = 1.0千赫兹，脉冲宽度= 100
s,
负载（R
L
）= 1.0 MΩ ， 15 pF的;在90 ％额定电压（T测
on
），10％的额定电压（叔
关闭
） 。动
速度取决于外部吨
on
和T
关闭
电路和MOSFET的电容。
功能说明
图1概括了照明时的IV特性
转换后的光电二极管阵列（PDA） 。对于工作在电压
低于V年龄
OC
时，PDA充当一个几乎恒定的
电流源。操作的实际区域
取决于负载。
施加给LED的电流的量（引脚1和
2或3和4）来确定光的产生量
为PDA 。用于高温操作时，更
LED电流可能需要。
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