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部件号:
± 2克三轴数字加速度计
特定网络阳离子
KXSD9-2050
第2版
Jul-2009
产品说明
该KXSD9是一个三轴硅微加速度计,
± 2G, ± 4G,一个用户可选择的满量程输出范围为± 6克或± 8克。
传感元件采用Kionix公司专有的等离子制造
微加工工艺技术。加速度传感器是基于
从所产生的差动电容的原理
感测元件,其进一步的加速度引起的运动
利用共模抵消从减少失误
工艺偏差,温度和环境压力。该
感元件被气密密封在由键合晶片级
第二硅盖子晶片以使用玻璃料的设备。一
打包带传感元件提供了独立的ASIC器件
信号调节,自检,和温度补偿。该
加速递送至3×3× 0.9毫米LGA塑料包
3.6V直流电源 - 从1.8操作系统。任我
2
C或SPI接口可用于通信,以
该芯片来触发A / D转换和管理功耗。
工作原理图
X
传感器
Y
传感器
收费
AMP
LPF
Z
传感器
VDD
5
IO VDD
1
GND
4
6
温度
传感器
A / D
SPI / I
2
C
运动检测
8
9
10
7
3
AUX IN
36索恩伍德博士 - 伊萨卡,NY 14850
联系电话: 607-257-1080 - 传真: 607-257-1146
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部件号:
± 2克三轴数字加速度计
特定网络阳离子
KXSD9-2050
第2版
Jul-2009
产品规格
表1.机械
(规格为工作在3.3V和T = 25℃除非另有说明)
参数
工作温度范围
零重力偏移
零重力偏移量的变化,从室温温度过高。
FS1 = 1, FS0 = 1( ± 2克)
灵敏度
1
单位
C
COUNTS
毫克/°C的
-40
1843
典型
-
2048
0.5 (XY)
3 (z)
最大
85
2253
794
数/克
390
257
189
%/C
%
%
g
Hz
% FS的
%
g
/
√Hz的
1.1
0.03
819
410
273
205
0.01 (XY)
0.04 (z)
0.3
1.1 (XY)
0.6 (z)
1.5 (XY)
0.5 (z)
4000 ( XY )
2000 (z)
0.1
2
750
844
430
289
221
FS1 = 1, FS0 = 0( ± 4克)
FS1 = 0, FS0 = 1( ± 6克)
FS1 = 0, FS0 = 0( ± 8克)
灵敏度变化,从RT温度过高。
偏移比例误差(V
dd
= 3.3V ± 5%)
灵敏度比例误差(V
dd
= 3.3V ± 5%)
在激活自检输出变化
机械共振( -3dB )
2
非线性
交叉轴灵敏度
噪声密度(在过滤器引脚)
1.9
1.1
注意事项:
从CTRL_REGC 1.用户可选择
受挫伤机械传感器所界定的共振。
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部件号:
± 2克三轴数字加速度计
特定网络阳离子
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表2.电气
(规格为工作在3.3V和T = 25℃除非另有说明)
参数
电源电压(V
dd
)
操作
工作(全功率)
电流消耗工作( 15Hz的)
待机
输出低电压
输出高电压
输入低电压
输入高电压
输入下拉电流
LPF ( -3dB ) = 50赫兹
LPF ( -3dB ) = 100Hz的
2
电时间
LPF ( -3dB ) = 500Hz的
LPF ( -3dB ) = 1,000Hz
LPF ( -3dB ) = 2,000Hz
A / D转换时间
SPI通讯速率
3
I C通信速率
带宽( -3dB )
4
2
1
单位
V
V
A
V
V
V
V
A
1.8
1.7
120
-
-
0.9 * V
io
-
0.8 * V
io
典型
3.3
220
0.1
-
-
-
-
0
15.9
8.0
1.6
0.8
0.4
200
最大
3.6
V
dd
320
I / O焊盘电源电压(V
IO
)
0.3 * V
io
-
0.2 * V
io
-
ms
s
兆赫
千赫
Hz
40
1
400
50
60
注意事项:
1.假设我
2
I2C通信和SCL最小1.5Kohm上拉电阻和
SDA 。
2.启动时间部分的启用之后确定,并通过所确定的
低通滤波器(LPF ),在CTRL_REGC设置。
3. SPI通讯速率可以为每个SPI的通信速度进行优化
下面的时序图。
4.工厂可编程的具有开关电容低通滤波器以2KHz , 1kHz时,
为500Hz , 100Hz的, 50Hz或无低通滤波器。可选地,用户可以在限定
CTRL_REGC 。最大的传感器的频率响应中定义。
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KXSD9 SPI时序图
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
NCS
SCLK
SDI
SDO
t
8
t
9
第7位
第6位
第1位
位0
第7位
第7位
第6位
第6位
第1位
第1位
位0
位0
t
10
t
11
表3. SPI时序
-
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
t
9
t
10
t
11
笔记
描述
VDD高于1.6V后,实现从低到高的转变
NCS低到第一SCLK建立时间
SCLK脉冲宽度:高(不适用于一个字节的最后一位)。
SCLK脉冲宽度:低(不适用于一个字节的最后一位)。
SCLK脉冲宽度:高(仅一个字节的最高位。 )
SCLK脉冲宽度:低(只有一个字节的最高位。 )
NCS低最终SCLK下降沿后缘
NCS脉冲宽度:高
SDI有效到SCLK上升沿
SCLK上升沿到SDI无效
SCLK下降沿到SDO有效
SCLK下降沿到SDO无效
推荐SPI SCLK
A / D转换SCLK保持(T
5
)
1
130
130
130
200
350
350
130
10
100
-
0
1
200
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
130
-
-
-
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
us
us
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表4.环境
参数
电源电压(V
dd
)绝对限制
工作温度范围
存储温度范围
机甲。冲击(动力和无动力)
ESD
HBM
单位
V
C
C
g
V
-0.3
-40
-55
-
-
典型
-
-
-
-
-
最大
6.0
85
150
5000为0.5ms
10000为0.2ms
2000
注意: ESD敏感和机械冲击敏感元件,处理不当
可以对器件造成永久性损坏。
本产品符合指令2002/95 / EC欧洲议会和的
欧盟理事会指令(RoHS ) 。具体而言,本产品不含有铅,
汞,镉,六价铬,多溴联苯( PBB ) ,或
多溴联苯醚( PBDE )以上的最大浓度值
(MCV) (重量)在其任何同质材料。同质材料"of
成分均匀throughout."
本产品不含卤素,符合IEC 61249-2-21 。具体地,用于本材料
产品含有1500ppm的最大总卤含量低于900 ppm的
溴和小于900 ppm的氯。
HF
焊接
焊接建议可根据要求或
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