添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第99页 > KMD7D5P40QA
半导体
技术参数
概述
此沟道MOSFET具有更好的特性,如低导通电阻,低
栅极电荷和出色的雪崩characteristiscs 。它主要适用于
电池保护电路。
D
KMD7D5P40QA
P沟道沟槽MOSFET
H
T
P
G
L
特点
V
DSS
= -40V ,我
D
=-7.5A.
·漏源
导通电阻。
R
DS ( ON)
= 30mΩ到(最大) @ V
GS
=-10V
R
DS ( ON)
= 37MΩ (最大) @ V
GS
=-4.5V
·超
高密度电池设计
1
4
8
5
B1 B2
A
MOSFET的最大额定值( TA = 25 ℃除非另有说明)
特征
漏源电压
门源电压
漏电流
DC@Ta=25℃
脉冲
漏源二极管的正向电流
漏极功耗
DC@Ta=25℃
SYMBOL PATING
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DP
I
S
P
D
*
T
j
T
英镑
R
thJA
*
-40
±20
-7.5
-30
-30
2.0
150
-55~150
62.5
单位
V
V
A
A
A
W
℃/W
暗淡
A
B1
B2
D
G
H
L
P
T
MILLIMETERS
_
4.85
+
0.2
_
3.94
+
0.2
_
0.3
6.02
+
_
0.4
+
0.1
0.15+0.1/-0.05
_
1.63
+
0.2
_
0.65
+
0.2
1.27
0.20+0.1/-0.05
FLP-8
最高结温
存储温度范围
热阻,结到环境
KMD7D5P
40QA
注: *表面装在1 “ × 1 ” FR4板, t≤10sec
引脚连接(顶视图)
S
S
S
G
1
8
D
D
D
D
1
2
3
8
7
6
5
2
7
3
6
4
4
5
2008. 9. 17
版本号: 1
1/4
KMD7D5P40QA
电气特性( TA = 25 ℃ ),除非另有说明
特征
STATIC
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
动态
栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
源极 - 漏极二极管评级
源极 - 漏极的正向电压
V
SDF *
V
GS
= 0V时,我
DR
=-7.5A,
-
-
-1.2
V
R
g
Q
g*
Q
GS *
Q
GD *
t
D(上) *
t
r*
t
D(关闭) *
t
f*
V
DD
=-20V, V
GS
=-10V
I
D
= -7.5A ,R
g
=4.7
V
DS
=-32V, V
GS
= -10V ,我
D
=-7.5A
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
-
6
27
3.2
8.1
3.4
3.9
1.4
7.7
-
-
-
-
-
-
-
-
μ
s
nC
k
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
th
R
DS ( ON) *
g
FS *
V
GS
= 0V时,我
DS
=-250μ
A
V
DS
=-40V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS ,
I
D
=-250μ
A
V
GS
= -10V ,我
D
=-3.8A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-3.8A
V
DS
= -10V ,我
D
=-3.8A
-40
-
-
-1.0
-
-
-
-
-
-
-
24
29
1.2
-
-10
±10
-3.0
30
37
-
m
S
V
μ
A
μ
A
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注)*脉冲测试:脉冲宽度
300 ,占空比
2%
2008. 9. 17
版本号: 1
2/4
KMD7D5P40QA
Fig1 。我
D
- V
DS
漏源电阻R
DS ( ON)
(m)
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
V
GS
=-3.0V
-3.5V
-10V
-4.5V
-5.0V
Fig2 。
DS ( ON)
-I
D
40
常见的来源
Ta=25
C
脉冲测试
V
GS
=-4.5V
-4.0V
漏电流I
D
(A)
30
20
V
GS
=-10V
10
0
0
-10
-20
-30
-40
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏 - 电流I
D
(A)
Fig3 。我
D
- V
GS
-30
常见的来源
V
DS
=V
GS
图四。
DS ( ON)
- T
j
漏源电阻R
DS ( ON)
(m)
40
常见的来源
I
D
=-3.8A
脉冲测试
V
GS
=-4.5V
漏电流I
D
(A)
-25
脉冲测试
-20
-15
-10
T
a
=125
C
-55
C
30
20
V
GS
=-10V
10
-5
25
C
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
门源Volatage V
GS
(V)
结温Tj ( C)
Fig5 。 V
th
- T
j
栅极阈值电压V
th
(V)
-5
常见的来源
V
GS
=V
DS
I
D
=-250A
-4
脉冲测试
Fig6 。我
S
- V
SDF
-100
反向漏电流I
S
(A)
-10
TJ = 25℃
-3
-2
-1
0
-75
TJ = 125℃
-1
-0.1
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-0.01
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
结温Tj ( C)
源 - 漏正向电压V
SDF
(V)
2008. 9. 17
版本号: 1
3/4
KMD7D5P40QA
Fig7 。 QG - V
GS
-10
Fig8 。安全工作区
-10
2
LIM
IT
栅 - 源电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
-8
V
DS
= -32
V
I
D
= -7.5A
-10
1
R
DS
)
(上
100s
1ms
-6
-10
0
10ms
100ms
-4
-2
-10
-1
0
0
6
12
18
24
30
-10
-2
-10
-2
V
GS
= -10V
单脉冲
T
a
= 25 C
1s
10s
DC
-10
-1
-10
0
-10
1
-10
2
门 - 电荷Qg ( NC)
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig9 。瞬态热响应曲线
10
1
标准化的有效瞬态热Resistanc
10
0
D = 0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
10
-2
0.01
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =吨
1
/t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5 C / W
单身
10
-3
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
方波脉冲持续时间TW (秒)
2008. 9. 17
版本号: 1
4/4
查看更多KMD7D5P40QAPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    KMD7D5P40QA
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881243225 复制

电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
KMD7D5P40QA
KEC
16+
SOP-8
优势供应价格优势大量现货
3030¥/片,现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
KMD7D5P40QA
KEC
21+
14600
优势供应价格优势大量现货
3030¥/片,全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
KMD7D5P40QA
KEC
21+
14600
优势供应价格优势大量现货
3030¥/片,全新原装正品/质量有保证
查询更多KMD7D5P40QA供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!