半导体
技术参数
概述
此沟道MOSFET具有更好的特性,如低导通电阻,低
栅极电荷和出色的雪崩characteristiscs 。它主要适用于
电池保护电路。
D
KMD7D5P40QA
P沟道沟槽MOSFET
H
T
P
G
L
特点
V
DSS
= -40V ,我
D
=-7.5A.
·漏源
导通电阻。
R
DS ( ON)
= 30mΩ到(最大) @ V
GS
=-10V
R
DS ( ON)
= 37MΩ (最大) @ V
GS
=-4.5V
·超
高密度电池设计
1
4
8
5
B1 B2
A
MOSFET的最大额定值( TA = 25 ℃除非另有说明)
特征
漏源电压
门源电压
漏电流
DC@Ta=25℃
脉冲
漏源二极管的正向电流
漏极功耗
DC@Ta=25℃
SYMBOL PATING
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DP
I
S
P
D
*
T
j
T
英镑
R
thJA
*
-40
±20
-7.5
-30
-30
2.0
150
-55~150
62.5
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
暗淡
A
B1
B2
D
G
H
L
P
T
MILLIMETERS
_
4.85
+
0.2
_
3.94
+
0.2
_
0.3
6.02
+
_
0.4
+
0.1
0.15+0.1/-0.05
_
1.63
+
0.2
_
0.65
+
0.2
1.27
0.20+0.1/-0.05
FLP-8
最高结温
存储温度范围
热阻,结到环境
KMD7D5P
40QA
注: *表面装在1 “ × 1 ” FR4板, t≤10sec
引脚连接(顶视图)
S
S
S
G
1
8
D
D
D
D
1
2
3
8
7
6
5
2
7
3
6
4
4
5
2008. 9. 17
版本号: 1
1/4