【半导体技术参数低频的放大。特点高盼着电流传输比HFE.低集电极到发射极饱和电压VCE （ SAT ）】,IC型号KTD1824E,KTD1824E PDF资料,KTD1824E经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

技术参数

低频的放大。

特点

高盼着电流传输比H

FE

.

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

.

高发射基地电压V

EBO

.

低噪声电压NV 。

ESM型封装，设备，允许小型化，

通过带包装盒自动插入

包装。

KTD1824E

外延平面NPN晶体管

E

B

2

D

3

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

J

MILLIMETERS

_

1.60 + 0.10

_

0.85 + 0.10

_

0.70 + 0.10

0.27+0.10/-0.05

_

1.60 + 0.10

_

1.00 + 0.10

0.50

_

0.13 + 0.05

A

G

1

H

J

最大额定值（ TA = 25

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

DC

脉冲

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

P

C

T

j

T

英镑

等级

50

40

15

50

100

100

150

-55 150

单位

V

V

V

C

1.发射器

2.基

3.收集

ESM

mA

mW

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

记号

型号名称

h

FE

秩

L

电气特性（ TA = 25 ）

特征

集电极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

注：H

FE

分类

A:400~800,

符号

I

CBO

I

首席执行官

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

h

FE

（注）

V

CE （ SAT ）

f

T

B:600~1200,

测试条件

V

CB

= 20V ，我

E

=0

V

CE

= 20V ，我

B

=0

I

C

= 10 A，I

E

=0

I

C

= 1mA时，我

B

=0

I

E

= 10 A，I

C

=0

V

CE

= 10V ，我

C

=2mA

I

C

= 10毫安，我

B

=1mA

V

CB

= 10V ，我

E

= -2mA ， F = 200MHz的

C:1000~2000

分钟。

-

-

50

40

15

400

-

-

1000

0.05

120

2000

0.2

-

V

兆赫

典型值。

-

-

马克斯。

100

1

单位

nA

A

V

V

V

2001. 10. 23

版本号： 0

1/3

KTD1824E

I

C

- V

CE

集电极电流I

C

（MA ）

120

TA = 25℃

100

A

90

A

80

A

70

A

60

A

50

A

h

FE

- I

C

1200

直流电流增益

FE

V

CE

=10V

100

80

60

40

20

0

0

2

4

6

8

900

TA = 75℃

TA = 25℃

40

A

30

A

600

TA = -25℃

20A

I

B

=10A

300

0

10

0.1

0.3

1

3

10

30

100

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

（MA ）

V

CE （ SAT ）

- I

C

集电极 - 发射极饱和

电压V

CE （ SAT ）

(V)

集电极电流I

C

（MA ）

1

0.5

0.3

I

C

/I

B

=10

I

C

- V

BE

100

80

60

40

20

0

TA = -25℃

TA = 75℃

TA = 25℃

V

CE

=10V

0.1

0.05

0.03

TA = 75℃

TA = 25℃

5 C

Ta=-2

0.01

0.1

0.3

1

3

10

30

100

集电极电流I

C

（MA ）

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

基极 - 发射极电压V

BE

(V)

f

T

- I

E

集电极输出电容

C

ob

（PF ）

过渡频率f

T

（兆赫）

250

200

150

100

50

0

-0.1

V

CB

=10V

TA = 25℃

C

ob

- V

CB

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

3

10

30

100

集电极 - 基极电压V

CB

(V)

I

E

=0

f=1MHz

TA = 25℃

-0.3

-1

-3

-10

-30

-100

发射极电流I

E

（MA ）

2001. 10. 23

版本号： 0

2/3

KTD1824E

PC - TA

集电极耗散功率

P

C

（ mW）的

125

100

125

50

25

0

0

25

50

75

100

125

150

周围温度Ta （℃）

2001. 10. 23

版本号： 0

3/3

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