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半导体
技术参数
超高速开关应用。
特点
低正向电压： V
F
= 1.0V （最大） 。
小包装： VSM 。
2
KDS221V
硅外延平面二极管
E
B
1
3
最大额定值（ TA = 25
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
最大（峰值）正向电流
平均正向电流
浪涌电流（ 1秒）
功耗
结温
存储温度范围
)
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
D
T
j
T
英镑
等级
20
20
200 *
100 *
300 *
100
150
-55 150
单位
V
V
mA
mA
mA
mW
C
P
P
DIM毫米
_
A
1.2 +0.05
_
B
0.8 +0.05
_
C
0.5 + 0.05
_
0.3 + 0.05
D
_
1.2 + 0.05
E
_
G
0.8 + 0.05
H
0.40
_
J
0.12 + 0.05
_
K
0.2 + 0.05
P
5
A
G
H
K
J
D
3
1.阴极1
2.阳极2
3. 1阳极/阴极2
2
1
VSM
注： *单位评级。总评分=单位等级×0.7
记号
DS
电气特性（ TA = 25 ）
特征
正向电压
反向电流
符号
V
F
I
R
测试条件
I
F
=10mA
V
R
=15V
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
1.0
0.1
单位
V
A
2003. 10. 28
版本号： 0
1/2
KDS221V
I
F
100
正向电流I
F
（MA ）
D1
- V
F
100
D1+D2
I
F
正向电流I
F
（MA ）
D2
- V
F
10
10
25 C
Ta=7
5 C
Ta=12
5 C
Ta=75
C
Ta=25
Ta=-25
C
C
75 C
TA
25 C
Ta=-2
5 C
C
1
1
TA
125
0.1
TA
0.1
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
正向电压V
F
(V)
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
正向电压V
F
(V)
I
R
- V
R
100
TA = 125℃
D1
D2
D1
D2
D1
D2
C
T
- V
R
10
总电容C
T
（PF ）
5
3
(D1)
(D1+D2)
(D2)
f=1MHz
反向电流I
R
（ nA的）
10
TA = 125℃
TA = 100℃
TA = 100℃
TA = 75℃
TA = 75℃
1
0.1
1
0.5
0.5
1
3
10
30
反向电压V
R
(V)
0.01
0
5
10
15
反向电压V
R
(V)
2003. 10. 28
版本号： 0
Ta=25
C
Ta=-2
5 C
Ta=1
2/2
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    KDS221V
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KDS221V
0
24+
12850
0
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KDS221V
KEC
21+
12000
SOT-523
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