半导体
技术参数
一般工业用途。
切换应用程序。
B
KTA733B
外延平面PNP晶体管
C
特点
: h
FE
(I
C
=0.1mA)/h
FE
(I
C
=2mA)=0.95(Typ.)
低噪音： NF = 1分贝（典型值） 。在f = 1kHz时
补充KTC945B 。
K
D
E
G
N
A
优秀
FE
线性度。
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
-60
-50
-5
-150
625
150
-55
150
单位
V
L
F
H
F
1
2
3
V
V
mA
mW
M
C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
_
14.00 + 0.50
0.55最大
2.30
0.45最大
1.00
J
1.发射器
2.基
3.收集
TO-92
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
注：H
FE
分类
O:70 140,
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
Y:120 240,
测试条件
I
C
= -100 A，I
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -100 A，I
C
=0
V
CB
= -50V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -6V ，我
C
=-2mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-10mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -6V ，我
C
= -0.1mA RG = 10K ， F = 1kHz时
GR ： 200
400
分钟。
-60
-50
-5
-
-
70
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-0.1
-
300
4
1.0
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.1
400
-0.3
-1.1
-
7
10
V
V
兆赫
pF
dB
单位
V
V
V
A
A
2001. 9. 14
版本号： 2
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