【K6T4016V3C ， K6T4016U3C家庭文档标题256Kx16位低功耗和低电压CMOS静态】,IC型号K6T4016U3C-TF10,K6T4016U3C-TF10 PDF资料,K6T4016U3C-TF10经销商,ic,电子元器件-51电子网

K6T4016V3C ， K6T4016U3C家庭

文档标题

256Kx16位低功耗和低电压CMOS静态RAM

CMOS SRAM

修订历史

版本号

0.0

0.1

历史

最初的草案

修改

- 速度斌变化

商业： 70 / 85ns至85分之70 / 100纳秒

工业： 85 / 100ns到85分之70 / 100纳秒

- 直流特性变化

I

CC

： 5毫安在读/写至4mA在读

I

CC1

： 5mA至6毫安

I

CC2

： 50mA至45毫安

I

SB

： 0.5毫安到0.3毫安

I

SB1

： 10μA至15μA的商业部分

勘误校正

敲定

修改

- 添加K6T4016V3C - TB55产品

修改

- 改进的V

OH

（输出高电压） 2.2V至2.4V 。

草案日期

1998年1月13日

1998年6月12日

备注

ADVANCE

初步

0.11

1.0

2.0

1998年8月13日

1998年11月16日

2001年6月26日

最终科幻

2.01

2001年10月15日

最终科幻

所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留更改规格的权利，

产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。

1

修订版2.01

2001年10月

K6T4016V3C ， K6T4016U3C家庭

256Kx16位低功耗和低电压CMOS静态RAM

特点

工艺技术： TFT

组织： 256K X16

电源电压

K6T4016V3C系列： 3.0 3.6V

K6T4016U3C系列： 2.7 3.3V

低数据保持电压： 2V （最小值）

三态输出

封装类型： 44 TSOP2-400F / R

CMOS SRAM

概述

该K6T4016V3C和K6T4016U3C家庭被制作

三星先进的CMOS工艺技术。该fami-

在于支持各种操作的温度范围和有

系统设计的灵活性，用户的各种封装类型。该

家人也支持低数据保持电压的电池

备份操作具有低的数据保持电流。

产品系列

功耗

产品系列

K6T4016V3C-B

K6T4016U3C-B

K6T4016V3C-F

K6T4016U3C-F

1.参数的测量条件为30pF的测试负载。

工作温度

VCC范围

3.0~3.6V

2.7~3.3V

速度快（纳秒）

待机

(I

SB1

，最大值）

15A

操作

(I

CC2

，最大值）

PKG型

Commercial(0~70°C)

55

1)

/70

1)

/85/100

70

1)

/85/100

45mA

20A

44-TSOP2-400F/R

Industrial(-40~85°C)

3.0~3.6V

2.7~3.3V

引脚说明

A4

A3

A2

A1

A0

CS

I / O口

I/O2

I/O3

I/O4

VCC

VSS

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

WE

A17

A16

A15

A14

A13

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A5

A6

A7

OE

UB

LB

I/O16

I/O15

I/O14

I/O13

VSS

VCC

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

NC

A8

A9

A10

A11

A12

A5

A6

A7

OE

UB

LB

I/O16

I/O15

I/O14

I/O13

VSS

VCC

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

NC

A8

A9

A10

A11

A12

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

A4

A3

A2

A1

A0

CS

I / O口

I/O2

I/O3

I/O4

VCC

VSS

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

WE

A17

A16

A15

A14

A13

功能框图

CLK GEN 。

A0

A1

A2

A3

A4

A13

A14

A15

A16

A17

预充电电路。

VCC

VSS

44-TSOP2

前锋

44-TSOP2

反向

ROW

SELECT

存储阵列

1024行

256 × 16列

I / O

1

-I / O

8

数据

CONT

数据

CONT

数据

CONT

I / O电路

列选择

I / O

9

-I / O

16

名字

CS

OE

WE

A

0

~A

17

功能

片选输入

输出使能输入

写使能输入

地址输入

名称功能

VCC

VSS

LB

UB

NC

动力

地

低字节（ I / O

1~8

)

WE

A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12

高字节（ I / O

9~16

)

无连接

OE

UB

LB

CS

I / O

1

-I / O

16

数据输入/输出

控制

逻辑

三星电子有限公司

保留更改产品规格，恕不另行通知。

2

修订版2.01

2001年10月

K6T4016V3C ， K6T4016U3C家庭

产品列表

商用产品温度（ 0 70 ° C）

部件名称

K6T4016V3C-TB55

K6T4016V3C-TB70

K6T4016V3C-TB85

K6T4016V3C-TB10

K6T4016V3C-RB70

K6T4016V3C-RB85

K6T4016V3C-RB10

K6T4016U3C-TB70

K6T4016U3C-TB85

K6T4016U3C-TB10

K6T4016U3C-RB70

K6T4016U3C-RB85

K6T4016U3C-RB10

功能

44 TSOP2 -F ， 55ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -F ，为100ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -R ，为70ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -R ， 85ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -R ，为100ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -R ，为70ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -R ， 85ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -R ，为100ns ， 3.0V ， LL

CMOS SRAM

工业产品温度（ -40 85°C ）

部件名称

功能

44 TSOP2 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -F ，为100ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -R ，为70ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -R ， 85ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -R ，为100ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -R ，为70ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -R ， 85ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -R ，为100ns ， 3.0V ， LL

K6T4016V3C-TF70

K6T4016V3C-TF85

K6T4016V3C-TF10

K6T4016V3C-RF70

K6T4016V3C-RF85

K6T4016V3C-RF10

K6T4016U3C-TF70

K6T4016U3C-TF85

K6T4016U3C-TF10

K6T4016U3C-RF70

K6T4016U3C-RF85

K6T4016U3C-RF10

功能说明

CS

H

L

OE

X

1)

H

X

1)

L

X

1)

X

1)

X

1)

WE

X

1)

H

X

1)

H

L

LB

X

1)

X

1)

H

L

H

L

H

L

UB

X

1)

X

1)

H

L

H

L

I / O

1~8

高-Z

DOUT

高-Z

DOUT

DIN

高-Z

DIN

I / O

9~16

高-Z

DOUT

高-Z

DIN

模式

取消

输出禁用

低字节读

高字节读

字读

低字节写入

高字节写

字写

动力

待机

活跃

1， X表示不关心。（必须是在低温或高温状态）

绝对最大额定值

1)

项

任何引脚相对于VSS的电压

在VCC电源相对于Vss电压

功耗

储存温度

工作温度

符号

V

IN

,V

OUT

V

CC

P

D

T

英镑

T

A

评级

-0.5到V

CC

+0.5

-0.3 4.6

1.0

-65到150

0到70

-40到85

单位

V

W

°C

备注

-

K6T4016V3C -B ， K6T4016U3C -B

K6T4016V3C -F ， K6T4016U3C -F

1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应

仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。

3

修订版2.01

2001年10月

K6T4016V3C ， K6T4016U3C家庭

建议的直流工作条件

1)

项

电源电压

地

输入高电压

输入低电压

符号

VCC

VSS

V

IH

V

IL

产品

K6T4016V3C家庭

K6T4016U3C家庭

所有的家庭

K6T4016V3C ， K6T4016U3C家庭

民

3.0

2.7

0

2.2

-0.3

3)

典型值

3.3

3.0

0

-

CMOS SRAM

最大

3.6

3.3

0

Vcc+0.3

2)

0.6

单位

V

注意：

1.商业产品：T已

A

= 0 70℃ ，特别说明

工业产品：T已

A

= -40 85 ℃，特别说明

2.过冲： V

CC

+ 2.0V的情况下，脉冲宽度的

≤

30ns

3.冲： -2.0V的情况下脉冲宽度的

≤

30ns

4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。

电容

1)

（ F = 1MHz的，T

A

=25°C)

项

输入电容

输入/输出电容

1.电容进行采样，而不是100 ％测试

符号

C

IN

C

IO

测试条件

V

IN

=0V

V

IO

=0V

民

-

最大

8

10

单位

pF

DC和工作特性

项

输入漏电流

输出漏电流

工作电源电流

符号

I

LI

I

LO

I

CC

I

CC1

平均工作电流

I

CC2

输出低电压

输出高电压

待机电流（ TTL ）

待机电流（ CMOS ）

1.工业产品= 20

A

2.周期时间= 70ns的

测试条件

V

IL

= VSS到Vcc

CS = V

IH

或OE = V

IH

或WE = V

IL

V

IO

= VSS到Vcc

I

IO

= 0毫安， CS = V

IL

, V

IN

=V

IL

或V

IH

读

周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我

IO

= 0毫安CS≤0.2V ，

V

IN

≤0.2V

或V

IN

≥Vcc-0.2V

周期时间=最小

2)

， 100 ％的关税，我

IO

= 0毫安， CS = V

白细胞介素，

V

IN

=V

IH

或V

IL

I

OL

=2.1mA

I

OH

=-1.0mA

CS = V

IH

，其它输入= V

IL

或V

IH

CS≥Vcc - 0.2V ，其他输入= 0 Vcc的

民

-1

-

2.4

-

典型值

-

最大

1

4

6

45

0.4

-

0.3

15

1)

单位

A

mA

V

mA

A

V

OL

V

OH

I

SB

I

SB1

4

修订版2.01

2001年10月

K6T4016V3C ， K6T4016U3C家庭

交流工作条件

测试条件

（测试负载和输入/输出参考）

输入脉冲电平： 0.4 2.2V

输入上升和下降时间： 5ns的

输入和输出参考电压： 1.5V

输出负载（见右图）：C

L

=100pF+1TTL

C

L

=30pF+1TTL

CMOS SRAM

C

L

1

)

1.Including范围和夹具电容

AC特性

（ K6T4016V3C家庭： VCC = 3.0 3.6V ， K6T4016U3C家庭： VCC = 2.7 3.3V

商业产品：T已

A

= 0 70 ° C，工业产品：T已

A

= -40 85 ℃）下

速箱

参数表

符号

55ns

民

读周期时间

地址访问时间

芯片选择输出

输出使能到输出有效

LB ， UB有效到数据输出

读

芯片选择低阻抗输出

输出使能为低阻抗输出

LB ， UB使低-Z输出

从地址变更输出保持

芯片禁用到高阻输出

OE禁用高Z输出

LB ， UB禁用高Z输出

写周期时间

片选写的结束

地址建立时间

地址有效到写结束

把脉冲宽度

写

写恢复时间

写入输出高阻

数据写入时间重叠

从时间写数据保持

结束写入到输出低Z

LB ， UB有效到结束写入的

t

RC

t

AA

t

CO

t

OE

t

BA

t

LZ

t

OLZ

t

BLZ

t

OH

t

HZ

t

OHZ

t

BHZ

t

WC

t

CW

t

AS

t

AW

t

WP

t

WR

t

WHZ

t

DW

t

DH

t

OW

t

BW

55

-

10

5

10

0

55

45

0

45

40

0

25

0

5

45

最大

-

55

25

-

20

-

20

-

70ns

民

70

-

10

5

10

0

70

60

0

60

55

0

30

0

5

60

最大

-

70

35

-

25

-

25

-

85ns

民

85

-

10

5

10

0

85

70

0

70

60

0

35

0

5

70

最大

-

85

40

-

25

-

25

-

100ns

民

100

-

10

5

15

0

100

80

0

80

70

0

40

0

5

80

最大

-

100

50

-

30

-

30

-

ns

单位

数据保持特性

项

VCC为数据保留

数据保持电流

数据保留的建立时间

恢复时间

1.工业产品= 20

A

符号

V

DR

I

DR

t

SDR

t

RDR

测试条件

CS≥Vcc-0.2V

VCC = 3.0V ， CS≥Vcc - 0.2V

看到数据保存波形

民

2.0

-

0

5

典型值

-

0.5

-

最大

3.6

15

1)

-

单位

V

A

ms

5

修订版2.01

2001年10月

K6T4016V3C ， K6T4016U3C家庭

文档标题

256Kx16位低功耗和低电压CMOS静态RAM

CMOS SRAM

修订历史

版本号

0.0

0.1

历史

最初的草案

修改

- 速度斌变化

商业： 70 / 85ns至85分之70 / 100纳秒

工业： 85 / 100ns到85分之70 / 100纳秒

- 直流特性变化

I

CC

： 5毫安在读/写至4mA在读

I

CC1

： 5mA至6毫安

I

CC2

： 50mA至45毫安

I

SB

： 0.5毫安到0.3毫安

I

SB1

： 10μA至15μA的商业部分

勘误校正

敲定

修改

- 添加K6T4016V3C - TB55产品

修改

- 改进的V

OH

（输出高电压） 2.2V至2.4V 。

草案日期

1998年1月13日

1998年6月12日

备注

ADVANCE

初步

0.11

1.0

2.0

1998年8月13日

1998年11月16日

2001年6月26日

最终科幻

2.01

2001年10月15日

最终科幻

所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留更改规格的权利，

产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。

1

修订版2.01

2001年10月

K6T4016V3C ， K6T4016U3C家庭

256Kx16位低功耗和低电压CMOS静态RAM

特点

工艺技术： TFT

组织： 256K X16

电源电压

K6T4016V3C系列： 3.0 3.6V

K6T4016U3C系列： 2.7 3.3V

低数据保持电压： 2V （最小值）

三态输出

封装类型： 44 TSOP2-400F / R

CMOS SRAM

概述

该K6T4016V3C和K6T4016U3C家庭被制作

三星先进的CMOS工艺技术。该fami-

在于支持各种操作的温度范围和有

系统设计的灵活性，用户的各种封装类型。该

家人也支持低数据保持电压的电池

备份操作具有低的数据保持电流。

产品系列

功耗

产品系列

K6T4016V3C-B

K6T4016U3C-B

K6T4016V3C-F

K6T4016U3C-F

1.参数的测量条件为30pF的测试负载。

工作温度

VCC范围

3.0~3.6V

2.7~3.3V

速度快（纳秒）

待机

(I

SB1

，最大值）

15A

操作

(I

CC2

，最大值）

PKG型

Commercial(0~70°C)

55

1)

/70

1)

/85/100

70

1)

/85/100

45mA

20A

44-TSOP2-400F/R

Industrial(-40~85°C)

3.0~3.6V

2.7~3.3V

引脚说明

A4

A3

A2

A1

A0

CS

I / O口

I/O2

I/O3

I/O4

VCC

VSS

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

WE

A17

A16

A15

A14

A13

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A5

A6

A7

OE

UB

LB

I/O16

I/O15

I/O14

I/O13

VSS

VCC

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

NC

A8

A9

A10

A11

A12

A5

A6

A7

OE

UB

LB

I/O16

I/O15

I/O14

I/O13

VSS

VCC

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

NC

A8

A9

A10

A11

A12

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

A4

A3

A2

A1

A0

CS

I / O口

I/O2

I/O3

I/O4

VCC

VSS

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

WE

A17

A16

A15

A14

A13

功能框图

CLK GEN 。

A0

A1

A2

A3

A4

A13

A14

A15

A16

A17

预充电电路。

VCC

VSS

44-TSOP2

前锋

44-TSOP2

反向

ROW

SELECT

存储阵列

1024行

256 × 16列

I / O

1

-I / O

8

数据

CONT

数据

CONT

数据

CONT

I / O电路

列选择

I / O

9

-I / O

16

名字

CS

OE

WE

A

0

~A

17

功能

片选输入

输出使能输入

写使能输入

地址输入

名称功能

VCC

VSS

LB

UB

NC

动力

地

低字节（ I / O

1~8

)

WE

A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12

高字节（ I / O

9~16

)

无连接

OE

UB

LB

CS

I / O

1

-I / O

16

数据输入/输出

控制

逻辑

三星电子有限公司

保留更改产品规格，恕不另行通知。

2

修订版2.01

2001年10月

K6T4016V3C ， K6T4016U3C家庭

产品列表

商用产品温度（ 0 70 ° C）

部件名称

K6T4016V3C-TB55

K6T4016V3C-TB70

K6T4016V3C-TB85

K6T4016V3C-TB10

K6T4016V3C-RB70

K6T4016V3C-RB85

K6T4016V3C-RB10

K6T4016U3C-TB70

K6T4016U3C-TB85

K6T4016U3C-TB10

K6T4016U3C-RB70

K6T4016U3C-RB85

K6T4016U3C-RB10

功能

44 TSOP2 -F ， 55ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -F ，为100ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -R ，为70ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -R ， 85ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -R ，为100ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -R ，为70ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -R ， 85ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -R ，为100ns ， 3.0V ， LL

CMOS SRAM

工业产品温度（ -40 85°C ）

部件名称

功能

44 TSOP2 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -F ，为100ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -R ，为70ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -R ， 85ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -R ，为100ns ， 3.3V ， LL

44 TSOP2 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -R ，为70ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -R ， 85ns ， 3.0V ， LL

44 TSOP2 -R ，为100ns ， 3.0V ， LL

K6T4016V3C-TF70

K6T4016V3C-TF85

K6T4016V3C-TF10

K6T4016V3C-RF70

K6T4016V3C-RF85

K6T4016V3C-RF10

K6T4016U3C-TF70

K6T4016U3C-TF85

K6T4016U3C-TF10

K6T4016U3C-RF70

K6T4016U3C-RF85

K6T4016U3C-RF10

功能说明

CS

H

L

OE

X

1)

H

X

1)

L

X

1)

X

1)

X

1)

WE

X

1)

H

X

1)

H

L

LB

X

1)

X

1)

H

L

H

L

H

L

UB

X

1)

X

1)

H

L

H

L

I / O

1~8

高-Z

DOUT

高-Z

DOUT

DIN

高-Z

DIN

I / O

9~16

高-Z

DOUT

高-Z

DIN

模式

取消

输出禁用

低字节读

高字节读

字读

低字节写入

高字节写

字写

动力

待机

活跃

1， X表示不关心。（必须是在低温或高温状态）

绝对最大额定值

1)

项

任何引脚相对于VSS的电压

在VCC电源相对于Vss电压

功耗

储存温度

工作温度

符号

V

IN

,V

OUT

V

CC

P

D

T

英镑

T

A

评级

-0.5到V

CC

+0.5

-0.3 4.6

1.0

-65到150

0到70

-40到85

单位

V

W

°C

备注

-

K6T4016V3C -B ， K6T4016U3C -B

K6T4016V3C -F ， K6T4016U3C -F

1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应

仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。

3

修订版2.01

2001年10月

K6T4016V3C ， K6T4016U3C家庭

建议的直流工作条件

1)

项

电源电压

地

输入高电压

输入低电压

符号

VCC

VSS

V

IH

V

IL

产品

K6T4016V3C家庭

K6T4016U3C家庭

所有的家庭

K6T4016V3C ， K6T4016U3C家庭

民

3.0

2.7

0

2.2

-0.3

3)

典型值

3.3

3.0

0

-

CMOS SRAM

最大

3.6

3.3

0

Vcc+0.3

2)

0.6

单位

V

注意：

1.商业产品：T已

A

= 0 70℃ ，特别说明

工业产品：T已

A

= -40 85 ℃，特别说明

2.过冲： V

CC

+ 2.0V的情况下，脉冲宽度的

≤

30ns

3.冲： -2.0V的情况下脉冲宽度的

≤

30ns

4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。

电容

1)

（ F = 1MHz的，T

A

=25°C)

项

输入电容

输入/输出电容

1.电容进行采样，而不是100 ％测试

符号

C

IN

C

IO

测试条件

V

IN

=0V

V

IO

=0V

民

-

最大

8

10

单位

pF

DC和工作特性

项

输入漏电流

输出漏电流

工作电源电流

符号

I

LI

I

LO

I

CC

I

CC1

平均工作电流

I

CC2

输出低电压

输出高电压

待机电流（ TTL ）

待机电流（ CMOS ）

1.工业产品= 20

A

2.周期时间= 70ns的

测试条件

V

IL

= VSS到Vcc

CS = V

IH

或OE = V

IH

或WE = V

IL

V

IO

= VSS到Vcc

I

IO

= 0毫安， CS = V

IL

, V

IN

=V

IL

或V

IH

读

周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我

IO

= 0毫安CS≤0.2V ，

V

IN

≤0.2V

或V

IN

≥Vcc-0.2V

周期时间=最小

2)

， 100 ％的关税，我

IO

= 0毫安， CS = V

白细胞介素，

V

IN

=V

IH

或V

IL

I

OL

=2.1mA

I

OH

=-1.0mA

CS = V

IH

，其它输入= V

IL

或V

IH

CS≥Vcc - 0.2V ，其他输入= 0 Vcc的

民

-1

-

2.4

-

典型值

-

最大

1

4

6

45

0.4

-

0.3

15

1)

单位

A

mA

V

mA

A

V

OL

V

OH

I

SB

I

SB1

4

修订版2.01

2001年10月

K6T4016V3C ， K6T4016U3C家庭

交流工作条件

测试条件

（测试负载和输入/输出参考）

输入脉冲电平： 0.4 2.2V

输入上升和下降时间： 5ns的

输入和输出参考电压： 1.5V

输出负载（见右图）：C

L

=100pF+1TTL

C

L

=30pF+1TTL

CMOS SRAM

C

L

1

)

1.Including范围和夹具电容

AC特性

（ K6T4016V3C家庭： VCC = 3.0 3.6V ， K6T4016U3C家庭： VCC = 2.7 3.3V

商业产品：T已

A

= 0 70 ° C，工业产品：T已

A

= -40 85 ℃）下

速箱

参数表

符号

55ns

民

读周期时间

地址访问时间

芯片选择输出

输出使能到输出有效

LB ， UB有效到数据输出

读

芯片选择低阻抗输出

输出使能为低阻抗输出

LB ， UB使低-Z输出

从地址变更输出保持

芯片禁用到高阻输出

OE禁用高Z输出

LB ， UB禁用高Z输出

写周期时间

片选写的结束

地址建立时间

地址有效到写结束

把脉冲宽度

写

写恢复时间

写入输出高阻

数据写入时间重叠

从时间写数据保持

结束写入到输出低Z

LB ， UB有效到结束写入的

t

RC

t

AA

t

CO

t

OE

t

BA

t

LZ

t

OLZ

t

BLZ

t

OH

t

HZ

t

OHZ

t

BHZ

t

WC

t

CW

t

AS

t

AW

t

WP

t

WR

t

WHZ

t

DW

t

DH

t

OW

t

BW

55

-

10

5

10

0

55

45

0

45

40

0

25

0

5

45

最大

-

55

25

-

20

-

20

-

70ns

民

70

-

10

5

10

0

70

60

0

60

55

0

30

0

5

60

最大

-

70

35

-

25

-

25

-

85ns

民

85

-

10

5

10

0

85

70

0

70

60

0

35

0

5

70

最大

-

85

40

-

25

-

25

-

100ns

民

100

-

10

5

15

0

100

80

0

80

70

0

40

0

5

80

最大

-

100

50

-

30

-

30

-

ns

单位

数据保持特性

项

VCC为数据保留

数据保持电流

数据保留的建立时间

恢复时间

1.工业产品= 20

A

符号

V

DR

I

DR

t

SDR

t

RDR

测试条件

CS≥Vcc-0.2V

VCC = 3.0V ， CS≥Vcc - 0.2V

看到数据保存波形

民

2.0

-

0

5

典型值

-

0.5

-

最大

3.6

15

1)

-

单位

V

A

ms

5

修订版2.01

2001年10月