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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第167页 > K9F2808U0B-VCB0
K9F2808Q0B-DCB0,DIB0
K9F2808U0B-VCB0,VIB0
K9F2808U0B-YCB0,YIB0
K9F2808U0B-DCB0,DIB0
FL灰内存
文档标题
16M ×8位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
0.2
首次发行。
K9F2808U0B （ 3.3V器件）的资格已完成
K9F2808Q0B （ 1.8V器件）
- 改变了典型的读操作电流（ ICC1 ）从8毫安到5毫安
- 改变了典型的程序操作电流（ ICC2 ）从8毫安到5毫安
- 改变了典型的擦除操作电流（ ICC 3 ）从8毫安到5毫安
- 改变了典型的编程时间（ TPROG ）从200us的到300US
- 改变ALE从100ns到20ns的延迟RE （ID读， TAR1 ）
- 改变CLE保持距离为10ns至15ns的时间（ tCLH ）
- 从为10ns至15ns的改变CE保持时间（ TCH）
- 改变ALE持有至10ns的时间为15ns （ TALH ）
- 从为10ns至15ns的变化数据保持时间（ TDH ）
- 改变CE接入的为45nS至60ns的时间（ TCEA ）
- 改变读周期从50ns的到70ns的时间（ TRC）
- 改变写周期从50ns的到70ns的时间（ TWC ）
- 改变RE交通从为35ns至40ns的时间（ TREA ）
- 改变稀土高保持时间（ tREH定义）从为15ns至20ns的
- 改变了我们的高持有为15ns至20ns的时间（亿千瓦时）
1.设备代码被更改
- TBGA封装的信息： 'B' --> 'D'
前） K9F2808Q0B - BCB0 ， BIB0 --> K9F2808Q0B - DCB0 ， DIB0
K9F2808U0B - BCB0 ， BIB0 --> K9F2808Q0B - DCB0 ， DIB0
2. V
IH
,V
IL
K9F2808Q0B （ 1.8装置）的改变
（修改前）
输入高电压
输入低电压，
所有的输入
V
IH
I / O引脚
除了I / O引脚
-
VccQ-0.4
V
CC
-0.4
0
（修改后）
I / O引脚
输入高电压
V
IH
除了I / O引脚
输入低电压，
所有的输入
V
IL
-
V
CC
-0.4
-0.3
-
-
VccQ-0.4
VCCQ
+0.3
VCC
+0.3
0.4
-
-
VCCQ
VCC
0.4
草案日期
可能28'th 2001年
二○○一年六月三十〇日
备注
ADVANCE
2001年7月30日
K9F2808Q0B
：初步
0.3
2001年8月23日
V
IL
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
1
K9F2808Q0B-DCB0,DIB0
K9F2808U0B-VCB0,VIB0
K9F2808U0B-YCB0,YIB0
K9F2808U0B-DCB0,DIB0
FL灰内存
修订历史
修订历史号
0.4
1. I
OL
1.8V装置（R / B）的改变。
-min 。价值： 7毫安-->3mA
-typ 。价值： 8毫安-->4mA
2.交流参数变化。
激进党（分钟） ： 30ns的-->为25ns
草案日期
2001年11月5日
备注
初步
0.5
1.参数在1.8部分（ K9F2808Q0B ）改变。
- 总胆固醇从15ns的改变为20ns的
- tCLH从15ns的改变为20ns的
- TALH从15ns的改变为20ns的
- TDH从15ns的改变为20ns的
2002年2月15日
0.6
1.参数在1.8部分（ K9F2808Q0B ）改变。
- 激进党从25ns的改变为35ns
- TWB从100ns的改变为150ns
- TREA从40ns的改变为45nS
2002年5月3日
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
2
K9F2808Q0B-DCB0,DIB0
K9F2808U0B-VCB0,VIB0
K9F2808U0B-YCB0,YIB0
K9F2808U0B-DCB0,DIB0
FL灰内存
16M ×8位位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9F2808Q0B-D
K9F2808U0B-Y
K9F2808U0B-D
K9F2808U0B-V
2.7 ~ 3.6V
VCC范围
1.7 ~ 1.9V
X8
组织
PKG型
TBGA
TSOP1
TBGA
WSOP1
特点
电源
- K9F2808Q0B ： 1.7 1.9V
- K9F2808U0B ： 2.7 3.6 V
组织
- 存储单元阵列： （ 16M + 512K ）位x 8位
- 数据寄存器： （ 512 + 16 ）位x8bit
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 16K + 512 ）字节
528字节页读操作
- 随机存取： 10μs的（最大）
- 串行页访问
- K9F2808Q0B ：为70ns
- K9F2808U0B ：为50ns
快速写周期时间
- 计划时间
- K9F2808Q0B ： 300
微秒（典型值）。
- K9F2808U0B ：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
包
- K9F2808U0B - YCB0 / YIB0 ：
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）
- K9F2808X0B - DCB 0 / DIB0
63-球TBGA （ 9× 11 /0.8mm间距，宽度1.0毫米）
- K9F2808U0B - VCB0 / VIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）
* K9F2808U0B -V（ WSOPI ）是相同的设备
K9F2808U0B -Y （ TSOP1 ）除了封装类型。
概述
该K9F2808X0B是16M （ 16777216 ） x8bit NAND闪存用备用512K （ 524,288 ） x8bit 。该器件采用1.8V或
3.3V的Vcc 。它的NAND单元为固态大容量存储市场最具成本效益的解决方案。程序运行亲
克的528字节的页中典型为200ps和擦除操作可在一个16K字节块的典型2ms的执行。在一个数据
（ ：为70ns ， K9F2808U0B ：为50ns K9F2808Q0B ）每字节循环时间页面可以为70ns / 50ns的读取。在I / O引脚作为端口
地址和数据输入/输出以及命令输入。片上写控制自动完成所有的编程和擦除功能
包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和数据的裕度。即使是写密集型系统可以
通过提供ECC （纠错码）与优势K9F2808X0B “扩展的100K计划的可靠性/擦除周期
s
实时映射出的算法。
该K9F2808X0B适用于移动通信系统的数据存储器的使用，以减少不仅安装面积，而且功率
消费。
3
K9F2808Q0B-DCB0,DIB0
K9F2808U0B-VCB0,VIB0
K9F2808U0B-YCB0,YIB0
K9F2808U0B-DCB0,DIB0
FL灰内存
引脚配置（ TSOP1 ）
K9F2808U0B-YCB0/YIB0
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
GND
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
包装尺寸
48 -PIN引脚塑料薄型小OUT直插式封装类型（I ）
48 - TSOP1 - 1220F
单位：毫米/英寸
最大
#48
( 0 .25 )
0.010
12 .40
最大
0.488
#24
#25
1.00
±
0.05
0.039
±0.002
0 .25
0.010 TYP
+0 .07 5
0 .00 8
- 0.0 0 1
+0 .0 03
+0 .07
0.20
-0 .0 3
#1
0.50
0.0 197
12.00
0.472
0.1 25
0 .03 5
0~8
0.45~0.75
0.018~0.030
( 0.50 )
0.020
4
0.005
-0 .0 01
+0 .00 3
18.40
±
0.10
0.724
±
0.004
1.20
0.047最大
0.004
0.05
民
0.002
0.10
20.00
±
0.20
0.787
±
0.008
K9F2808Q0B-DCB0,DIB0
K9F2808U0B-VCB0,VIB0
K9F2808U0B-YCB0,YIB0
K9F2808U0B-DCB0,DIB0
FL灰内存
引脚配置（ TBGA ）
K9F2808X0B-DCB0/DIB0
ü DNU
N
ü
N
/ WP
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VSS
ALE
/ RE
N
C
N
C
N
C
I/O0
I/O1
I/O2
NC
/ CE
/ WE
NC
NC
NC
NC
NC
R / B
NC
NC
NC
NC
VCC
I/O7
VSS
DNU DNU
DNU DNU
CLE NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VCCQ I / O5
I/O6
I / O3 I / O4
ü DNU
N
ü DNU
N
DNU DNU
DNU DNU
包装尺寸
63球TBGA （以毫米计）
顶视图
（ TOP VIEW ）
底部视图
9.00
±0.10
0.80 x9= 7.20
0.80 x5= 4.00
A
9.00
±0.10
（ DATUM A）
6
5
0.80
4
3
2
1
B
#A1
A
B
0.80 x7= 5.60
2.00
0.32
±0.05
0.45
±0.05
0.90
±0.10
（ DATUM B）
0.80
C
D
E
2.80
F
G
H
0.80 x11= 8.80
11.00
±0.10
63-0.45
±0.05
0.20
M
A B
SIDE VIEW
9.00
±0.10
0.08MAX
5
11.00
±0.10
K9F2808Q0B-DCB0,DIB0
K9F2808U0B-VCB0,VIB0
K9F2808U0B-YCB0,YIB0
K9F2808U0B-DCB0,DIB0
FL灰内存
文档标题
16M ×8位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
0.2
首次发行。
K9F2808U0B （ 3.3V器件）的资格已完成
K9F2808Q0B （ 1.8V器件）
- 改变了典型的读操作电流（ ICC1 ）从8毫安到5毫安
- 改变了典型的程序操作电流（ ICC2 ）从8毫安到5毫安
- 改变了典型的擦除操作电流（ ICC 3 ）从8毫安到5毫安
- 改变了典型的编程时间（ TPROG ）从200us的到300US
- 改变ALE从100ns到20ns的延迟RE （ID读， TAR1 ）
- 改变CLE保持距离为10ns至15ns的时间（ tCLH ）
- 从为10ns至15ns的改变CE保持时间（ TCH）
- 改变ALE持有至10ns的时间为15ns （ TALH ）
- 从为10ns至15ns的变化数据保持时间（ TDH ）
- 改变CE接入的为45nS至60ns的时间（ TCEA ）
- 改变读周期从50ns的到70ns的时间（ TRC）
- 改变写周期从50ns的到70ns的时间（ TWC ）
- 改变RE交通从为35ns至40ns的时间（ TREA ）
- 改变稀土高保持时间（ tREH定义）从为15ns至20ns的
- 改变了我们的高持有为15ns至20ns的时间（亿千瓦时）
1.设备代码被更改
- TBGA封装的信息： 'B' --> 'D'
前） K9F2808Q0B - BCB0 ， BIB0 --> K9F2808Q0B - DCB0 ， DIB0
K9F2808U0B - BCB0 ， BIB0 --> K9F2808Q0B - DCB0 ， DIB0
2. V
IH
,V
IL
K9F2808Q0B （ 1.8装置）的改变
（修改前）
输入高电压
输入低电压，
所有的输入
V
IH
I / O引脚
除了I / O引脚
-
VccQ-0.4
V
CC
-0.4
0
（修改后）
I / O引脚
输入高电压
V
IH
除了I / O引脚
输入低电压，
所有的输入
V
IL
-
V
CC
-0.4
-0.3
-
-
VccQ-0.4
VCCQ
+0.3
VCC
+0.3
0.4
-
-
VCCQ
VCC
0.4
草案日期
可能28'th 2001年
二○○一年六月三十〇日
备注
ADVANCE
2001年7月30日
K9F2808Q0B
：初步
0.3
2001年8月23日
V
IL
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
1
K9F2808Q0B-DCB0,DIB0
K9F2808U0B-VCB0,VIB0
K9F2808U0B-YCB0,YIB0
K9F2808U0B-DCB0,DIB0
FL灰内存
修订历史
修订历史号
0.4
1. I
OL
1.8V装置（R / B）的改变。
-min 。价值： 7毫安-->3mA
-typ 。价值： 8毫安-->4mA
2.交流参数变化。
激进党（分钟） ： 30ns的-->为25ns
草案日期
2001年11月5日
备注
初步
0.5
1.参数在1.8部分（ K9F2808Q0B ）改变。
- 总胆固醇从15ns的改变为20ns的
- tCLH从15ns的改变为20ns的
- TALH从15ns的改变为20ns的
- TDH从15ns的改变为20ns的
2002年2月15日
0.6
1.参数在1.8部分（ K9F2808Q0B ）改变。
- 激进党从25ns的改变为35ns
- TWB从100ns的改变为150ns
- TREA从40ns的改变为45nS
2002年5月3日
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
2
K9F2808Q0B-DCB0,DIB0
K9F2808U0B-VCB0,VIB0
K9F2808U0B-YCB0,YIB0
K9F2808U0B-DCB0,DIB0
FL灰内存
16M ×8位位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9F2808Q0B-D
K9F2808U0B-Y
K9F2808U0B-D
K9F2808U0B-V
2.7 ~ 3.6V
VCC范围
1.7 ~ 1.9V
X8
组织
PKG型
TBGA
TSOP1
TBGA
WSOP1
特点
电源
- K9F2808Q0B ： 1.7 1.9V
- K9F2808U0B ： 2.7 3.6 V
组织
- 存储单元阵列： （ 16M + 512K ）位x 8位
- 数据寄存器： （ 512 + 16 ）位x8bit
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 16K + 512 ）字节
528字节页读操作
- 随机存取： 10μs的（最大）
- 串行页访问
- K9F2808Q0B ：为70ns
- K9F2808U0B ：为50ns
快速写周期时间
- 计划时间
- K9F2808Q0B ： 300
微秒（典型值）。
- K9F2808U0B ：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
包
- K9F2808U0B - YCB0 / YIB0 ：
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）
- K9F2808X0B - DCB 0 / DIB0
63-球TBGA （ 9× 11 /0.8mm间距，宽度1.0毫米）
- K9F2808U0B - VCB0 / VIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）
* K9F2808U0B -V（ WSOPI ）是相同的设备
K9F2808U0B -Y （ TSOP1 ）除了封装类型。
概述
该K9F2808X0B是16M （ 16777216 ） x8bit NAND闪存用备用512K （ 524,288 ） x8bit 。该器件采用1.8V或
3.3V的Vcc 。它的NAND单元为固态大容量存储市场最具成本效益的解决方案。程序运行亲
克的528字节的页中典型为200ps和擦除操作可在一个16K字节块的典型2ms的执行。在一个数据
（ ：为70ns ， K9F2808U0B ：为50ns K9F2808Q0B ）每字节循环时间页面可以为70ns / 50ns的读取。在I / O引脚作为端口
地址和数据输入/输出以及命令输入。片上写控制自动完成所有的编程和擦除功能
包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和数据的裕度。即使是写密集型系统可以
通过提供ECC （纠错码）与优势K9F2808X0B “扩展的100K计划的可靠性/擦除周期
s
实时映射出的算法。
该K9F2808X0B适用于移动通信系统的数据存储器的使用，以减少不仅安装面积，而且功率
消费。
3
K9F2808Q0B-DCB0,DIB0
K9F2808U0B-VCB0,VIB0
K9F2808U0B-YCB0,YIB0
K9F2808U0B-DCB0,DIB0
FL灰内存
引脚配置（ TSOP1 ）
K9F2808U0B-YCB0/YIB0
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
GND
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
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45
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43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
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N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
包装尺寸
48 -PIN引脚塑料薄型小OUT直插式封装类型（I ）
48 - TSOP1 - 1220F
单位：毫米/英寸
最大
#48
( 0 .25 )
0.010
12 .40
最大
0.488
#24
#25
1.00
±
0.05
0.039
±0.002
0 .25
0.010 TYP
+0 .07 5
0 .00 8
- 0.0 0 1
+0 .0 03
+0 .07
0.20
-0 .0 3
#1
0.50
0.0 197
12.00
0.472
0.1 25
0 .03 5
0~8
0.45~0.75
0.018~0.030
( 0.50 )
0.020
4
0.005
-0 .0 01
+0 .00 3
18.40
±
0.10
0.724
±
0.004
1.20
0.047最大
0.004
0.05
民
0.002
0.10
20.00
±
0.20
0.787
±
0.008
K9F2808Q0B-DCB0,DIB0
K9F2808U0B-VCB0,VIB0
K9F2808U0B-YCB0,YIB0
K9F2808U0B-DCB0,DIB0
FL灰内存
引脚配置（ TBGA ）
K9F2808X0B-DCB0/DIB0
ü DNU
N
ü
N
/ WP
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VSS
ALE
/ RE
N
C
N
C
N
C
I/O0
I/O1
I/O2
NC
/ CE
/ WE
NC
NC
NC
NC
NC
R / B
NC
NC
NC
NC
VCC
I/O7
VSS
DNU DNU
DNU DNU
CLE NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VCCQ I / O5
I/O6
I / O3 I / O4
ü DNU
N
ü DNU
N
DNU DNU
DNU DNU
包装尺寸
63球TBGA （以毫米计）
顶视图
（ TOP VIEW ）
底部视图
9.00
±0.10
0.80 x9= 7.20
0.80 x5= 4.00
A
9.00
±0.10
（ DATUM A）
6
5
0.80
4
3
2
1
B
#A1
A
B
0.80 x7= 5.60
2.00
0.32
±0.05
0.45
±0.05
0.90
±0.10
（ DATUM B）
0.80
C
D
E
2.80
F
G
H
0.80 x11= 8.80
11.00
±0.10
63-0.45
±0.05
0.20
M
A B
SIDE VIEW
9.00
±0.10
0.08MAX
5
11.00
±0.10
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KSEM31GLFS
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