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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第192页 > KTA1553T
半导体
技术参数
继电器驱动器，灯驱动器，
电机驱动器和选通应用。
KTA1553T
外延平面PNP晶体管
E
特点
通过MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
A
F
G
K
B
暗淡
A
B
2
3
C
D
MILLIMETERS
_
2.9 + 0.2
1.6+0.2/-0.1
_
0.70 + 0.05
_
0.4 + 0.1
2.8+0.2/-0.3
_
1.9 + 0.2
0.95
_
0.16 + 0.05
0.00-0.10
0.25+0.25/-0.15
0.60
0.55
D
做小而纤细。
高允许功耗。
补充KTC3553T 。
C
L
G
超小户型套餐允许应用设置要
1
E
F
G
H
I
J
K
L
J
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
*
T
j
T
英镑
0.8
等级
-50
-50
-6
-5
-7
-1.2
0.9
150
-55
)
150
单位
V
V
V
A
A
W
1.发射器
2.基
3.收集
记号
LOT号
型号名称
*封装安装在陶瓷基板（600
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
Swiitching
时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
f
T
C
ob
t
on
输入
测试条件
V
CB
= -40V ，我
E
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
I
C
= -10 A，I
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -10 A，I
C
=0
I
C
= -2A ，我
B
=-40mA
I
C
= -2A ，我
B
=-40mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-500mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-500mA
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
PW=20s
DC
＆ LT ;
1%
=
I
B1
I
B2
R
B
50
V
R
100F
470F
V
CC
=-12V
24
产量
分钟。
-
-
-50
-50
-6
-
-
200
-
-
-
贮存时间
t
英镑
下降时间
t
f
V
BE
=5V
-20I
B1
=20I
B2
=I
C
=-2.5A
2001. 6. 28
版本号： 0
I
J
最大额定值（ TA = 25
)
H
TSM
SM
典型值。
-
-
-
-
-
-225
-0.80
-
250
50
39
马克斯。
-0.1
-0.1
-
-
-
-450
-1.2
560
-
-
-
兆赫
pF
单位
A
A
V
V
V
mV
V
-
225
-
nS
-
25
-
1/3
KTA1553T
I
C
- V
CE
-5
集电极电流I
C
(A)
直流电流增益
FE
-4
-3
-2
-1
0
0
-100
-200
-300
I
B
=0mA
-90mA
-80mA
-70mA
-60mA
-50mA
-40mA
h
FE
- I
C
1K
-100mA
500
300
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = -25℃
-30mA
-20mA
100
50
30
V
CE
=-2V
-10mA
-400
-500
10
-0.01
-0.03 -0.05 -0.1
-0.3 -0.5
-1
-3 -5
集电极 - 发射极电压V
CE
（毫伏）
集电极电流I
C
(A)
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
（毫伏）
-1K
-500
-300
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
（毫伏）
I
C
/I
B
=20
V
CE （ SAT ）
- I
C
-2k
-1k
-500
-300
-100
-50
-30
-10
-0.01
T
I
C
/I
B
=50
-100
-50
-30
=
Ta
C
75
5
=-2
Ta
C
5 C
a=7
25
=-
Ta
C
C
25
TA
TA
25
C
-10
-0.01
-0.03 -0.05 -0.1
-0.3 -0.5
-1
-3 -5
-0.03 -0.05 -0.1
-0.3 -0.5
-1
-3 -5
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
- I
C
-10K
基射极饱和
电压V
BE （ SAT ）
（毫伏）
-5K
-3K
集电极电流I
C
(A)
I
C
/I
B
=50
I
C
- V
BE
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
TA = 75℃
V
CE
=-2V
-500
-300
TA = 25℃
TA = 75℃
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
0
-100
-0.01
-0.03 -0.05 -0.1
-0.3 -0.5
-1
-3 -5
-0.1 -0.2 -0.3 -0.4 -0.5 -0.6 -0.7 -0.8 -0.9
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
(A)
2001. 6. 28
版本号： 0
Ta=-25
-1K
TA = -25℃
-0.5
TA = 25℃
C
2/3
KTA1553T
f
T
- I
C
过渡频率f
T
（兆赫）
1K
500
300
集电极输出电容
C
ob
（PF ）
V
CE
=-10V
C
ob
- V
CB
1K
500
300
f=1MHz
100
50
30
100
50
30
10
-0.01
10
-1
-3
-5
-10
-30
-50
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
集电极电流I
C
(A)
安全工作区
-10
集电极电流I
C
(A)
-5
-3
-1
-0.5
-0.3
-0.1
-0.05
-0.03
I
C
MAX 。 （脉冲）
PC - TA
集电极耗散功率
P
C
(W)
1.2
安装在一
10
1m
S*
50
S*
0
I
C
最大
（ Contin-
UOUS ）
0
10
DC
OP
10
0m
ER
AT
IO
m
S*
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
陶瓷板
(600mm
2
0.8mm)
S*
S*
N
-0.01
-0.1
*单不重复
PULSE TA = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
安装在陶瓷基板
(600mm
2
0.8mm)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
周围温度Ta （℃）
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2001. 6. 28
版本号： 0
3/3
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K1528DBE
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K4M563233G-FL/F60
KK110F20
KPK-3020PBC
KHAE-11A11B-6
KS5-5
K4H510638E-TC/LA2
KM684000BLI
KM684000BLT-7L
KSM-913TE5T
KRC666E
KBL301
K4E660412E-JI45
K4S640832F
K73-21
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    KTA1553T
    -
    -
    -
    -
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TSM
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3000
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