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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
KSD5061
描述
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V (最小值)
开关速度
可靠性
.Built式
阻尼二极管
应用
·设计
对于彩电行输出applicaitions
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
800
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
6
V
I
C
集电极电流 - 连续
3.5
A
I
CP
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
10
A
P
C
80
W
T
J
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
KSD5061
典型值。
最大
单位
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.8A
8.0
V
V
BE
(SAT)
基射极饱和电压
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.8A
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 800V ;我
E
= 0
10
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4V ;我
C
= 0
40
200
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 5V
8
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V
3
兆赫
V
ECF
C- ê二极管正向电压
I
F
= 3.5A
I
C
= 3A ,我
B1
= 0.8A ;我
B2
= -1.6A
R
L
= 66.7Ω; V
CC
= 200V
2.0
V
t
f
下降时间
0.4
μs
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2
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    联系人:杨小姐
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    KSD5061
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