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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
KSD2058
描述
·带
TO- 220F封装
.Complement
键入KSB1366
应用
·带
通用应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
最大
60
60
7
3
0.5
1.5
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 50毫安，我
B
=0
I
C
= 2A ，我
B
=0.2A
I
C
=0.5A;V
CE
=5V
V
CB
= 60V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
f=1MHz;V
CB
=10V
60
民
60
KSD2058
典型值。
最大
单位
V
1.5
3.0
10
1
300
3.0
35
V
V
μA
mA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 2.0A我
B1
=-I
B2
=0.2A
V
CC
= 30V ，R
L
=15Ω
0.65
1.3
0.65
μs
μs
μs
h
FE
分类
O
60-120
Y
100-200
G
150-300
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
KSD2058
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
KSD2058
描述
·带
TO- 220F封装
.Complement
键入KSB1366
应用
·带
通用应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
电半
固
集电极电流
基极电流
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
IN
ES
昂
CH
导½
发射极开路
开基
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
最大
60
60
7
3
0.5
单位
V
V
V
A
A
集电极开路
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
1.5
W
25
150
-55~150
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 50毫安，我
B
=0
I
C
= 2A ，我
B
=0.2A
I
C
=0.5A;V
CE
=5V
V
CB
= 60V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
f=1MHz;V
CB
=10V
60
民
60
KSD2058
典型值。
最大
单位
V
1.5
3.0
10
1
300
3.0
35
V
V
μA
mA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
固电
下降时间
开启时间
导½
半
贮存时间
的HAn
INC。
Y
G
150-300
ES
G
I
C
= 2.0A我
B1
=-I
B2
=0.2A
V
CC
= 30V ，R
L
=15Ω
ON
MIC
E
OR
DUT
0.65
1.3
0.65
μs
μs
μs
h
FE
分类
O
60-120
100-200
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
KSD2058
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
KSD2058
描述
·采用TO- 220F封装
·补键入KSB1366
应用
·与一般用途的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25
P
C
集电极耗散
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
最大
60
60
7
3
0.5
1.5
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 50毫安，我
B
=0
I
C
= 2A ，我
B
=0.2A
I
C
=0.5A;V
CE
=5V
V
CB
= 60V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
f=1MHz;V
CB
=10V
60
民
60
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
KSD2058
典型值。
最大
单位
V
1.5
3.0
10
1
300
3.0
35
V
V
A
mA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 2.0A我
B1
=-I
B2
=0.2A
V
CC
= 30V ，R
L
=15@
0.65
1.3
0.65
s
s
s
h
FE
分类
O
60-120
Y
100-200
G
150-300
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
KSD2058
图2外形尺寸
3
KSD2058
KSD2058
低频功率放大器
1
TO-220F
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散（T
a
=25°C)
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
参数
价值
60
60
7
3
0.5
1.5
25
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
t
ON
t
英镑
t
F
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
启动时间
贮存时间
下降时间
测试条件
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
EB
= 7V ，我
C
= 0
I
C
= 50mA时我
B
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.5A
I
C
= 2A ，我
B
= 0.2A
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.5A
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.5A
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 30V ，我
C
= 2A
I
B1
= - I
B2
= 0.2A
R
L
= 15
35
0.65
1.3
0.65
3
0.4
60
8
1.5
V
V
兆赫
pF
s
s
s
分钟。
典型值。
马克斯。
10
1
单位
A
mA
V
h
FE
分类
分类
h
FE
O
60 ~ 120
Y
100 ~ 200
G
150 ~ 300
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
KSD2058
典型特征
3.0
I
B
= 90毫安
I
B
= 80毫安
70m
I
B
=
A
1000
I
B
= 60毫安
I
B
= 50毫安
I
B
= 40毫安
I
B
= 30毫安
I
B
= 20mA下
V
CE
= 5V
IC [ A] ，集电极电流
2.5
2.0
1.5
h
FE
，直流电流增益
100
1.0
I
B
= 10毫安
0.5
I
B
= 0毫安
0.0
0
1
2
3
4
5
6
10
0.01
0.1
1
10
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
1
10
V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
IC = 10我
B
I
C
最大值（脉冲）
1mS
m
10
I
C
[A] ，集电极电流
10
I
C
（最大）
s
DC
1
S
0m
1S
0.1
0.01
0.01
0.1
0.1
1
10
1
10
100
I
C
[A] ，集电极电流
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图3.集电极输出电容
图4.安全工作区
30
TC -TA
25
无限大的散热器
P
C
[W] ，功率耗散
20
15
10
5
无散热器
0
25
50
o
75
100
125
150
175
T
C
[C] ，外壳温度
图5.功率降额
2000仙童半导体国际
V
首席执行官
最大
版本A ， 2000年2月
KSD2058
包装Demensions
TO-220F
3.30
±0.10
10.16
±0.20
(7.00)
3.18
±0.10
2.54
±0.20
(0.70)
6.68
±0.20
15.80
±0.20
(1.00x45°)
MAX1.47
9.75
±0.30
0.80
±0.10
(3
0
°
)
0.35
±0.10
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
#1
0.50
–0.05
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
4.70
±0.20
+0.10
2.76
±0.20
9.40
±0.20
单位：毫米
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
15.87
±0.20
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
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K6S1.53N
KM416C1200B
KM1101AWCQE
KA78RM33RTF
KIA7420
KSH13007F
K1528DBE
KV2302A
KSD5061
KT830L11
K4H510838B-VC/LA2
K4M563233G-FL/F60
KK110F20
KPK-3020PBC
KHAE-11A11B-6
KTA1553T
KS5-5
K4H510638E-TC/LA2
KM684000BLI
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    KSD2058
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
KSD2058
KEC
2443+
23000
TO-220
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳勤思达科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881243225 复制

电话：0755-83268779
联系人：吴
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）
KSD2058
KEC/正品
13+
25800
TO-220F
全新原装正品，大量现货库存，可以出样品，欢迎咨询洽谈
深圳市易信优科技有限公司
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电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
KSD2058
KEC
24+
21000
TO-220F
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
上海熠富电子科技有限公司
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
KSD2058
KEC
2024
20918
TO-220
原装现货上海库存，欢迎查询
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
KSD2058
KEC
21+
15360
TO-220
全新原装正品/质量有保证
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
KSD2058
KEC
21+
12300
TO-TO-220
全新原装正品/质量有保证
深圳勤思达科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881239445 复制

电话：0755-83264115
联系人：朱生
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座
KSD2058
KEC
12+
10000
TO-220F
全新原装，绝对正品，公司现货供应
北京人上科技有限公司
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
KSD2058
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9206
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【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
KSD2058
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8709
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
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