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KSP2222A NPN通用放大器
2006年7月
KSP2222A
NPN通用放大器
特点
集电极 - 发射极电压： V
首席执行官
= 40V
集电极耗散功率：P
C
(max)=625mW
可作为PN2222A
TO-92
tm
1 2 3
1. 2.发射基地3.收藏家
绝对最大额定值*
T
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温
储存温度
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
75
40
6.0
600
+150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
°C
°C
* 1。这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
中T = 25 ° C除非另有说明
a
符号
P
C
R
θJC
R
θJA
参数
集电极耗散功率，由R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
a
最大
625
83.3
200
单位
mW
° C / W
° C / W
电气特性*
T
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
EB
= 3.0V ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.1毫安，
V
CE
= 10V ，我
C
= 1mA时，
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安，
V
CE
= 10V ，我
C
= 150毫安，
V
CE
= 10V ，我
C
= 500毫安，
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= 15毫安，V
BE （OFF）的
= 0.5V
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B1
= 15毫安
I
C
= 100μA ，V
CE
= 10V,
R
S
= 1KΩ ， F = 1.0KHz
分钟。
75
40
6.0
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
nA
0.01
10
35
50
75
100
40
300
0.3
1
1.2
2.0
8
35
285
4
V
V
V
V
兆赫
pF
ns
ns
dB
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
NF
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
启动时间
关闭时间
噪声系数
0.6
300
*直流项目是由脉冲测试测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
KSP2222A版本B
KSP2222A NPN通用放大器
包装尺寸
TO-92
4.58
–0.15
+0.25
0.46
14.47
±0.40
±0.10
4.58
±0.20
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
3.60
±0.20
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
0.38
–0.05
+0.10
3.86MAX
1.02
±0.10
0.38
–0.05
+0.10
(R2.29)
(0.25)
单位：毫米
2
KSP2222A版本B
www.fairchildsemi.com
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利
此处为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担OUT的任何责任
应用程序或使用本文所描述的任何产品或电路;它也没有传达任何根据牌照
ITS专利权，也没有他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的条款
全球条款和条件，特别是THEREIN保证，其中包括这些产品。
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyPWM
TinyPower
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
的UniFET
UltraFET
VCX
电线
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统，其中，
（一）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或
维持生命，或（c ）其不履行时的正确使用
按照标示中提供的使用说明，可以
合理预期会导致显著的伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件或
系统，其不履行可以合理预期
造成生命支持设备或系统的故障，或影响其
安全性和有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
恕不另行通知随时更改，以提高
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
修订版I20
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K104K15X7RF5.H5
K1S161611A
KMP47C242BN
KS5514B-10
KFG1216Q2A-DEB5
KA2183
K4E641612C-L
K24C080-SETG-S
KHB4D5N60P
K4D553238F-JC50
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ON
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