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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第220页 > KHB4D5N60P
半导体
技术参数
概述
KHB4D5N60P/F/F2
N沟道MOS场
场效应晶体管
KHB4D5N60P
A
O
C
F
E
G
B
Q
I
K
M
L
J
D
N
N
H
P
DIM毫米
_
9.9 + 0.2
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
1
2
3
这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良
雪崩特性。它主要适用于切换模式
电源供应器。
特点
V
DSS （最小）
= 600V ，我
D
= 4.5A
漏极 - 源极导通电阻：
R
DS （ ON）
=2.5
@V
GS
=10V
QG （典型值） = 17nC
15.95 MAX
1.3+0.1/-0.05
_
0.8 + 0.1
_
3.6 + 0.2
_
2.8 + 0.1
3.7
0.5+0.1/-0.05
1.5
_
13.08 + 0.3
1.46
_
1.4 + 0.1
_
1.27 + 0.1
_
2.54 + 0.2
_
4.5 + 0.2
_
2.4 + 0.2
_
9.2 + 0.2
1.门
2.漏
3.源
P
Q
最大额定值（TC = 25
)
等级
TO-220AB
特征
符号
KHB4D5N60P
KHB4D5N60F单位
KHB4D5N60F2
V
V
4.5*
2.8*
18*
A
K
L
E
KHB4D5N60F
A
F
C
漏源电压
栅源电压
@T
C
=25
漏电流
@T
C
=100
脉冲（注1）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt
（注3）
耗电
耗散
Tc=25
减额above25
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
j
T
英镑
106
0.85
4.5
2.8
18
600
30
O
暗淡
B
MILLIMETERS
M
J
260
10.6
4.5
36
0.29
150
-55 150
mJ
D
R
mJ
V / ns的
Q
1
N
N
H
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
Q
R
_
10.16
+
0.2
_
15.87
+
0.2
_
2.54
+
0.2
_
0.8
+
0.1
_
3.18
+
0.1
_
3.3
+
0.1
_
12.57
+
0.2
_
0.5
+
0.1
13.0 MAX
_
3.23
+
0.1
1.47 MAX
1.47 MAX
_
2.54
+
0.2
_
6.68
+
0.2
_
4.7
+
0.2
_
2.76
+
0.2
W
W/
G
1.门
2.漏
3.源
最高结温
存储温度范围
热特性
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结点到
环境
TO- 220IS （1）
KHB4D5N60F2
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
A
1.18
0.5
62.5
3.47
-
62.5
/W
S
C
F
/W
/W
P
E
G
B
暗淡
MILLIMETERS
*：漏电流受最高结温。
K
L
L
R
J
引脚连接
D
M
D
D
N
N
H
G
1
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
_
10.0
+
0.3
_
15.0
+
0.3
_
2.70
+
0.3
0.76+0.09/-0.05
_
Φ3.2
+
0.2
_
3.0
+
0.3
_
12.0
+
0.3
0.5+0.1/-0.05
_
13.6
+
0.5
_
3.7
+
0.2
1.2+0.25/-0.1
1.5+0.25/-0.1
_
2.54
+
0.1
_
6.8
+
0.1
_
4.5
+
0.2
_
2.6
+
0.2
0.5 TYP
Q
1.门
2.漏
3.源
S
TO-220IS
2007. 5. 10
版本号： 0
1/7
KHB4D5N60P/F/F2
电气特性（ TC = 25
特征
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
STATIC
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
排水截止电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
BV
DSS
BV
DSS
/ T
j
I
DSS
V
th
I
GSS
R
DS （ ON）
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
I
D
= 250 A，参考25
V
DS
=600V, V
GS
=0V,
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 30V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=2.25A
600
-
-
2
-
-
-
0.6
-
-
-
2.2
-
-
10
4
100
2.5
V
V/
A
V
nA
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管评级
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
V
GS
＆ LT ; V
th
I
SP
V
SD
t
rr
Q
rr
I
S
= 4.5A ，V
GS
=0V
I
S
= 4.5A ，V
GS
=0V,
DIS / DT = 100A / S
-
-
-
-
-
-
350
2.7
18
1.5
-
-
V
ns
C
-
-
4.5
A
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
=300V
R
L
=67
R
G
=25
(Note4,5)
-
-
-
-
-
70
80
655
66
8
150
170
850
86
11
pF
V
DS
= 480V ，我
D
=4.5A
V
GS
=10V
(Note4,5)
-
-
-
-
-
17
3
7.3
15
35
21
-
-
35
80
ns
nC
注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。
注2 ） L = 25mH ，我
S
= 4.5A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25 ，起始物为
j
= 25 .
注3 ）I
S
4.5A ， di / dt的
200A/
, V
DD
300
BV
DSS
，起始物为
j
= 25 .
，占空比
2%.
注4 ）脉冲测试：脉冲宽度
注5 ）基本上是独立的工作温度。
2007. 5. 10
版本号： 0
2/7
KHB4D5N60P/F/F2
Fig1 。我
D
- V
DS
10
1
V
GS
TOP ： 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
底部： 5.5 V
Fig2 。我
D
- V
GS
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
10
1
150 C
10
0
10
0
-55 C
25 C
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
栅 - 源电压V
GS
(V)
Fig3 。 BV
DSS
- TJ
归一化的击穿电压BV
DSS
1.2
V
GS
= 0V
I
DS
= 250A
图四。
DS （ ON）
- I
D
6
ON - 电阻r
DS （ ON）
()
5
4
V
G
= 10V
1.1
1.0
3
V
G
= 20V
2
1
0
0.9
0.8
-100
-50
0
50
100
150
0
2
4
6
8
10
12
结温Tj （ C）
漏电流I
D
(A)
Fig5 。我
S
- V
SD
10
1
3.0
V
GS
=10V
I
DS
= 2.25A
Fig6 。
DS （ ON）
- TJ
反向漏电流I
S
(A)
归一化导通电阻
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
10
0
150 C
25
C
10
-1
0.2
0.4
0.6
-50
0
50
100
150
源 - 漏极电压V
SD
(V)
结温辐射TJ （ C）
2007. 5. 10
版本号： 0
3/7
KHB4D5N60P/F/F2
Fig7 。 - V
DS
10
4
12
Fig8 。 Qg- V
GS
栅 - 源电压V
GS
(V)
10
8
6
4
2
0
V
DS
= 120V
V
DS
= 300V
V
DS
= 480V
电容（pF）
10
3
C
国际空间站
10
2
C
OSS
C
RSS
10
1
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
5
10
15
20
漏 - 源极电压V
DS
(V)
门 - 电荷Qg （ NC）
Fig9 。安全工作区
10
2
Fig10 。安全工作区
10
2
(KHB4D5N60P)
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
(KHB4D5N60F,KHB4D5N60F2)
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
漏极电流ID （ A）
漏极电流ID （ A）
10
1
1ms
10ms
DC
100s
10
1
100s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
10
0
10
0
TC = 25
C
T
j
= 150
C
单一不重复的脉冲
1ms
10
-1
TC = 25
C
T
j
= 150
C
单一不重复的脉冲
10ms
DC
10
-1
0
10
10
1
10
2
10
3
10
-2 0
10
10
1
10
2
10
3
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig11 。我
D
- T
j
3.0
2.5
漏电流I
D
(A)
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25
50
75
100
125
150
结温Tj （
C
)
2007. 5. 10
版本号： 0
4/7
KHB4D5N60P/F/F2
Fig12 。瞬态热响应曲线
归一化瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
0.02
0.01
- 占空比，D = T
1
/t
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-5
10
-4
时间（秒）
Fig13 。瞬态热响应曲线
归一化瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
0.02
0.01
10
-2
10
-5
单脉冲
- 占空比，D = T
1
/t
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
时间（秒）
2007. 5. 10
版本号： 0
5/7
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K4E641612C-L
K24C080-SETG-S
K4D553238F-JC50
KA1H0365R-TU
K504160Y1EN1S
K4H510838C-UCCC
K24C32-S-IRG-A
KMM53216004CK
K8D1716UTB-TC08
KC-19-245
K24C040-WCT-A
KX750-F2B
供货商
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厂家
批号
数量
封装
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    KHB4D5N60P
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