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KSC5402D/KSC5402DT
KSC5402D/KSC5402DT
高压高速功率开关
应用
广泛的安全工作区
内置续流二极管
适用于电子镇流器应用
小方差的存储时间
两种封装选择; D- PAK和TO- 220
B
D- PAK
等效电路
C
1
TO-220
E
1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
NPN硅晶体管的平面硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
*集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
*基本电流（脉冲）
功率耗散（T
C
= 25℃） ：D -PAK *
： TO- 220
结温
储存温度
价值
1000
450
12
2
5
1
2
30
50
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
*脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比< 10 ％
热特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
R
θJC
R
θJA
T
L
热阻
特征
结到外壳
结到环境
最大无铅焊接温度的目的
; 1/8“案件从5秒
等级
TO-220
2.5
62.5
270
D- PAK
4.17 *
50
270
°C
单位
° C / W
*安装在1 “方形PCB （ FR4 RO G- 10材料）
2002仙童半导体公司
牧师B2 ， 2002年12月
KSC5402D/KSC5402DT
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
测试条件
I
C
= 1mA时，我
E
=0
I
C
= 5毫安，我
B
=0
I
E
= 1mA时，我
C
=0
V
CES
=1000V,
I
EB
=0
V
CE
=450V, V
B
=0
V
EB
= 10V ，我
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=0.4A
V
CE
= 1V ，我
C
=1A
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=0.4, I
B
=0.04A
I
C
= 1A ，我
B
=0.2A
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
=0.4A,
I
B
=0.04A
I
C
= 1A ，我
B
=0.2A
C
ib
C
ob
f
T
V
F
输入电容
输出电容
电流增益带宽积
二极管的正向电压
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
V
EB
= 8V ，我
C
= 0中，f = 1MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
I
C
= 0.5A ，V
CE
=10V
I
F
=1A
I
F
=0.2A
I
F
=0.4A
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
14
8
6
4
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
分钟。
1000
450
12
典型值。
1090
525
14
0.03
1.2
0.3
15
0.01
29
17
9
6
0.25
0.4
0.3
0.65
0.78
0.65
0.85
0.75
330
35
11
0.86
0.75
0.6
0.8
0.65
1.3
1.5
1.2
0.6
1.0
0.75
1.2
1.0
0.9
1.1
1.0
500
100
V
V
V
V
V
V
pF
pF
兆赫
V
V
V
V
V
100
500
100
500
100
A
A
马克斯。
单位
V
V
V
A
2002仙童半导体公司
牧师B2 ， 2002年12月
KSC5402D/KSC5402DT
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
t
fr
参数
二极管刚愎Recvery时间
(di/dt=10A/s)
动态饱和电压
测试条件
I
F
=0.2A
I
F
=0.4A
I
F
=1A
I
C
=0.4A,
I
B1
=40mA
V
CC
=300V
I
C
=1A,
I
B1
=200mA
V
CC
=300
阻性负载开关（ DC < 10 ％ ，脉冲宽度= 20μS ）
t
ON
t
关闭
启动时间
关闭时间
I
C
=1A,
I
B1
=200mA
I
B2
=150mA
V
CC
=300V
R
L
= 300
I
C
=0.4A,
I
B1
=40mA
I
B2
=200mA,
Vz=300V
L
C
=200H
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
t
英镑
t
F
t
C
t
英镑
t
F
t
C
贮存时间
下降时间
交叉时间
贮存时间
下降时间
交叉时间
I
C
=0.8A,
I
B1
=160mA
I
B2
=160mA,
Vz=300V
L
C
=200H
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
I
C
=1A,
I
B1
=200mA,
I
B2
=500mA,
V
Z
=300V
L
C
=200H
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
3
110
180
125
185
1.1
1.35
105
75
125
100
150
150
1.2
350
175
0.95
1.4
110
135
1.25
150
ns
ns
s
s
s
s
175
175
2.75
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
@ 1s
@ 3s
@ 1s
@ 3s
民
典型值。
540
520
480
7.5
2.5
11.5
1.5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
V
V
V
V
V
CE
（ DSAT ）
感应负载开关（V
CC
=15V)
t
英镑
t
F
t
C
贮存时间
下降时间
交叉时间
0.56
0.7
60
75
90
90
0.65
2002仙童半导体公司
牧师B2 ， 2002年12月
KSC5402D/KSC5402DT
典型特征
3.0
I
C
[A] ，集电极电流
2.5
h
FE
，直流电流增益
2.0
I
B
= 1A
900mA
800mA
700mA
600mA
500mA
400mA
300mA
200mA
100mA
V
CE
= 1V
100
T
J
=125℃
T
J
=25℃
1.5
10
1.0
0.5
I
B
= 0
0.0
0
1
2
3
4
5
6
1
1E-3
0.01
0.1
1
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
CE
= 6V
100
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
I
C
= 5 I
B
T
J
=125℃
T
J
=25℃
h
FE
，直流电流增益
10
10
1
T
J
=125℃
T
J
=25℃
0.1
1
1E-3
0.01
0.1
1
1E-3
0.01
0.1
1
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图3.直流电流增益
图4.集电极 - 发射极饱和电压
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
10
I
C
= 5 I
B
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
I
C
= 10 I
B
10
1
T
J
=25℃
T
J
=125℃
1
T
J
=125℃
T
J
=25℃
0.1
0.1
1E-3
0.01
0.1
1
1E-3
0.01
0.1
1
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图5.基射极饱和电压
图6.集电极 - 发射极饱和电压
2002仙童半导体公司
牧师B2 ， 2002年12月
KSC5402D/KSC5402DT
典型特征
（续）
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
10
1000
I
C
= 10 I
B
C
ib
f=1MHz
1
电容[ pF的]
100
T
J
=25℃
T
J
=125℃
C
ob
0.1
1E-3
10
0.01
0.1
1
1
10
100
I
C
[A] ，集电极电流
反向电压[ V]的
图7.基射极饱和电压
图8.集电极输出电容
2.0
550
T
J
=25℃
1.5
2.0A
1.0
1.5A
1.0A
0.4A
I
C
=0.2A
t
fr
[ NS ] ，正向恢复时间
集电极电压[V]的
500
0.5
0.0
1E-3
0.01
0.1
1
450
0.0
0.5
1.0
I
C
[A] ，集电极电流
I
F
[A] ，正向工作电流
图9.典型集电极饱和区
图10.正向恢复时间
10
I
C
=5I
B1
=2I
B2
V
CC
=300V
PW=40
s
300
V
FD
[V]电压
1
t
on
[ NS ] ，时间
T
J
=25℃
T
J
=125℃
200
T
J
=125℃
100
T
J
=25℃
0.1
0.01
0.1
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
FD
[A] ， CURRENT
I
c
[A] ，集电极电流
图11.二极管的正向电压
图12.电阻开关时间，t
on
2002仙童半导体公司
牧师B2 ， 2002年12月
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