K6F2016U4G家庭
初步
CMOS SRAM
2MB （ 128K ×16位）低功耗SRAM
信息在本文档提供有关三星产品，
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或国防应用程序，或任何政府采购，以这特殊条款或规定可能适用。
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
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修订版0.0
2005年4月
K6F2016U4G家庭
文档标题
初步
CMOS SRAM
128Kx16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
修订历史
修订历史号
0.0
最初的草案
草案日期
2005年4月25日
备注
初步
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
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修订版0.0
2005年4月
K6F2016U4G家庭
特点
初步
CMOS SRAM
概述
该K6F2016U4G家庭是由三星公司制造
先进的全CMOS工艺技术。家庭支持
工业级温度范围和48球芯片级封装
系统设计的用户灵活性。该系列产品还支持
低数据保持电压的电池备份与操作
低数据保持电流。
128K ×16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
工艺技术：全CMOS
组织： 128K X16位
电源电压： 2.7 3.3V
低数据保持电压： 1.5V （最小值）
三态输出
封装类型： 48 - FBGA - 6.00x7.00
产品系列
功耗
产品系列
工作温度
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
， TYP 。 ）
3A
2)
操作
(I
CC1
，最大值）
4mA
PKG型
K6F2016U4G-F
Industrial(-40~85°C)
2.7~3.3V
55
1)
/70ns
48-FBGA-6.00x7.00
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
2.典型值测量V
CC
= 3.0V ，T
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
引脚说明
1
2
3
4
5
6
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
A
LB
OE
A0
A1
A2
DNU
VCC
VSS
B
I/O9
UB
A3
A4
CS
I/O1
ROW
地址
C
I/O10
I/O11
A5
A6
I/O2
I/O3
ROW
SELECT
内存
CELL
ARRAY
D
VSS
I/O12
DNU
A7
I/O4
VCC
E
VCC
I/O13
DNU
A16
I/O5
VSS
I / O
1
-I / O
8
数据
CONT
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
F
I/O15
I/O14
A14
A15
I/O6
I/O7
I / O
9
-I / O
16
G
I/O16
DNU
A12
A13
WE
I/O8
列地址
H
DNU
A8
A9
A10
A11
DNU
48 - FBGA ：俯视图（球下）
名字
CS
OE
WE
A
0
~A
16
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
名字
VCC
VSS
UB
LB
DNU
功能
动力
地
高字节（ I / O
9
~
16
)
低字节（ I / O
1
~
8
)
不要使用
CS
OE
WE
UB
LB
控制逻辑
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
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K6F2016U4G家庭
产品列表
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
K6F2016U4G-FF55
K6F2016U4G-XF55
K6F2016U4G-FF70
K6F2016U4G-XF70
1. LF ：无铅产品
初步
CMOS SRAM
功能
48 - FBGA ， 55ns ， 3.0V
48 - FBGA ， 55ns ， 3.0V ， LF
1)
48 - FBGA ，为70ns ， 3.0V
48 - FBGA ，为70ns ， 3.0V ， LF
1)
功能说明
CS
H
X
1)
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
1)
X
1)
H
H
L
L
L
X
1)
X
1)
X
1)
WE
X
1)
X
1)
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
1)
H
L
X
1)
L
H
L
L
H
L
UB
X
1)
H
X
1)
L
H
L
L
H
L
L
I / O
1~8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
I / O
9~16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.3到V
CC
+ 0.3V （最大3.6V ）
-0.3 3.6
1.0
-65到150
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
在推荐工作条件的限制。暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
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K6F2016U4G家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
注意：
1.工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，另有规定。
2.过冲：如果脉冲宽度的VCC + 2.0V
≤20ns.
3.冲： -2.0V的情况下脉冲宽度的
≤20ns.
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
初步
CMOS SRAM
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.2
-0.3
3)
典型值
3.0
0
-
-
最大
3.3
0
Vcc+0.3
2)
0.6
单位
V
V
V
V
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
符号
测试条件
V
IN
= VSS到Vcc
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
或LB = UB = V
IH
,
V
IO
= VSS到Vcc
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS≤0.2V ，
LB≤0.2V或/和UB≤0.2V ，V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
-0.2V
周期时间=最小，我
IO
= 0毫安， 100 ％的关税， CS = V
IL
,
LB = V
IL
或/和UB = V
IL
, V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
其他输入= 0 Vcc的
1 ） CS≥Vcc - 0.2V （ CS控制）或
2 ） LB = UB≥Vcc - 0.2V ， CS≤0.2V （ LB / UB控制）
70ns
55ns
民
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
典型值
1)
-
-
-
-
-
-
-
3
最大
1
1
4
22
27
0.4
-
10
单位
A
A
mA
mA
V
V
A
I
LI
I
LO
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ CMOS ）
V
OL
V
OH
I
SB1
1.典型值是在V测
CC
= 3.0V ，T
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
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2005年4月
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