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分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D329

KMZ10B

磁科幻场传感器

产品speci fi cation

取代1996年的数据11月8日

在分离式半导体文件， SC17

1998年03月31日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

磁科幻场传感器

描述

该KMZ10B是一个敏感的磁场传感器，

采用薄膜的磁阻效应

坡莫合金。其特性使该传感器在使用

宽范围的电流和磁场的应用

测量，旋转柜，角位移或线

位置测量，接近度检测器等

钉扎

针

符号

GND

描述

输出电压

地

输出电压

电源电压

1 2 3 4

MGD806

KMZ10B

手册， halfpage

Fig.1简化外形SOT195 。

快速参考数据

符号

桥

OFFSET

参数

桥电源电压

磁性连接的场强

辅助科幻场

灵敏度

电桥电阻

失调电压

1.6

1.5

分钟。

典型值。

2.6

+1.5

马克斯。

千安/米

----------------

mV / V的

单位

电路图

手册，全页宽

MLC716

+武

GND

ΔVO

图2的简化电路图。

1998年03月31日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

磁科幻场传感器

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

合计

英镑

桥

参数

桥电源电压

总功耗

储存温度

桥的工作温度

最多至T

AMB

= 130

°C

条件

分钟。

KMZ10B

马克斯。

120

+150

单位

°C

手册， halfpage

150

MSA927

P合计

（ mW）的

100

TAMB （

150

图3功率降额曲线。

1998年03月31日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

磁科幻场传感器

热特性

符号

日J-一

参数

从结点到环境的热阻

价值

180

KMZ10B

单位

K / W

特征

AMB

= 25

°C;

= 3千安/米;注意： 1 。

符号

TCV

参数

桥电源电压

磁性连接的场强

灵敏度

温度COEF网络cient

输出电压

开路，注意到图2和3

= 5 V;

+125

°C

= 3毫安;

+125

°C

桥

电桥电阻

桥

+125

°C

TCR

桥

温度COEF网络cient

电桥电阻

OFFSET

TCV

OFFSET

失调电压

失调电压漂移

输出的线性偏差

电压

+125

°C

= 0到

±1

千安/米

= 0到

±1.6

千安/米

= 0到

±2

千安/米

笔记

1.用H应用

< 3千安/米的传感器具有第一操作之前通过施加一个辅助场被重置

= 3千安/米。

2.无干扰场（H

）允许的;为令人不安的条件下稳定运行见图4 （ SOAR ），看看图5为

降低灵敏度。

(

为H

1.6千安

)

–

(

为H

)

--------------------------------------------------------------------------------------------------------------- .

1.6

输出电压迟滞

工作频率

条件

3.2

1.6

1.5

分钟。

0.4

0.1

0.3

典型值。

4.8

2.6

+1.5

±0.5

±1.7

±2

0.5

马克斯。

千安/米

----------------

%/K

mV / V的

---------------

％ FS ±

兆赫

单位

1998年03月31日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

磁科幻场传感器

KMZ10B

（千安/米）

＆ GT ;

1千安/米

(2)

,,,,,,

≥

1千安/米

MGD802

S（高）

S（ 3千安/米）

MGD803

安全工作

区域

(1)

HX （千安/米）

在用H应用

< 3千安/米，该传感器具有被重置，

离开飙升，的H辅助后场

= 3千安/米。

（ 1）区允许的操作。

（ 2 ）允许延期若H

< 1千安/米。

在用H应用

≤

3千安/米，该传感器具有以

的H的辅助字段复位

=使用前3千安/米。

Fig.4

安全工作区（允许令人不安

场H

作为辅助磁场H的分量

Fig.5

相对灵敏度（灵敏度的比例

某些

并为H灵敏度

= 3千安/米）。

MSA926

（毫伏/ V）的

最大

典型值

民

^ h Y（千安/米）

=常数;

= 3千安/米;牛逼

AMB

= 25

°C;

OFFSET

= 0.

图6的传感器输出特性。

1998年03月31日

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