初步
K4S510732B
16M X 8位×4银行同步DRAM
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS循环地址重点项目
- 。 CAS延迟时间（ 2 & 3 ）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 8K循环）
CMOS SDRAM
概述
该K4S510732B是536870912位同步的高数据速率
由8位， 4× 16777216字动态RAM ， fabri-
cated与三星的高性能CMOS技术。同步
异步的设计允许与使用精确的周期控制
系统时钟的I / O事务处理可在每个时钟周期。
工作频率，可编程突发长度范围
可编程延迟允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽，高性能的存储系统，应用程序
阳离子。
订购信息
产品型号
K4S510732B-TC/L75
K4S510732B-TC/L1H
K4S510732B-TC/L1L
最大频率。
133MHz(CL=3)
100MHz(CL=2)
100MHz(CL=3)
LVTTL
接口
包
54pin
TSOP （II）的
功能框图
CLK ， CAS ， RAS
/ WE ， DQM
/CS1,CKE1
32Mx8
32Mx8
/CS0,CKE0
DQ0 - DQ7
A0~A12,BA0,BA1
*
三星电子公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
Staktek公司“堆叠技术是三星堆叠的首选技术。
s
s
修订版0.0 Feb.2001
初步
K4S510732B
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
2
50
单位
V
V
°C
W
mA
CMOS SDRAM
记
:
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
笔记
:
1. V
IH
（最大）= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
时钟
RAS ， CAS，WE ， DQM
地址
CS ＃ ， CKE ＃
DQ
0
？ DQ
8
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
=1.4V
±
200毫伏）
针
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
CCS
C
OUT
民
5.0
5.0
5.0
2.5
8.0
最大
9.0
10.0
10.0
6.5
14.0
单位
pF
pF
pF
pF
pF
记
修订版0.0 Feb.2001
QQ：2880707522 复制
