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半导体
技术参数
VCO用于UHF / VHF频段。
特点
低串联电阻值:R
s
= 0.6 (最大)
小型封装: ESC 。
KDV355E
变容二极管
硅外延平面二极管
阴极标记
高电容比:C
1V
/C
4V
=2.2(Min.)
C
1
E
2
D
F
最大额定值( TA = 25
特征
反向电压
结温
存储温度范围
)
符号
V
R
T
j
T
英镑
等级
15
150
-55 150
单位
V
1.阳极
2.阴极
B
A
暗淡
A
B
C
D
E
F
MILLIMETERS
_
1.60 + 0.10
_
1.20 + 0.10
_
+ 0.10
0.80
_
0.30 + 0.05
_
+ 0.10
0.60
_
0.13 + 0.05
Esc键
记号
型号名称
VA
电气特性( TA = 25 )
特征
反向电流
符号
I
R1
I
R2
C
1V
C
4V
C
1V
/C
4V
r
S
V
R
=15V
V
R
= 15V , TA = 60
V
R
= 1V , F = 1MHz的
V
R
= 4V , F = 1MHz的
-
V
R
= 1V , F = 470MHz的
测试条件
分钟。
-
-
6.40
2.55
2.2
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
10
100
7.20
2.95
-
0.6
单位
nA
电容
电容比
串联电阻
pF
2003. 10. 29
版本号: 0
1/2
KDV355E
I
R
- V
R
10
反向电流I
R
(A)
-9
C
T
- V
R
10
总电容C
T
(PF )
f=1MHz
8
6
4
2
0
10
10
-10
10
-11
10
-12
0
4
8
12
16
-1
1.0
反向电压V
R
(V)
10
反向电压V
R
(V)
r
s
- V
R
0.6
串联电阻r
s
()
f=470MHz
Δ (日志
C
T
) /
Δ (日志
V
R
) - V
R
0
Δ (日志
C
T
) /
Δ (日志
V
R
)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
10
-1
-0.5
-1.0
-1.5
1.0
反向电压V
R
(V)
10
10
-1
1.0
反向电压V
R
(V)
10
2003. 10. 29
版本号: 0
2/2
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    -
    -
    -
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KEC
2443+
23000
SMD
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联系人:刘先生
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